热处理方法及热处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能在短时间内将腔室内构造物调温到稳定温度的热处理方法及热处理装置。在先行批组的处理结束后，开始加温处理。在加温处理中，通过来自卤素灯的光照射，将基座等腔室内构造物保温于固定的保温温度。当在执行加温处理的过程中接收到意为移出批组的信号时，移行到调节处理。在调节处理中，通过对保持在基座的虚设晶圆反复进行与对作为处理对象的批组中包含的半导体晶圆实施的光照射相同的光照射，将基座等腔室内构造物调温到稳定温度。通过在进行加温处理后执行调节处理，能在短时间内将腔室内构造物调温到稳定温度。

【技术实现步骤摘要】
热处理方法及热处理装置
本专利技术涉及一种通过对半导体晶圆等薄板状精密电子衬底(以下，简称“衬底”)照射光而加热该衬底的热处理方法及热处理装置。
技术介绍
在半导体元件的制造工艺中，极短时间内将半导体晶圆加热的闪光灯退火(FLA)备受关注。闪光灯退火是通过使用氙气闪光灯(以下，简称“闪光灯”时就是指氙气闪光灯)对半导体晶圆的正面照射闪光，而仅使半导体晶圆的正面在极短时间(数毫秒以下)内升温的热处理技术。氙气闪光灯的放射分光分布为紫外线区域到近红外线区域，波长较以往的卤素灯短，与硅的半导体晶圆的基础吸收带大体一致。因此，从氙气闪光灯对半导体晶圆照射闪光时，透过光较少，从而能使半导体晶圆急速升温。另外，也已判明：如果为数毫秒以下的极短时间的闪光照射，则能仅使半导体晶圆的正面附近选择性地升温。这种闪光灯退火被应用于需要在极短时间内加热的处理，例如较为典型的是注入半导体晶圆中的杂质的活化。如果从闪光灯对通过离子注入法注入有杂质的半导体晶圆的正面照射闪光，则能将该半导体晶圆的正面在极短时间内升温到活化温度，能不使杂质较深扩散而仅执行杂质活本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热处理方法，其特征在于：/n通过对衬底照射光而加热该衬底，且包含：/n搬入步骤，向腔室内搬入衬底；/n光照射步骤，对在所述腔室内保持于基座的衬底照射光；/n保温步骤，在将批组最初的衬底搬入所述腔室前，通过来自连续点亮灯的光照射，将所述腔室内的构造物保温于固定的保温温度；及/n调温步骤，在所述保温步骤之后，通过反复使所述连续点亮灯点亮与熄灭，而调节所述构造物的温度。/n

【技术特征摘要】
20190128 JP 2019-0123401.一种热处理方法，其特征在于：
通过对衬底照射光而加热该衬底，且包含：
搬入步骤，向腔室内搬入衬底；
光照射步骤，对在所述腔室内保持于基座的衬底照射光；
保温步骤，在将批组最初的衬底搬入所述腔室前，通过来自连续点亮灯的光照射，将所述腔室内的构造物保温于固定的保温温度；及
调温步骤，在所述保温步骤之后，通过反复使所述连续点亮灯点亮与熄灭，而调节所述构造物的温度。


2.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于：
于所述调温步骤中，反复进行与在将虚设晶圆保持于所述基座的状态下从所述连续点亮灯对所述批组中包含的衬底实施的光照射相同的光照射。


3.根据权利要求2所述的热处理方法，其特征在于：
于所述保温步骤中，在将虚设晶圆保持于所述基座的状态下，从所述连续点亮灯进行光照射。


4.根据权利要求3所述的热处理方法，其特征在于：
在所述保温步骤中，基于所述基座的温度，控制所述连续点亮灯的输出，并且
在所述调温步骤中，基于保持在所述基座的虚设晶圆的温度，控制所述连续点亮灯的输出。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的热处理方法，其特征在于：
当在执行所述保温步骤的过程中接收到变更所述批组的处理温度的信号时，变更所述保温温度。


6.一种热处理装置，其特征在于：
通过对衬底照射光而加...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤祯朗，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本;JP