电源模块及显示装置制造方法及图纸

技术编号:25125812 阅读:30 留言:0更新日期:2020-08-05 02:55
本发明专利技术涉及一种电源模块,应用于显示面板,显示面板包括多个像素单元,每一像素单元包括像素电路,所述电源模块用于向所述像素电路提供第一供电电压ELVDD,包括:第一输电线,与显示单元的像素电路连接,以向显示面板输出第一供电电压ELVDD;电荷释放单元,与所述第一输电线连接,用于在所述第一输电线上的电压超过预设电压时、进行电荷释放。本发明专利技术还涉及一种显示装置。

【技术实现步骤摘要】
电源模块及显示装置
本专利技术涉及显示产品制作
,尤其涉及一种电源模块及显示装置。
技术介绍
柔性AMOLDE(Active-matrixorganiclight-emittingdiode)屏最近几年发展飞快,已经从曲面屏逐渐发展到了折叠屏,可弯曲角度从90°以内飞跃到180°对向折叠,尺寸也从5.5英寸到8英寸逐渐增大。尺寸的增大必然要求DC-DC电路有更高的驱动能力,更大的电流输出以对应大尺寸屏幕。DC-DC的主要功能为配合电池的动态输出电压提供稳定的直流输出电压,以满足显示需求。但如果Panel(面板)内部存在较大漏电或者DC-DC负载能力不够,其本身就会受Panel状态影响增大。若Panel内部反馈的ELVDD电压超过DC-DC的嵌位能力,就会导致DC-DC停止输出,并造成Panel显示异常。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本专利技术提供一种电源模块及显示装置,解决由于Panel漏电或者设计缺陷导致的ELVDD电压升高,进而导致DC-DC输出异常,而引起显示异常的问题。为了达到上述目的,本专利技术采用的技术方案是:一种电源模块,应用于显示面板,显示面板包括多个像素单元,每一像素单元包括像素电路,所述电源模块用于向所述像素电路提供第一供电电压ELVDD,包括:第一输电线,与显示单元的像素电路连接,以向显示面板输出第一供电电压ELVDD;电荷释放单元,与所述第一输电线连接,用于在所述第一输电线上的电压超过预设电压时、进行电荷释放。可选的,所述电荷释放单元包括一电阻值大于预设值的电阻,所述电阻的一端与所述第一输电线连接,另一端接地。可选的,所述电阻为可变电阻。可选的,所述电阻为一薄膜晶体管,所述电荷释放单元还包括一调节部,所述薄膜晶体管的第一电极连接所述第一输电线,所述薄膜晶体管的第二电极接地,所述薄膜晶体管的栅极与所述调节部连接,所述调节部对所述栅极施加不同电压以调节所述电阻的电阻值。可选的,所述第一电极为源极,所述第二电极为漏极。可选的,还包括:电压检测单元,用于检测显示面板显示所需的驱动电压,并输出第一信号;电压输出单元,与所述第一输电线的输入端连接,用于根据所述第一信号向显示面板输出第一供电电压ELVDD。可选的,所述电压输出单元包括DC-DC电路。本专利技术实施例还提供一种显示装置,其特征在于,包括显示面板以及上述的电源模块。可选的,还包括覆晶薄膜,所述电源模块与所述覆晶薄膜的驱动芯片连接,以为所述驱动芯片提供第二供电电压。本专利技术的有益效果是:通过电荷释放单元的设置,在ELVDD电压异常升高时,进行电荷释放,则不会形成异常显示。附图说明图1表示本专利技术实施例中电源模块结构示意图;图2表示本专利技术实施例中显示装置部分结构示意图;图3表示本专利技术实施例中电阻结构示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本专利技术实施例的附图,对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。目前手机DC-DC一般输出三路电压,AVDD(6.7-7.6V)电压,为IC(驱动芯片)供电,以提供GOA及GAMMA电压;ELVDD(4.6V)/ELVSS(-2.4--3.5V)电压,输入Panel(显示面板)内部,驱动OLED点亮屏幕。其中Panel的尺寸的增大,必然造成EL(发光器件)电流的增大,这就要求DC-DC有更高的负载能力。但DC-DC由于特殊的设计及要求,其负载能力很难有较大的提高。Panel_ELVDD在悬空状态下、纯黑画面下(Vdata=6.4V),其理论电压为4.6V左右。若存在TFT漏电,其电压就会升高超过4.6V,一旦电压超过4.6V,在AVC功能(电压补偿)的作用下,Vdata电压会增加,导致Panel_ELVDD增加,形成正反馈,致使Panel_ELVDD电压持续升高到7V左右。Panel_ELVDD电压一旦超过6V,在接入DC-DC情况下,就会概率性导致DC-DC_ELVDD停止输出,此时Vdata直接驱动OLED点亮屏幕,形成异显状态。针对上述问题,本实施例提供一种电源模块,应用于显示面板,显示面板包括多个像素单元,每一像素单元包括像素电路,所述电源模块用于向所述像素电路提供第一供电电压ELVDD,如图1和图2所示,包括:第一输电线3,与显示单元的像素电路连接,以向显示面板输出第一供电电压ELVDD;电荷释放单元1,与所述第一输电线3连接,用于在所述第一输电线3上的电压超过预设电压时、进行电荷释放。所述电荷释放单元1的设置,使得ELVDD电压稳定在0V,不会升高到4.6V以上,则Vdata不会升高引起TFT加重漏电,则不会形成异显。所述电荷释放单元1的具体结构形式可以有多种,本实施例中,所述电荷释放单元1包括一电阻值大于预设值的电阻,所述电阻的一端与所述第一输电线3连接,另一端接地。所述预设值的设定可以根据实际需要设定,本实施例的一具体实施方式中考虑到降低功耗,所述电阻的阻值为50K,但并不以此为限。可以通过改变电阻的阻值来控制功耗,并且避免影响显示效果,改变电阻阻值的方式有多种,以下具体说明本实施例中的两种方式。本实施例中的第一实施方式中,可以通过测试获得所需的电阻的阻值,然后在电阻的制作工艺工程中实现电阻的阻值的改变,在一实施方式中,电阻包括第一电极、第二电极和位于第一电极和第二电极之间的多晶硅有源层,可以通过改变第一电极和第二电极之间的多晶硅有源层的宽长比来改变电阻的阻值,具体的,一实施方式中,所述电阻包括:绝缘层10,位于绝缘层10的第一区域的多晶硅有源层20,非谓语多晶硅有源层20上的栅绝缘层30,设置于栅绝缘层30上的栅极70,以及在所述栅绝缘层30上设置过孔,并形成通过过孔与多晶硅有源层20连接的源极40、漏极50,可以通过改变多晶硅有源层20位于源极40、漏极50之间的第一部分的宽长比来改变电阻的大小(图3中X方向为长度方向,宽度方向为与X方向相垂直的方向),第一部分的长度增加,则电阻增大,宽度增加,则电阻减小。需要说明的是,所述栅极在实际使用中处于悬空状态,或者对栅极提供一固定不变的电压,当然电阻也可以不包括栅极,具体的结构形式可根据实际需要设定。采用上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电源模块,应用于显示面板,显示面板包括多个像素单元,每一像素单元包括像素电路,所述电源模块用于向所述像素电路提供第一供电电压ELVDD,其特征在于,包括:/n第一输电线,与显示单元的像素电路连接,以向显示面板输出第一供电电压ELVDD;/n电荷释放单元,与所述第一输电线连接,用于在所述第一输电线上的电压超过预设电压时、进行电荷释放。/n

【技术特征摘要】
1.一种电源模块,应用于显示面板,显示面板包括多个像素单元,每一像素单元包括像素电路,所述电源模块用于向所述像素电路提供第一供电电压ELVDD,其特征在于,包括:
第一输电线,与显示单元的像素电路连接,以向显示面板输出第一供电电压ELVDD;
电荷释放单元,与所述第一输电线连接,用于在所述第一输电线上的电压超过预设电压时、进行电荷释放。


2.根据权利要求1所述的电源模块,其特征在于,所述电荷释放单元包括一电阻值大于预设值的电阻,所述电阻的一端与所述第一输电线连接,另一端接地。


3.根据权利要求2所述的电源模块,其特征在于,所述电阻为可变电阻。


4.根据权利要求3所述的电源模块,其特征在于,所述电阻为一薄膜晶体管,所述电荷释放单元还包括一调节部,所述薄膜晶体管的第一电极连接所述第一输电线,所述薄膜晶体管的第二电极接地,所述薄膜晶体管的栅...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨抒臻阳智勇王开民胡红伟
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司成都京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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