流体处置结构、光刻设备、以及使用流体处置结构的方法技术

本发明专利技术提供一种被配置成将浸没流体限制至光刻设备的区域的流体处置结构，所述流体处置结构包括：孔，所述孔在所述流体处置结构中形成以使辐射束经由所述浸没流体行进通过所述孔，所述孔限定将要填充有所述浸没流体的浸没空间；以及内部部分和外部部分；其中所述内部部分和所述外部部分被布置以便在所述内部部分与所述外部部分之间形成可变空间和连接空间，所述连接空间将所述可变空间连接至所述浸没空间，其中在第一平面中所述外部部分相对于所述内部部分是可移动的，以便改变所述可变空间而不是所述连接空间的形状，并且其中所述流体处置结构被配置成在所述可变空间中包含所述浸没流体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】流体处置结构、光刻设备、以及使用流体处置结构的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年12月15日递交的欧洲申请17207820.6的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。
本专利技术涉及一种被配置成将浸没流体限制至光刻设备的区域的流体处置结构、包括所述流体处置结构的光刻设备、以及使用流体处置结构和光刻设备的方法。
技术介绍
光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(也常常被称作“设计布局”或“设计”)投影至设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过一次性将整个图案曝光至目标部分上来辐射每个目标部分；和所谓的扫描仪，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上经由辐射束来扫描图案的同时平行或反向平行于这种方向来同步地扫描衬底从而辐射每个目标部分。随着半导体制造工艺继续进步，几十年来，电路元件的尺寸已不断地缩减，而每器件的诸如晶体管之类的功能元件的量已在稳步地增加，这遵循通常被称作“摩尔定律”的趋势。为了跟得上摩尔定律，半导体行业正追求使得能够产生越来越小的特征的技术。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定被图案化在衬底上的特征的最小尺寸。当前在使用中的典型的波长为365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。可以通过在曝光期间在衬底上提供具有相对高折射率的浸没流体(诸如水)来实现较小特征的分辨率的进一步提高。浸没流体的效应是使得能够对较小特征进行成像，这是因为曝光辐射在流体中相比于在气体中将具有更短的波长。浸没流体的效应也可以被视为增加系统的有效数值孔径(NA)并且也增加焦深。浸没流体可以通过流体处置结构而被限制至光刻设备的投影系统与衬底之间的局部区域。衬底与受限浸没液体之间的快速相对移动可能使浸没流体从局部区域泄漏。这种泄漏是不期望的并且可能引起衬底上的缺陷。衬底相对于投影系统步进或扫描的速度因此有限。这限制了光刻设备的生产量。
技术实现思路
本专利技术的目标是提供一种流体处置结构和一种进行测量以提高生产量的光刻设备。在本专利技术的实施例中，提供一种被配置成将浸没流体限制至光刻设备的区域的流体处置结构，所述流体处置结构包括：孔，所述孔形成在所述流体处置结构中以使辐射束经由浸没流体从所述孔中通过，所述孔限定待填充有浸没流体的浸没空间；以及内部部分和外部部分；其中所述内部部分和所述外部部分被布置为在所述内部部分与所述外部部分之间形成可变空间和连接空间，所述连接空间将所述可变空间连接至所述浸没空间，其中所述外部部分可以在第一平面中相对于所述内部部分移动，以便改变所述可变空间的形状而非所述连接空间的形状，并且其中所述流体处置结构被配置成在所述可变空间中包含所述浸没流体。在本专利技术的另一实施例中，提供一种光刻设备，所述光刻设备包括：所述流体处置结构；投影系统，所述投影系统包括最终元件，所述流体处置结构的所述内部部分相对于所述最终元件是固定的；和衬底支撑件，所述衬底支撑件被配置成支撑衬底，所述衬底支撑件可以在所述第一平面中相对于所述最终元件移动。在本专利技术的另一实施例中，提供一种使用所述流体处置结构的方法，所述方法包括使用流体供应系统来在所述浸没空间、所述连接空间和所述可变空间中提供浸没流体。在本专利技术的另一实施例中，提供一种使用所述光刻设备的方法，所述方法包括使用流体供应系统来在所述浸没空间、所述连接空间和所述可变空间中提供浸没流体。附图图示现将参考随附的示意性附图、仅通过举例的方式来描述本专利技术的实施例，在附图中：-图1描绘光刻设备的示意性概述；-图2a和图2b以横截面的形式描绘流体处置结构的两个不同的版本，所述流体处置结构具有在左手侧和右手侧上图示的不同特征，所述特征可以围绕整个圆周延伸；-图3a和图3b以横截面的方式图示本专利技术的实施例的流体处置结构，所述流体处置结构在两个不同位置中具有可移动的外部部分；并且-图4a和图4b以平面图的方式图示图3a和图3b的流体处置结构，所述流体处置结构在两个不同位置中具有可移动的外部部分。具体实施方式在本专利技术中，术语“辐射”和“束”用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如，具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)。如本专利技术中使用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以被广泛地解释为是指可以用于向入射辐射束赋予被图案化的横截面的通用图案形成装置，所述被图案化的横截面对应于将要在衬底的目标部分中产生的图案。在这种内容背景下，也可以使用术语“光阀”。除了经典掩模(透射式或反射式、二元式、相移式、混合式等等)以外，其它这样的图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。图1示意性地描绘光刻设备。所述光刻设备包括：照射系统(也被称作照射器)IL，所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如，UV辐射或DUV辐射)；掩模支撑件(例如，掩模平台)MT，所述掩模支撑件被构造成支撑图案形成装置(例如，掩模)MA，并且连接至被配置成根据某些参数来准确地定位图案形成装置MA的第一定位器PM；衬底支撑件(例如，衬底台)WT，所述衬底支撑件被构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并且连接至被配置成根据某些参数来准确地定位衬底支撑件WT的第二定位器PW；和投影系统(例如，折射投影透镜系统)PS，所述投影系统被配置成将由图案形成装置MA赋予至辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。在操作中，照射系统IL例如通过束传递系统BD从辐射源SO接收辐射束B。照射系统IL可以包括用于引导、成形和/或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如折射式、反射式、磁性式、电磁式、静电式和/或其它类型的光学部件，或其任何组合。照射器IL可以用于调节辐射束B，以在图案形成装置MA的平面处在其横截面中具有期望的空间强度分布和角强度分布。本专利技术中使用的术语“投影系统”PS应被广泛地解释为涵盖适于正在被使用的曝光辐射和/或适于诸如浸没液体的使用或真空的使用之类的其它因素的各种类型的投影系统，包括折射式、反射式、反射折射式、变形式、磁性式、电磁式和/或静电式光学系统，或其任何组合。可以认为本专利技术中对术语“投影透镜”的任何使用均与更上位的术语“投影系统”PS同义。光刻设备属于如下类型：衬底W的至少一部分可以由具有相对高折射率的浸没液体(例如水)覆盖，以便填充投影系统PS与衬底W之间的浸没空间11——这也被称作浸没光刻术。以引用方式并入本专利技术中的US6,952,253中给出关于浸没技术的更多信息。光刻设备可以属于具有两个或更多个衬底支撑件WT(又称为“双平台”)的类型。这种“多平台”机器中，可以并行地使用衬底支撑件WT，和/或可以在对位于衬底支撑件WT中的一个衬底支撑件上的衬底W进行准备衬底W的后续曝光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种流体处置结构，所述流体处置结构被配置成将浸没流体限制至光刻设备的区域，所述流体处置结构包括：/n孔，所述孔形成在所述流体处置结构中以使辐射束经由浸没流体从所述孔中通过，所述孔限定待填充有浸没流体的浸没空间；和/n内部部分和外部部分；/n其中所述内部部分和所述外部部分被布置为在所述内部部分与所述外部部分之间形成可变空间和连接空间，所述连接空间将所述可变空间连接至所述浸没空间，/n其中所述外部部分能够在第一平面中相对于所述内部部分移动，以便改变所述可变空间的形状而非所述连接空间的形状，并且/n其中所述流体处置结构被配置成在所述可变空间中包含浸没流体。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171215 EP 17207820.61.一种流体处置结构，所述流体处置结构被配置成将浸没流体限制至光刻设备的区域，所述流体处置结构包括：
孔，所述孔形成在所述流体处置结构中以使辐射束经由浸没流体从所述孔中通过，所述孔限定待填充有浸没流体的浸没空间；和
内部部分和外部部分；
其中所述内部部分和所述外部部分被布置为在所述内部部分与所述外部部分之间形成可变空间和连接空间，所述连接空间将所述可变空间连接至所述浸没空间，
其中所述外部部分能够在第一平面中相对于所述内部部分移动，以便改变所述可变空间的形状而非所述连接空间的形状，并且
其中所述流体处置结构被配置成在所述可变空间中包含浸没流体。


2.根据权利要求1所述的流体处置结构，所述流体处置结构还包括流体供应系统，所述流体供应系统被配置成向所述浸没空间、向所述连接空间和向所述可变空间供应浸没流体。


3.根据权利要求1或2所述的流体处置结构，所述流体处置结构还包括溢流回收件，所述溢流回收件用于从所述可变空间抽取高于预设液位的浸没流体。


4.根据前述权利要求中任一项所述的流体处置结构，所述流体处置结构被配置使得当在平面图中观察时，所述外部部分完全包围所述内部部分以便在所述内部部分与所述外部部分之间产生所述可变空间，和/或所述外部部分相对于所述内部部分的在所述第一平面中的移动不改变所述可变空间的总体体积。


5.根据前述权利要求中任一项所述的流体处置结构，其中所述外部部分包括用于钉扎浸没流体弯液面的弯液面钉扎装置。


6.根据前述权利要求中任一项所述的流体处置结构，所述流体处置结构还包括用于向所述连接空间提供浸没流体的入口和/或用于从所述连接空间抽取浸没流体的流体抽取器。


7.根据权利要求6所述的流体处置结构，其中所述入口被配置成在所述连接空间中产生所述内部部分与所述外部部分之间的液压轴承，和/或所述流体抽取器包括单相流抽取器。


8.根据权利要求6或7所述的流体处置结构，其中所述流体处置结构被配置成通过利用所述流体抽取器从所述连接空间抽取浸没流体从而在垂直于所述第一平面的第二方向上移动所述外部部分的至少一部分，从而在所述第二方向上改变所述连接空...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·N·J·斯蒂根，G·L·加托比焦，T·W·波莱，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL