一种组合型宽频域谐波治理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种组合型宽频域谐波治理装置，涉及宽频域谐波治理技术领域，通过SiC MOSFET型APF逆变桥接在宽频域谐波源的电网侧，IGBT型APF接在宽频域谐波源侧，控制器分别与SiC MOSFET型APF逆变桥、IGBT型APF逆变桥和宽频域谐波源电网连接，通过控制器通过检测宽频域谐波源产生的宽频域电流谐波，控制SiC MOSFET型APF逆变桥和IGBT型APF逆变桥产生与宽频域谐波源产生的谐波相抵消的谐波，从而进行谐波治理。

【技术实现步骤摘要】
一种组合型宽频域谐波治理装置
本技术涉及宽频域谐波治理
，尤其涉及一种组合型宽频域谐波治理装置。
技术介绍
电网中接入了大量的电力电子设备，使得电网的电源类型与特性、电网的拓扑结构和负荷构成等都发生着深刻变化，致使电网中的谐波呈现低频段谐波含量相对降低、中高频段谐波含量相对升高、谐波频域跨度大的“宽频域”新特征。同时由于长距离输电线路的分布参数导致特定频率的谐波由于线路的分布电容与电感谐振而出现谐波放大，降低电网电能质量，严重威胁电网设备安全与稳定运行。无源滤波器可以有效滤除特定频率的谐波，其成本低，但滤波效果不好，如果谐振频率设定不妥，会与系统发生谐振。有源滤波器（ActivePowerFilter，APF）效果相对无源滤波器要好，但其性能会受到电力电子元件耐压值以及额定电流的限制。目前大多数的有源滤波器主要使用IGBT开关器件，使得有源滤波器对于高频谐波的补偿能力受制于IGBT的开关频率，因此IGBT型APF无法有效对高频谐波进行补偿。SiCMOSFET因其开关频率高、损耗小的特点而被提出应用于高频谐波治理，但目前SiCMOS本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种组合型宽频域谐波治理装置，其特征在于：包括：/nSiC MOSFET型APF逆变桥；/nIGBT型APF逆变桥；及/n控制器，其分别与所述SiC MOSFET型APF逆变桥、IGBT型APF逆变桥和宽频域谐波源电网连接，所述控制器通过检测宽频域谐波源产生的宽频域电流谐波，控制SiC MOSFET型APF逆变桥和IGBT型APF逆变桥产生与宽频域谐波源产生的谐波相抵消的谐波，从而进行谐波治理。/n

【技术特征摘要】
1.一种组合型宽频域谐波治理装置，其特征在于：包括：
SiCMOSFET型APF逆变桥；
IGBT型APF逆变桥；及
控制器，其分别与所述SiCMOSFET型APF逆变桥、IGBT型APF逆变桥和宽频域谐波源电网连接，所述控制器通过检测宽频域谐波源产生的宽频域电流谐波，控制SiCMOSFET型APF逆变桥和IGBT型APF逆变桥产生与宽频域谐波源产生的谐波相抵消的谐波，从而进行谐波治理。

<...

【专利技术属性】
技术研发人员：周柯，丘晓茵，彭博雅，张阁，
申请(专利权)人：广西电网有限责任公司电力科学研究院，
类型：新型
国别省市：广西;45