【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
微机电系统器件加工中不同导电层图形间对准误差电学测试结构，器件含多层导电材料，包括硅衬底、半导体材料层以及位于最上层用于连接信号的金属材料层，各导电层之间设有绝缘层，采用逐次沉积和逐次套刻方法加工，其特征是：以金属层为基本层，设计各导电层间对准误差的测试结构，该结构中半导体层为二块分离、同一材料但不同形状图形的半导体，一块为具有二个直角、一个钝角、一个锐角的梯形，另一块为矩形，二者平行；与半导体层接触、形成连接的金属层为二根平行、有间距的金属条，其中一条垂直覆盖梯形的上、下底及矩形的二长边，另一条覆盖梯形的钝角部位及矩形的二长边且于二块半导体之间的分离区截断，两金属条和它们中间的半导体共同形成一个具有连接线的电阻，其中，整根的金属条与矩形半导体及截断在矩形半导体部分的金属条构成一个标准电阻Ｒ↓［１］，作为分析基准；整根的金属条与梯形半导体及截断在梯形半导体锐角部分的金属条形成另一个电阻Ｒ↓［２］，用于计算对准误差；当金属与半导体导电层之间存在相对偏移时，测试Ｒ↓［２］变化，得到金属层图形相对于半导体导电材料层图形的对准误差。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李伟华，钱晓霞，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]
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