一种新型激光管保护电路制造技术

本实用新型专利技术属于激光器技术领域，具体公开了一种新型激光管保护电路，主要由一个背靠背双N沟道MOSFET管U1、一个欠压/过压电源反向保护控制器U2和由4个电阻器(R1、R2、R3、R4)构成的门限电压调节网络组成；当控制器U2在控制器U2的Vin输入端上检测到负电压，它迅速将GATE引脚连接至Vin输入端，在GATE端与Vin输入端之间没有压降，当外部背靠背双N沟道MOSFET管U1的栅极处于最负电位(Vin)时，从Vout到Vin上负电压的漏电流极小，当此电路应用在电池供电的场合，可保护电源不受损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种新型激光管保护电路
本技术涉及激光器
，更具体地，涉及一种新型激光管保护电路。
技术介绍
随着科技的发展，激光器的应用领域已经非常广泛。作为激光器核心器件的激光管具有体积小、重量轻、耗电低、驱动电路简单、调制方便、耐机械冲击以及抗震动等优点，但它对过电流、过电压极为敏感。但驱动激光管的驱动电源在开关的瞬间，驱动电源的输出电压会出现瞬间超出稳定值的尖峰，这种尖峰电压会很容易超过激光管所能承受的电压范围。此外，某些便携式激光器设备通常采用电池作为供电电源，如果误将电池正负电源反接。以上任何一种现象出现都将彻底损坏电路板或者激光管。为了隔离负电源电压，我们通常是在电源上串联一个功率二极管或P沟道MOSFET。然而二极管既占用宝贵的设备空间，又会在高负载电流下消耗大量的功率。这在当今设备越来越小型化、越来越追求低功耗的应用环境下，此种方法已无法满足。P沟道MOSFET的功耗虽然低于串联二极管，但P沟道MOSFET以及所需的驱动电路将导致成本增加。而且这两种方法都没有提供针对过高电压的保护，这种保护需要更多的电路。<br>技术内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型激光管保护电路，其特征在于，包括MOSFET管U1、控制器U2和四个电阻R1、R2、R3、R4，其中，电源Vin端与所述MOSFET管U1的D1端连接，同时连接所述控制器U2的Vin输入端；所述控制器U2的SHDN输入端连接到电阻R4的一端，所述电阻R4的另一端连接到所述控制器U2的Vin输入端；电阻R1、电阻R2、电阻R3串联在所述电源Vin端与电源地端之间，所述控制器U2的UV输入端连接至所述电阻R3与所述电阻R2的连接处；所述控制器U2的OV输入端连接至所述电阻R2与所述电阻R1的连接处；所述控制器U2的GND端连接到电源地端，所述控制器U2的Vout端与所述MOSFET管U...

【技术特征摘要】
1.一种新型激光管保护电路，其特征在于，包括MOSFET管U1、控制器U2和四个电阻R1、R2、R3、R4，其中，电源Vin端与所述MOSFET管U1的D1端连接，同时连接所述控制器U2的Vin输入端；所述控制器U2的SHDN输入端连接到电阻R4的一端，所述电阻R4的另一端连接到所述控制器U2的Vin输入端；电阻R1、电阻R2、电阻R3串联在所述电源Vin端与电源地端之间，所述控制器U2的UV输入端连接至所述电阻R3与所述电阻R2的连接处；所述控制器U2的OV输入端连接至所述电阻R2与所述电阻R1的连接处；所述控制器U2的GND端连接到电源地...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志梅，
申请(专利权)人：无锡莱浙光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32