【技术实现步骤摘要】
具有逃气结构的铜箔
本技术涉及一种具有逃气结构的铜箔,尤指使用于复合式基板中与陶瓷共晶键合的铜箔。
技术介绍
铜箔与陶瓷形成复合式基板的方式为直接铜接合技术(简称DCB,DirectCopperBonding或简称DBC,DirectBondingCopper),主要是将含有氧化铜层的铜箔贴合于具氧化物表层的陶瓷基板表面,在1065~1083℃温度下于真空炉中共晶烧结,铜箔将直接键合于陶瓷基板表面。早期为使用干式制程,系将铜箔至于真空炉中,使铜箔在氧元素气氛下表面生成氧化铜,接着将含有氧化铜层的铜箔贴合于具氧化物表层的陶瓷基板表面,在1065~1083℃温度下于真空炉中共晶烧结,铜箔将直接键合于陶瓷基板表面,此种作法铜箔两面都会形成氧化铜,不利铜箔单面与陶瓷基板共晶键合。现阶段,氧化铜层的铜箔为湿式制程,利用药水让铜箔能单面形成氧化铜层。然而,不论是何种氧化铜层的形成方式,氧化铜层内都会形成有许多细小的空隙在共晶烧结时会因共晶液相的流动能力较差,使空隙中的气体无法排出,造成复合式基板制成后,铜箔与陶瓷之间夹杂许多气隙,除了会使热传导能力下降外,也会使结合强度降低。
技术实现思路
本技术的目的在于:提供一种具有逃气结构的铜箔,解决现有技术中存在的上述技术问题。为实现上述目的,本技术采用的技术方案是:一种具有逃气结构的铜箔,尤指使用于复合式基板中与陶瓷共晶键合的铜箔,其特征在于:该铜箔具有基层以及形成于基层表面的氧化铜膜层,并在氧化铜膜层上凹设置有复数个逃气空间。本技术的主 ...
【技术保护点】
1.一种具有逃气结构的铜箔,尤指使用于复合式基板中与陶瓷共晶键合的铜箔,其特征在于:该铜箔具有基层以及形成于基层表面的氧化铜膜层,并在氧化铜膜层上凹设置有复数个逃气空间。/n
【技术特征摘要】
1.一种具有逃气结构的铜箔,尤指使用于复合式基板中与陶瓷共晶键合的铜箔,其特征在于:...
【专利技术属性】
技术研发人员:曾继立,李茂昌,萧明阳,叶自立,
申请(专利权)人:佳总兴业股份有限公司,
类型:新型
国别省市:中国台湾;71
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