一种超声波发生及控制电路系统技术方案

本发明专利技术公开了一种超声波发生及控制电路系统电路系统包括自升压超声波压发生电路结构和自动控制保护电路结构，自动控制保护电路系统包含电源控制电路、同步控制电路、过流自锁保护电路和同步导常自锁保护电路。本发明专利技术可应用于超声波发生装置中，尤其应用于超声波燃料激励装置或加湿装置中，具有频率稳定，功率大，能耗低，适用范围广的特点。并且实现自动控制以及自升压的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种超声波发生及控制电路系统
本专利技术涉及一种电路系统，具体涉及一种超声波发生及控制电路系统。
技术介绍
目前，市面上使用的超声波发生及控制电路多用于加湿装置以及其他超声波发生装置中，而现有的超声波发生及控制电路通常仅适用于一般家庭的稳定电路，并且其频率不稳定，发热量大，功耗大，使用范围小，存在诸多不足。
技术实现思路
本专利技术提供了一种用于超声波燃料激励装置的电路系统，其目的在于解决现有超声波发生及控制电路中频率不稳定，发热量大，功耗大，使用范围小的技术问题。所述超声波发生及控制电路系统电路系统包括自升压超声波压发生电路结构和自动控制保护电路结构，且其中自动控制保护电路系统至少包含电源控制电路和同步控制电路。所述自升压超声波压发生电路系统中设置有第一高频变压器（T1），第一高频变压器（T1）两初级绕组互为反向端接头并接后的公共输入端（1脚）经第八电感（L8）串接后与主电源（VCC）正极连接；第一高频变压器（T1）两初级绕组互为反向的输出端（2脚、3脚），即初级绕组输出端，第一高频变压器（T1）的输出端（2脚）串接第三肖特基二极管（SBD3）正极，第三肖特基二极管（SBD3）负极连接第三开关管N-MOSFET（VT3）漏极（D极）；第三开关管N-MOSFET（VT3）源极（S极）串接第九电感（L9）后与电路主电源负极相连；第三开关管N-MOSFET（VT3）栅极（G极）和源极（S极）并联有第一瞬态电压抑制二极管（TVS1）、第三电阻（R3）、第三电容（C3）。第三开关管N-MOSFET（VT3）源极（S极）连接第一肖特基二极管（SBD1）正极，第一肖特基二极管（SBD1）负极连接第三肖特基二极管（SBD3）正极；第一高频变压器（T1）初级绕组输出端（3脚）连接第四肖特基二极管（SBD4）正极，第四肖特基二极管（SBD4）负极连接第四开关管N-MOSFET（VT4）漏极（D极），第四开关管N-MOSFET（VT4）源极（S极）与第三开关管N-MOSFET（VT3）源极（S极）连接并串接第九电感（L9）后与主电源（VCC）负极连接；第四开关管N-MOSFET（VT4）栅极（G极）与源极（S极）并联有第二瞬态电压抑制二极管（TVS2）、第四电阻（R4）、第四电容（C4）。第四开关管N-MOSFET（VT4）源极（S极）与第二肖特基二极管（SBD2）正极连接，第二肖特基二极管（SBD2）负极与第四肖特基二极管（SBD4）正极连接。第三开关管N-MOSFET（VT3）栅极（G极）串接第一电阻（R1）后与第三肖特基二极管（SBD3）负极连接；第四开关管N-MOSFET（VT4）栅极（G极）串接第二电阻（R2）后与第四肖特基二极管（SBD4）正极连接。电源控制电路，包含受电门锁控制电源（ACC），第一继电器（KA1），第二开关管N-MOSFET（VT2）以及用于控制第一继电器（KA1）、第二开关管N-MOSFET（VT2）导通或截止的主电源（VCC）。第一继电器（KA1）的电磁控制信号输入端（1脚）连接第四二极管（D4）负极，第四二极管（D4）正极连接受电门锁控制电源（ACC）正极；第一继电器（KA1）的电磁控制信号输出端（2脚）连接第二开关管N-MOSFET（VT2）漏极（D极）；第二开关管N-MOSFET（VT2）源极连接受电门锁控制电源（ACC）负极；第二开关管N-MOSFET（VT2）栅极（G极）串接第十电阻（R10）后连接到第四二极管（D4）正极；第二开关管N-MOSFET（VT2）栅极（G极）连接第四稳压管（ZD4）负极，第二开关管N-MOSFET（VT2）源极（S极）连接第四稳压管（ZD4）正极；第一继电器（KA1）的电源输入端（3脚）串接保险丝（F）后与总开关（K）一端连接；总开关（K）另一端与主电源（VCC）正极连接。同步控制电路，包含有通过喷油嘴脉宽信号驱动的第一光耦（N1），该第一光耦（N1）隔离控制第一开关管N-MOSFET（VT1）导通与截止驱动第二继电器（KA2）的开关，从而做到喷油嘴有喷油电路才工作的同步状态，且实现自动控制，安全，方便，采用光耦驱动可隔离喷油脉冲信号与电路，不相互干扰。第一开关管N-MOSFET（VT1）的栅极（G极）和源极（S极）并联有第一电容（C1）、第六电阻（R6），对脉宽起延时作用，以平稳第一开关管N-MOSFET（VT1）的导通状态。第二继电器（KA2）电磁控制信号输入端（1脚）与电源输入端（3脚）连接；第二继电器（KA2）电磁控制信号输出端（2脚）与第一开关管N-MOSFET（VT1）漏极（D极）连接，第二继电器（KA2）的电源输入端（3脚）与第一继电器（KA1）的常开端（4脚）连接；第一开关管N-MOSFET（VT1）源极与主电源（VCC）负极连接；第一开关管N-MOSFET（VT1）栅极连接第二稳压二极管（VD2）负极；第一开关管N-MOSFET（VT1）源极连接第二稳压二极管（ZD2）正极，第一开关管N-MOSFET（VT1）栅极和源极并联有第一电容（C1）、第六电阻（R6）；第二继电器（KA2）常闭端（4脚）串接第十七电阻（R17）后与第一发光二极管（VD1）正极连接，第一发光二极管（VD1）负极与主电源（VCC）负极连接。电路同步状态由发光二极管VD1与VD2相互切换指示。第二继电器（KA2）常开端（2脚）与主电源（VCC）未端第五肖特基二极管（SBD5）正极连接，第五肖特基二极管（SBD5）负极作为自动控制保护电路正极输出终端（Vo）正极。作为其中一种较优实施方式，所述自动控制保护电路系统还包含同步异常自锁保护电路，所述同步异常自锁保护电路包含有第一光耦（N1），第一光耦（N1）的信号输入正极端（1脚）与第十八电阻（R18）串接后的端点作为喷油嘴来脉冲信号连接（IN）的正极连接端；第一光耦（N1）信号输入负极端（2脚）作为喷油嘴来脉冲信号（IN）负极连接端；第一光耦（N1）信号输出正极端（3脚）与第十三电阻（R13）串接后与第二继电器（KA2）电源输入端（3脚）相连；第一光耦（N1）信号输出负极端（4脚）与第一开关管N-MOSFET（VT1）栅极（G极）连接。作为其中一种较优实施方式，所述同步异常自锁保护电路还包含有单向可控硅（SCR），单向可控硅（SCR）阳极（A极）连接第三发光二极管（VD3）负极，第三发光二极管（VD3）正极串接第十二电阻（R12）后连接第一继电器（KA1）电源输入端（3脚）；单向可控硅（SCR）控制极（G极）与第三稳压二极管（ZD3）负极连接，第三稳压二极管（ZD3）正极与单向可控硅（SCR）阴极（K极）连接；单向可控硅（SCR）控制极（G极）与阴极（K极）并联有第九电阻（R9）、第九电容（C9）；第三光耦（N3）信号输入正极端第（1脚）与第十一电阻（R11）串接后与第一继电器（KA1）电源输入端（3脚）连接；第三光耦（N3）信号输入负极端（2脚）连接单向可控硅（SCR）阳极（A极）；第三光耦信号输出正极端（3脚）连接第二开关管N-MOSFET（VT2）栅极（G极）；第三光耦（N3）信号输出负极端（4脚）本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超声波发生及控制电路系统，其特征在于，所述超声波发生及控制电路系统电路系统包括自升压超声波压发生电路结构和自动控制保护电路结构，/n所述自升压超声波压发生电路结构中设置有第一高频变压器（T1），第一高频变压器（T1）两初级绕组互为反向端接头并接后的公共输入端（1脚）经第八电感（L8）串接后与主电源（VCC）连接；第一高频变压器（T1）有两初级绕组互为反向的输出端（2脚、3脚），即初级绕组输出端，第一高频变压器（T1）的输出端（2脚）串接第三肖特基二极管（SBD3），第三肖特基二极管（SBD3）连接第三开关管N-MOSFET（VT3）漏极（D极）；第三开关管N-MOSFET（VT3）源极（S极）串接第九电感（L9）后与主电源（VCC）相连；第三开关管N-MOSFET（VT3）栅极（G极）和源极（S极）并联有第一瞬态电压抑制二极管（TVS1）、第三电阻（R3）、第三电容（C3）；第三开关管N-MOSFET（VT3）源极（S极）连接第一肖特基二极管（SBD1），第一肖特基二极管（SBD1）连接第三肖特基二极管（SBD3）；第一高频变压器（T1）初级绕组输出端（3脚）连接第四肖特基二极管（SBD4），第四肖特基二极管（SBD4）连接第四开关管N-MOSFET（VT4）漏极（D极），第四开关管N-MOSFET（VT4）源极（S极）与第三开关管N-MOSFET（VT3）源极（S极）连接后连接第九电感（L9）一端，第九电感（L9）另一端与主电源（VCC）连接；第四开关管N -MOS FET（VT4）栅极（G极）与源极（S极）并联有第二瞬态电压抑制二极管（TVS2）、第四电阻（R4）、第四电容（C4）；第四开关管N-MOSFET（VT4）源极（S极）与第二肖特基二极管（SBD2）连接，第二肖特基二极管（SBD2）与第四肖特基二极管（SBD4）连接；第三开关管N-MOSFET（VT3）栅极（G极）串接第一电阻（R1）后与第三肖特基二极管（SBD3）连接；第四开关管N-MOSFET（VT4）栅极（G极）串接第二电阻（R2）后与第四肖特基二极管（SBD4）连接；/n所述自动控制保护电路结构包含/n电源控制电路，包含受电门锁控制电源（ACC），第一继电器（KA1），第二开关管N-MOSFET（VT2）以及用于控制第一继电器（KA1）、第二开关管N-MOSFET（VT2）导通或截止的主电源（VCC）；以及同步控制电路，包含有通过脉宽信号驱动的第一光耦（N1），该第一光耦（N1）隔离控制第一开关管N-MOSFET（VT1）导通与截止驱动第二继电器（KA2）的开关，第一开关管N-MOSFET（VT1）的栅极（G极）和源极（S极）并联有第一电容（C1）、第六电阻（R6）。/n...

【技术特征摘要】
1.一种超声波发生及控制电路系统，其特征在于，所述超声波发生及控制电路系统电路系统包括自升压超声波压发生电路结构和自动控制保护电路结构，
所述自升压超声波压发生电路结构中设置有第一高频变压器（T1），第一高频变压器（T1）两初级绕组互为反向端接头并接后的公共输入端（1脚）经第八电感（L8）串接后与主电源（VCC）连接；第一高频变压器（T1）有两初级绕组互为反向的输出端（2脚、3脚），即初级绕组输出端，第一高频变压器（T1）的输出端（2脚）串接第三肖特基二极管（SBD3），第三肖特基二极管（SBD3）连接第三开关管N-MOSFET（VT3）漏极（D极）；第三开关管N-MOSFET（VT3）源极（S极）串接第九电感（L9）后与主电源（VCC）相连；第三开关管N-MOSFET（VT3）栅极（G极）和源极（S极）并联有第一瞬态电压抑制二极管（TVS1）、第三电阻（R3）、第三电容（C3）；第三开关管N-MOSFET（VT3）源极（S极）连接第一肖特基二极管（SBD1），第一肖特基二极管（SBD1）连接第三肖特基二极管（SBD3）；第一高频变压器（T1）初级绕组输出端（3脚）连接第四肖特基二极管（SBD4），第四肖特基二极管（SBD4）连接第四开关管N-MOSFET（VT4）漏极（D极），第四开关管N-MOSFET（VT4）源极（S极）与第三开关管N-MOSFET（VT3）源极（S极）连接后连接第九电感（L9）一端，第九电感（L9）另一端与主电源（VCC）连接；第四开关管N-MOSFET（VT4）栅极（G极）与源极（S极）并联有第二瞬态电压抑制二极管（TVS2）、第四电阻（R4）、第四电容（C4）；第四开关管N-MOSFET（VT4）源极（S极）与第二肖特基二极管（SBD2）连接，第二肖特基二极管（SBD2）与第四肖特基二极管（SBD4）连接；第三开关管N-MOSFET（VT3）栅极（G极）串接第一电阻（R1）后与第三肖特基二极管（SBD3）连接；第四开关管N-MOSFET（VT4）栅极（G极）串接第二电阻（R2）后与第四肖特基二极管（SBD4）连接；
所述自动控制保护电路结构包含
电源控制电路，包含受电门锁控制电源（ACC），第一继电器（KA1），第二开关管N-MOSFET（VT2）以及用于控制第一继电器（KA1）、第二开关管N-MOSFET（VT2）导通或截止的主电源（VCC）；以及同步控制电路，包含有通过脉宽信号驱动的第一光耦（N1），该第一光耦（N1）隔离控制第一开关管N-MOSFET（VT1）导通与截止驱动第二继电器（KA2）的开关，第一开关管N-MOSFET（VT1）的栅极（G极）和源极（S极）并联有第一电容（C1）、第六电阻（R6）。


2.如权利要求1所述超声波发生及控制电路系统，其特征在于：所述自动控制保护电路结构还包含同步异常自锁保护电路，其中所述第一光耦（N1）的信号输入正极端（1脚）与第十八电阻（R18）串接后的端点作为喷油嘴来脉冲信号（IN）连接的正极连接端；第一光耦（N1）信号输入负极端（2脚）作为喷油嘴来脉冲信号（IN）的负极连接端；第一光耦（N1）信号输出正极端（3脚）与第二继电器（KA2）电源输入端（3脚）相连；第一光耦（N1）信号输出负极端（4脚）与第一开关管N-MOSFET（VT1）栅极（G极）连接。


3.如权利要求2所述超声波发生及控制电路系统，，其特征在于：所述同步异常自锁保护电路还包含单向可控硅（SCR），单向可控硅（SCR）阳极（A极）连接第三发光二极管（VD3），第三发光二极管（VD3）串接第十二电阻（R12）后连接第一继电器（KA1）电源输入端（3脚）；单向可控硅（SCR）控制极（G极）与第三稳压二极管（ZD3）连接，第三稳压二极管（ZD3）与单向可控硅（SCR）阴极（K...

【专利技术属性】
技术研发人员：方荣武，谈杰，刘冀闽，
申请(专利权)人：方荣武，谈杰，刘冀闽，
类型：发明
国别省市：福建;35