【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】将漏斗装置并入到电容器配置中以减少单元干扰的方法及并入有漏斗装置的电容器配置
本专利技术涉及将漏斗装置并入到电容器配置中以减少单元干扰的方法及并入漏斗装置的电容器配置。
技术介绍
计算机及其它电子系统(举例来说，数字电视、数字相机、蜂窝电话等)往往具有一或多个存储器装置以存储信息。存储器装置的大小日益减小以实现更高密度的存储容量。即使在实现增大密度时，消费者往往仍要求存储器装置还使用较少功率，同时维持存储在存储器装置上的数据的高速存取及可靠性。存储器单元内的泄漏可能有问题，至少因为此可能使得难以可靠地存储数据，且可能以其它方式浪费功率。泄漏可能变得愈发难以控制，这是因为电路按比例调整至愈来愈小的尺寸。将期望开发减轻或甚至防止非所要泄漏的架构；且期望开发用于制造此类架构的方法。附图说明图1到9是处于用于制造实例电容器的实例方法的实例过程阶段的实例组合件的图解横截面视图。图3A是处于图3的过程阶段的组合件的俯视图。图10及11是处于用于制造实例电容器的实例方法的实例过程阶段的实例组合件的图解横截面视图。在一些实施例中，图10的过程阶段可遵循图6的过程阶段。图12到16是处于用于制造实例电容器的实例方法的实例过程阶段的实例组合件的图解横截面视图。在一些实施例中，图12的过程阶段可遵循图3的过程阶段。图17及18是处于用于制造实例电容器的实例方法的实例过程阶段的实例组合件的图解横截面视图。在一些实施例中，图17的过程阶段可遵循图2的过程阶段。
【技术保护点】
1.一种形成设备的方法，其包括：/n形成延伸到支撑结构中的开口；/n用底部电极材料加衬所述开口，每一开口内的所述底部电极材料形成具有内部区域的向上开口容器形底部电极；每一向上开口容器形底部电极的上表面凹入到所述支撑结构的上表面下方；/n用绝缘材料加衬所述向上开口容器形底部电极的所述内部区域以使所述向上开口容器形底部电极的所述内部区域变窄；/n在所述向上开口容器形底部电极的所述变窄内部区域内形成上部电极；所述上部电极、所述绝缘材料及所述向上开口容器形底部电极一起形成多个电容器；/n形成跨所述上部电极延伸且使所述上部电极彼此耦合的板材料；及/n形成将所述底部电极电耦合到所述板材料的漏斗装置。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171215 US 15/843,2781.一种形成设备的方法，其包括：
形成延伸到支撑结构中的开口；
用底部电极材料加衬所述开口，每一开口内的所述底部电极材料形成具有内部区域的向上开口容器形底部电极；每一向上开口容器形底部电极的上表面凹入到所述支撑结构的上表面下方；
用绝缘材料加衬所述向上开口容器形底部电极的所述内部区域以使所述向上开口容器形底部电极的所述内部区域变窄；
在所述向上开口容器形底部电极的所述变窄内部区域内形成上部电极；所述上部电极、所述绝缘材料及所述向上开口容器形底部电极一起形成多个电容器；
形成跨所述上部电极延伸且使所述上部电极彼此耦合的板材料；及
形成将所述底部电极电耦合到所述板材料的漏斗装置。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘材料是铁电绝缘材料。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述漏斗装置包括与Ge、Si、O、N及C中的一或多者组合的Ti、Ni及Nb中的一或多者。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述漏斗装置包括Si、Ge、SiN、TiSiN、TiO、TiN、NiO、NiON及TiON中的一或多者；其中所述化学式指示主要成分而非特定化学计量。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述漏斗装置包括钛、氧及氮。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述漏斗装置包括连续垂直延伸区段。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述漏斗装置包括不连续垂直延伸区段。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述漏斗装置包括具有从约到约的范围内的水平厚度的垂直延伸区段。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述漏斗装置包括具有从约到约的范围内的水平厚度的垂直延伸区段。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述开口中的每一者具有在容纳在其中的所述向上开口容器形底部电极的所述凹入上表面上方的暴露侧壁区域；且其中所述漏斗装置的所述形成包括形成漏斗装置材料以沿着所述暴露侧壁区域且沿着所述向上开口容器形底部电极的所述内部区域延伸。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述漏斗装置包括漏斗装置材料；且其中所述支撑结构包括第二材料上方的第一材料，其中所述第一材料与所述第二材料之间的界面在所述向上开口容器形底部电极的所述凹入上表面下面；且所述方法进一步包括：
在形成所述上部电极之后，移除所述第一材料以使所述电容器中的每一者的上部区域暴露；所述电容器中的每一者的所述暴露上部区域具有暴露上部侧壁区域，所述暴露上部侧壁区域包含所述向上开口容器形底部电极的部分及在所述向上开口容器形底部电极的所述部分上方的所述绝缘材料的部分；
形成所述漏斗装置材料以沿着所述电容器中的每一者的所述暴露上部侧壁区域延伸；沿着所述暴露上部侧壁区域中的每一者的所述漏斗装置材料经配置为沿着所述向上开口容器形底部电极的所述部分且沿着所述绝缘材料的所述部分延伸的垂直延伸漏斗装置；及
将所述板材料形成为在所述电容器上方且沿着所述电容器的所述上部侧壁区域；沿着所述电容器的所述上部侧壁区域的所述板材料直接抵靠所述垂直延伸漏斗装置。
12.一种形成设备的方法，其包括：
形成延伸到支撑结构中的开口，所述支撑结构具有所述开口之间的上表面；
用底部电极材料加衬所述开口，每一开口内的所述底部电极材料形成具有内部区域的向上开口容器形底部电极；每一向上开口容器形底部电极的上表面凹入到所述支撑结构的上表面下方；所述开口中的每一者具有在容纳在其中的所述向上开口容器形底部电极的所述凹入上表面上方的所述支撑结构的暴露垂直延伸表面；
在所述支撑结构的所述上表面上方，沿着所述支撑结构的所述暴露垂直延伸表面，且在所述向上开口容器形底部电极的所述内部区域内形成漏斗装置材料；
在所述漏斗装置材料上方形成绝缘材料；所述绝缘材料延伸到所述向上开口容器形底部电极的所述内部区域内以使所述向上开口容器形底部电极的所述内部区域变窄；
在所述向上开口容器形底部电极的所述变窄内部区域内形成上部电极；所述上部电极、所述绝缘材料及所述向上开口容器形底部电极一起形成多个电容器；及
形成跨所述上部电极延伸且使所述上部电极彼此耦合的板材料；所述板材料直接抵靠所述漏斗装置材料；所述漏斗装置材料将所述底部电极电耦合到所述板材料且经配置以使过量电荷的至少部分从所述向上开口容器形底部电极放电到所述板材料。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述绝缘材料是铁电绝缘材料。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述漏斗装置材料包括与Ge、S...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·A·恰范，B·R·曲克，M·纳哈尔，D·V·N·拉马斯瓦米，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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