绝缘散热片制造技术

本发明专利技术提供兼具高导热性及高绝缘性的绝缘散热片。尤其提供适合作为电子部件用散热构件的绝缘散热片。绝缘散热片，其由下述有机硅组合物形成，所述有机硅组合物以六方晶氮化硼的含有率为40～70体积％、有机硅树脂的含有率为30～60体积％的范围含有所述六方晶氮化硼和有机硅树脂，其中，六方晶氮化硼的频率粒度分布在35～100μm的区域、以及10～25μm的区域及/或0.4～5μm的区域具有极大峰，六方晶氮化硼的平均粒径在30～80μm的范围内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】绝缘散热片
本专利技术涉及导热性及绝缘性优异的绝缘散热片及其用途，尤其涉及作为电子部件用散热构件使用时，能够在不损伤功率器件、晶体管、晶闸管、CPU(中央处理装置)等发热性电子部件的情况下嵌入电子设备的绝缘散热片。
技术介绍
功率器件、晶体管、晶闸管、CPU等发热性电子部件中，如何将使用时产生的热除去成为重要的问题。以往，作为这样的除热方法，通过进行下述操作：隔着电绝缘性的绝缘散热片将发热性电子部件安装于散热翅片、金属板而使热散出，作为该绝缘散热片，使用了在有机硅橡胶中分散导热性填料而成的散热片。近年来，伴随电子部件内的电路的高集成化，其发热量也变大，要求具有比以往更高的导热性的材料。另外，伴随上述电子构件的高性能化，使用的绝缘层也存在较以往的数百μm进一步薄膜化的倾向，有时成为数十μm以上且100μm以下，与其对应的填料也要求从以往的数百μm而小粒径化为100μm以下。然而，对于用作填料的六方晶氮化硼粒子而言，面内方向(a轴方向)的导热系数为400W/(m·K)，与此相对，厚度方向(c轴方向)的导热系数为2W/(m·K)，因晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.绝缘散热片，其为含有六方晶氮化硼和有机硅树脂而成的绝缘散热片，其特征在于，所述六方晶氮化硼的频率粒度分布在35～100μm的区域、以及10～25μm的区域及/或0.4～5μm的区域具有极大峰，所述六方晶氮化硼的平均粒径在30～80μm的范围内，所述绝缘散热片由下述有机硅组合物形成，所述有机硅组合物以所述六方晶氮化硼的含有率为40～70体积％、有机硅树脂的含有率为30～60体积％的范围含有所述六方晶氮化硼和有机硅树脂。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180226 JP 2018-0318551.绝缘散热片，其为含有六方晶氮化硼和有机硅树脂而成的绝缘散热片，其特征在于，所述六方晶氮化硼的频率粒度分布在35～100μm的区域、以及10～25μm的区域及/或0.4～5μm的区域具有极大峰，所述六方晶氮化硼的平均粒径在30～80μm的范围内，所述绝缘散...

【专利技术属性】
技术研发人员：和田光祐，山县利贵，金子政秀，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP