像素结构及液晶显示面板制造技术

本申请提供了一种像素结构及液晶显示面板，本申请中像素结构包括至少两条扫描线和至少两条数据线，扫描线和数据线交错设置围合成像素区，像素区包括：像素电极，通过TFT器件连接扫描线和数据线；遮光矩阵，设置于相邻像素区之间；以及公共电极线，至少沿像素电极外侧设置形成框型电极；其中，公共电极线靠近遮光矩阵的一侧设置为凹部，且在像素结构的厚度方向上，凹部的内拐角被遮光矩阵覆盖，公共电极线露出部分设置到黑色矩阵边缘距离相同，不影响像素的开口率；公共电极线内拐角全部在黑色矩阵的遮挡下，而外拐角外露，相同公共电极线倾斜角下，可降低像素结构暗态漏光情况，提升液晶显示面板的显示品质。

【技术实现步骤摘要】
像素结构及液晶显示面板
本专利技术涉及显示面板制造
，尤其涉及一种像素结构及液晶显示面板。
技术介绍
随着高品质液晶显示面板(LiquidCrystalDisplay，LCD)对屏幕对比度的需求越来高，对于液晶显示器对比度的高低很大程度是决定于暗态的亮度，降低暗态漏光可极大提升产品对比度。通常将阵列基板与彩膜基板配合设置，阵列基板具有金属走线，这些金属走线由于制程及其排列结构原因会产生漏光现象，对于入射的水平偏振光，尤其非水平/垂直方向的金属走线拐角或金属边缘会对其偏振产生影响，发生一种类似衍射的现象，同时偏振方向发生部分改变，导致暗画面下漏光发生。如图1所示，现有技术中一种阵列基板包括数据线1011、数据线1012、公共电极线1021、公共电极线1022和黑色矩阵103，黑色矩阵103未完全覆盖公共电极线1021和公共电极线1022，裸露在的黑色矩阵103外面的部分漏光严重，影响液晶显示面板的显示品质。因此，需要设计出一种新的结构，以解决现有技术中液晶显示面板中金属走线在拐角处部分透射光其偏振方向发生了一定的偏转，产生漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：/n至少两条扫描线和至少两条数据线，所述扫描线和所述数据线交错设置围合成像素区，所述像素区包括：/n像素电极，通过TFT器件连接所述扫描线和所述数据线；/n遮光矩阵，设置于相邻所述像素区之间；以及，/n公共电极线，至少沿所述像素电极外侧设置形成框型电极；其中，所述公共电极线靠近所述遮光矩阵的一侧设置为凹部，且在所述像素结构的厚度方向上，所述凹部的内拐角被所述遮光矩阵覆盖。/n

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：
至少两条扫描线和至少两条数据线，所述扫描线和所述数据线交错设置围合成像素区，所述像素区包括：
像素电极，通过TFT器件连接所述扫描线和所述数据线；
遮光矩阵，设置于相邻所述像素区之间；以及，
公共电极线，至少沿所述像素电极外侧设置形成框型电极；其中，所述公共电极线靠近所述遮光矩阵的一侧设置为凹部，且在所述像素结构的厚度方向上，所述凹部的内拐角被所述遮光矩阵覆盖。


2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述凹部的外拐角在所述遮光矩阵的覆盖区之外。


3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述凹部的外拐角中任一平行于所述遮光矩阵的边，在所述遮光矩阵的覆盖区之外，其余部分位于所述遮光矩阵的覆盖区内。


4.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述内拐角为90°至180°范围内，所述外拐角为0°至90°范围内。


5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述凹部为矩形、波浪形或锯齿形截面，所述凹部垂直高度为3至20um范围内。


6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极与所述公共电极线膜层之间还设置有色阻层。...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭坤煌，曹武，俞云，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44