【技术实现步骤摘要】
线圈部件
本专利技术涉及一种线圈部件，特别是涉及一种绕线多层地卷绕于卷芯部而成的线圈部件。
技术介绍
为了提高绕线卷绕于卷芯部而成的线圈部件的电感，需要使绕线的匝数增加，但是在将绕线单层地卷绕于卷芯部的方法中，与匝数成比例地增大卷芯部所需要的长度。因此，为了抑制卷芯部的长度并且使绕线的匝数增加，如专利文献1所公开的那样，需要将绕线多层地卷绕于卷芯部。另一方面，在主要用于电源电路的线圈部件中，要求低直流电阻和高额定电流。为了实现这一点，可以考虑使用并联连接的2根绕线的方法。例如，专利文献1的图6～图8中公开了通过将2根绕线多层地卷绕而成的线圈部件。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平11-74133号公报
技术实现思路
但是，在专利文献1的图6～图8中公开的卷绕结构中，由于匝数差大的匝彼此相邻，因此存在产生大的寄生电容成分这样的问题。这是因为存在如下趋势：由匝数差小的匝彼此产生的寄生电容成分主要被串联连接，因此该值变小，相对于此，由匝数差大的匝彼此产生的寄生电容...
【技术保护点】
1.一种线圈部件，其特征在于，/n具备：/n卷芯部；以及/n卷绕于所述卷芯部的第1和第2绕线，/n所述第1和第2绕线在所述卷芯部上构成至少3层的卷绕层，/n所述第1和第2绕线的第i匝、第i+1匝和第i+2匝位于互相不同的卷绕层，其中，i是1以上的整数。/n
【技术特征摘要】
20190128 JP 2019-0124751.一种线圈部件，其特征在于，
具备：
卷芯部；以及
卷绕于所述卷芯部的第1和第2绕线，
所述第1和第2绕线在所述卷芯部上构成至少3层的卷绕层，
所述第1和第2绕线的第i匝、第i+1匝和第i+2匝位于互相不同的卷绕层，其中，i是1以上的整数。
2.根据权利要求1所述的线圈部件，其特征在于，
所述第1和第2绕线从靠近所述卷芯部的层起按顺序构成包含下层、中间层和上层的3层的卷绕层，
在所述下层卷绕有所述第1和第2绕线的所述第i匝，
在所述中间层卷绕有所述第1和第2绕线的所述第i+1匝，
在所述上层卷绕有所述第1和第2绕线的所述第i+2匝。
3.根据权利要求2所述的线圈部件，其特征在于，
所述第1绕线的第i+4匝沿由所述第1绕线的所述第i匝和所述第2绕线的所述第i匝形成的谷线卷绕，
所述第1绕线的第i+5匝沿由所述第1绕线的所述第i+1匝和所述第2绕线的所述第i+1匝形成的谷线卷绕。
4.根据权利要求3所述的线圈部件，其特征在于，
所述第2绕线的第i+4匝沿由所述第1绕线的所述第i+3匝和所述第2绕线的所述第i匝形成的谷线卷绕，
所述第2绕线的第i+5匝沿由所述第1绕线的所述第i+4匝和所述第2绕线的所述第i+1匝形成的谷线卷绕。
5.根据权利要求2所述的线圈部件，其特征在于，
所述第1绕线的第i+7匝沿由所述第1绕线的所述第i匝和所述第2绕线的所述第i匝形成的谷线卷绕，
所述第1绕线的第i+5匝沿由所述第1绕线的所述第i+1匝和所述第2绕线的所述第i+1匝形成的谷线卷绕。
6.根据权利要求5所述的线圈部件，其特征在于，
所述第2绕线的第i+7匝沿由所述第1绕线的所述第i+3匝和所述第2绕线的所述第i匝形成的谷线卷绕，
所述第2绕线的第i+5匝沿由所述第1绕线的所述第i+4匝和所述第2绕线的所述第i+1匝形成的谷线卷绕。
7.根据权利要求1所述的线圈部件，其特征在于，
所述第1和第2绕线从靠近所述卷芯部的层起依次构成包含下层、第1中间层、第2中间层和上层的4层的卷绕层，
在所述下层卷绕有所述第1和第2绕线的所述第i匝，
在所述第1中间层卷绕有所述第1和第2绕线的所述第i+1匝，
在所述第2中间层卷绕有所述第1和第2绕线的所述第i+2匝，
在所述上层卷绕有所述第1和第2绕线的第i+3匝。
8.根据权利要求7所述的线圈部件，其特征在于，
所述第1绕线的第i+5匝沿由所述第1绕线的所述第i匝和所述第2绕线的所述第i匝形成的谷线卷绕，
所述第1绕线的第i+6匝沿由所述第1绕线的所述第i+1匝和所述第2绕线的所述第i+1匝形成的谷线卷绕，
所述第1绕线的第i+7匝沿由所述第1绕线的所述第i+2匝和所述第2绕线的所述第i+2匝形成的谷线卷绕。
9.根据权利要求8所述的线圈部件，其特征在于，
所述第2绕线的第i+5匝沿由所述第1绕线的第i+4匝和所述第2绕线的所述第i匝形成的谷线卷绕，
所述第2绕线的第i+6匝沿由所述第1绕线的所述第i+5匝和所述第2绕线的所述第i+1匝形成的谷线卷绕，
所述第2绕线的第i+7匝沿由所述第1绕线的所述第i+6匝和所述第2绕线的所...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉野花子，铃木宽，占部大辅，东田启吾，土屋友一，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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