一种杂原子掺杂型g-C制造技术

本发明专利技术涉及光催化产氢技术领域，且公开了一种杂原子掺杂型g‑C

【技术实现步骤摘要】
一种杂原子掺杂型g-C3N4-MoS2异质结光催化材料及其制法
本专利技术涉及光催化产氢
，具体为一种杂原子掺杂型g-C3N4-MoS2异质结光催化材料及其制法。
技术介绍
随着化石能源储量日益减少带来的能源危机问题，以及过度燃烧化石燃料带来的环境污染问题日益严峻，开发绿色高效的可再生能源迫在眉睫，绿色可再生能源包括太阳能、风能、潮汐能等，氢能是世界上最干净的二次能源，资源丰富，可持续发展，氢气的燃烧发热值高，燃烧性能优异，燃烧产物是水无污染，是最具发展潜力的清洁能源。目前工业制取氢气的方法主要有化石燃料制氢、电解水制氢和生物质法制氢，其中光催化分解水产氢是一种新型高效的制氢方法，当光辐射在半导体材料上，辐射的能量大于半导体的禁带宽度时，半导体内光生电子受激发，从价带跃迁到导带，空穴留在价带，使光生电子和空穴发生分离，分别在半导体的不同位置将水还原成氢气以及氧化成氧气，实现光催化产氢，目前的光催化半导体产氢材料主要有钽酸盐、铌酸盐、钛酸盐和过渡金属硫化物等，石墨烯氮化碳g-C3N4的带隙较窄，在440-460nm可见光波段范围内具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种杂原子掺杂型g-C

【技术特征摘要】
1.一种杂原子掺杂型g-C3N4-MoS2异质结光催化材料，包括以下配方原料及组分，其特征在于：磷酸、三聚氰胺、Co(NO3)2、Na2MoO4、L-半胱氨酸、石墨烯。


2.根据权利要求1所述的一种杂原子掺杂型g-C3N4-MoS2异质结光催化材料，其特征在于：所述杂原子掺杂型g-C3N4-MoS2异质结光催化材料制备方法包括以下步骤：
（1）向体积比为1:2-4的蒸馏水和甲醇混合溶剂中，加入磷酸和三聚氰胺，置于恒温水浴锅中加热至50-80℃，反应4-8h，再加入盐酸调节溶液pH至4-5，真空干燥除去溶剂，混合固体产物置于置于电阻炉中，升温速率为5-10℃/min，升温至520-550℃煅烧2-4h，煅烧产物即为多孔P掺杂g-C3N4；
（2）向蒸馏水溶剂中加入氧化石墨烯、超声分散均匀后加入Co(NO3)2和L-半胱氨酸，加热至40-60℃，匀速搅拌12-18h，再加入Na2MoO4并将溶液转移进反应釜中，加热至180-220℃，反应25-35h，过滤、洗涤并干燥，制备得到纳米Co掺杂MoS2修饰石墨烯；
（3）向体积比为1:1.5-2.5的蒸馏水和乙醇混合溶剂中，加入纳米Co掺杂MoS2修饰石墨烯和多孔P掺杂g-C3N4，搅拌均匀后将溶液超声处理6-10h，进行分散和剥离过程，除去溶剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：张先付，
申请(专利权)人：张先付，
类型：发明
国别省市：浙江;33