基于非稳态多谐振荡器的PNP BJT型电源控制器制造技术

一种基于非稳态多谐振荡器的PNP BJT型电源控制器，包括端口Vcc、端口Vss和端口Out，还包括PNP型BJT管Q1、PNP型BJT管Q2、二极管D1、二极管D2、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、受控电流源1、受控电流源2和输出单元。所述电源控制器可与电源中的高压侧功率半导体器件相连，受控电流源的电流大小将直接影响电源中高压侧功率半导体器件的开关工作周期和占空比。本实用新型专利技术可自激运行、结构简单、利于集成、可靠性高、工作电压范围宽，特别适合较高输入电压的应用场合。

【技术实现步骤摘要】
基于非稳态多谐振荡器的PNPBJT型电源控制器
本技术涉及一种电源控制器。在非稳态多谐振荡器的基础上引入受控电流源，该电源控制器在较宽的输入电压范围内均可正常工作，不但具有调节工作频率和占空比的双重能力，而且还具有驱动功率半导体器件的能力，与变换器中高压侧(High-Side)BJT管、MOS管、IGBT管等均能匹配，特别适合较高输入电压的应用场合。该电源控制器可应用于应急电源、新能源发电、蓄电池充放电、LED驱动等领域。
技术介绍
出于对大众化市场需求及规格化的考虑，现有大部分市售的电源控制器的工作电压范围基本处于数伏至几十伏的区间内。当电源的输入电压范围与电源控制器的工作电压范围不一致时，大多会采用独立的辅助电源或非独立的辅助电源支路来为电源控制器供电，保证其能正常工作。但是，独立的辅助电源和非独立的辅助电源支路都需要占据一定的空间，同时也会增加损耗，会对整个电源的小型化和高效率化产生不良的影响。面向高输入电压的精细化需求，电源需要一种宽工作电压范围的电源控制器，其工作电压范围可覆盖电源的输入电压范围，可不再需要独立的辅助电源和非独本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于非稳态多谐振荡器的PNP BJT型电源控制器，其特征在于：所述基于非稳态多谐振荡器的PNP BJT型电源控制器包括端口Vcc、端口Vss和端口Out，还包括PNP型BJT管Q1、PNP型BJT管Q2、二极管D1、二极管D2、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、受控电流源1、受控电流源2和输出单元，所述输出单元包括端口a和端口b，PNP型BJT管Q1的发射极同时与受控电流源1的第一端口、二极管D1的阴极、二极管D2的阴极、PNP型BJT管Q2的发射极以及端口Vcc相连，PNP型BJT管Q1的基极同时与二极管D1的阳极以及电阻R1的一端相连，PNP型B...

【技术特征摘要】
1.一种基于非稳态多谐振荡器的PNPBJT型电源控制器，其特征在于：所述基于非稳态多谐振荡器的PNPBJT型电源控制器包括端口Vcc、端口Vss和端口Out，还包括PNP型BJT管Q1、PNP型BJT管Q2、二极管D1、二极管D2、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、受控电流源1、受控电流源2和输出单元，所述输出单元包括端口a和端口b，PNP型BJT管Q1的发射极同时与受控电流源1的第一端口、二极管D1的阴极、二极管D2的阴极、PNP型BJT管Q2的发射极以及端口Vcc相连，PNP型BJT管Q1的基极同时与二极管D1的阳极以及电阻R1的一端相连，PNP型BJT管Q1的集电极同时与输出单元的端口a、电阻R3的一端以及电容C1的一端相连，PNP型BJT管Q2的基极同时与二极管D2的阳极以及电阻R2的一端相连，PNP型BJT管Q2的集电极同时与电阻R5的一端以及电容C2的一端相连，电阻R1的另一端同时与电容C2的另一端以及受控电流源2的第一端口相连，电容C1的另一端同时与电阻R2的另一端、电阻R4的一端以及受控电流源1的第二端口相连，受控电流源2的第二端口同时与电阻R3的另一端、电阻R4的另一端、电阻R5的另一端以及端口Vss相连，输出单元的端口b与端口Out相连；
流入受控电流源1第一端口的电流is1影响PNP型BJT管Q2导通时电容C1的充电速度以及PNP型BJT管Q1导通时C1的放电速度，进而影响端口a的控制信号；
流入受控电流源2第一端口的电流is2影响PNP型BJT管Q2导通时电容C2的放电速度以及PNP型BJT管Q1导通时C2的充电速度，进而影响端口a的控制信号；
所述输出单元将端口a的控制信号转化为端口b的驱动信号，使所述电源控制器具有驱动功率半导体器件的能力；
所述电源控制器控制电源中功率半导体器件的开关状态，所述电源为所述电源控制器提供必要的电能，所述电源控制器的端口Vcc为供电口正端，所述电源控制器的端口Vss为供电口负端，所述电源控制器的端口Out与所述电源中功率半导体器件的控制端口相连。


2.如权利要求1所述的基于非稳态多谐振荡器的PNPBJT型电源控制器，其特征在于：由所述电源控制器组成的电源包含功率主电路和以所述电源控制器为核心的控制电路，所述功率主电路是任何包含高压侧功率半导体器件的电力电子电路。


3.如权利要求1所述的基于非稳态多谐振荡器的PNPBJT型电源控制器，其特征在于：所述受控电流源1还包括PNP型BJT管Qsa1、稳压管Zsa1和电阻Rsa1，PNP型BJT管Qsa1的发射极与受控电流源1的第一端口相连，PNP型BJT管Qsa1的集电极与所述受控电流源1的第二端口相连，PNP型BJT管Qsa1的基极与稳压管Zsa1的阴极相连，稳压管Zsa1的阳极与电阻Rsa1的一端相连，电阻Rsa1的另一端与端口Vss相连。


4.如权利要求1所述的基于非稳态多谐振荡器的PNPBJT型电源控制器，其特征在于：所述受控电流源2还包括端口Control、电阻Rsb1和NPN型BJT管Qsb1，电阻Rsb1的一端与所述受控电流源2的第一端口相连，电阻Rsb1的另一端与NPN型BJT管Qsb1的集电极相连，NPN型BJT管Qsb1的基极与端口Control相连，NPN型BJT管Qsb1的发射极与所述受控电流源2的第二端口相连，
所述端口Control与所述电源中的检测信号相连，检测信号包括电感电流的检测信号、电容电流的检测信号、负载电流的检测信号、电感电压的检测信号、电容电压的检测信号、负载电压的检测信号、输入电压的检测信号至少一种；
或者，所述端口Control与由可编程器件控制的数模转换器相连，可编程器件是单片机、DSP或FPGA。


5.如权利要求1～4之一所述的基于非稳态多谐振荡器的PNPBJT型电源控制器，其特征在于：所述输出单元还包括NPN型BJT管Qa1、PNP型BJT管Qa2、电阻Ra1、电容Ca1、二极管Da1和二极管Da2，NPN型BJT管Qa1的集电极与端口Vcc相连，NPN型BJT管Q...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈怡，杜树旺，谢路耀，周丹，
申请(专利权)人：浙江工业大学之江学院，
类型：新型
国别省市：浙江;33