纳米尺度器件的制造的干涉分析制造技术

本发明专利技术的特征在于确定两坐标系之间的相对空间参数的系统和方法，这两个坐标系可以是模具和其中采用模具来生成图案的衬底。为此，感测两坐标系之间在多个点处的相对对准以确定它们之间的相对空间参数。相对空间参数包括相对面积和相对形状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
本专利技术的领域一般涉及结构的纳米制造。更具体地，本专利技术涉及有助于对适于纳米尺度器件的制造的重叠中的多个图案的分析的系统。 纳米尺度制造包括很小结构的制造，例如具有1纳米或更多的数量级的特征。用于纳米尺度制造的一种有前景的工艺称为刻印平版印刷(imprint lithography)。示例性的刻印平版印刷工艺在众多出版物中都有详细描述，如提交为美国专利申请10/264,960、题为“Method and a Mold to Arrange Features on a Substrate to ReplicateFeatures having Minimal Dimensional Variability”的美国公开专利申请2004-0065976；提交为美国专利申请10/264,926、题为“Method of Forming a Layeron a Substrate to Facilitate Fabrication of Metrology Standards”的美国公开专利申请2004-0065252；以及提交为美国专利申请10/235,314、题为“Method本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于确定两坐标系之间的相对空间参数的系统，所述系统包括：　　　　用于在多个点处感测所述两坐标系之间的相对对准并确定它们之间的相对空间参数的分析系统，且所述相对空间参数包括相对面积和相对形状。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：PK林玛卡亚拉，TH拉弗蒂，A阿格里，BJ崔，PD苏马克，DA巴布斯，VN柴斯盖特，
申请(专利权)人：分子制模股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]