【技术实现步骤摘要】
一种浪涌电流抑制电路
本技术涉及电力电子
，尤其涉及一种浪涌电流抑制电路。
技术介绍
电力电子电路中常用到大电容，如整流器的输出端并联大电容可避免电路的后级输入产生振荡并进行阻抗匹配。但是并联大电容的容量越大，电路的上电速度越快，会在上电瞬间产生很大的浪涌电流，会影响大电容的可靠性。一般会在直流母线上串联MOS管以抑制浪涌电流，但MOS管的导通时间长会导致电路的上电时间长，电路快速重复上电时可能会导致MOS管始终保持导通状态，造成浪涌抑制失败。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提出了一种浪涌电流抑制电路，以解决传统浪涌电流抑制电路导致并联大电容的电力电子电路上电时间长、会出现浪涌抑制失败的问题。本技术的技术方案是这样实现的：本技术提供了一种浪涌电流抑制电路，包括MOS管S1、三极管Q1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C2、电容C3，大电容C1并联在直流电的直流母线上，MOS管S1串联在所述直流母线上且所述直流母线的负极、MOS管S1的源极均接地，所述直流母线正极依次经电阻R1、三极管Q1的发射...
【技术保护点】
1.一种浪涌电流抑制电路，其特征在于，包括MOS管S1、三极管Q1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C2、电容C3，大电容C1并联在直流电的直流母线上，MOS管S1串联在所述直流母线上且所述直流母线的负极、MOS管S1的源极均接地，所述直流母线正极依次经电阻R1、三极管Q1的发射极、三极管Q1的集电极与MOS管S1的栅极相连，所述直流母线正极还与三极管Q1的基极相连，三极管Q1发射极、电阻R1的公共端经电容C2与MOS管S1的漏极相连，电阻R2与电容C2并联，MOS管S1的栅极还经电容C3与其源极相连，电阻R3与电容C3并联。/n
【技术特征摘要】
1.一种浪涌电流抑制电路，其特征在于，包括MOS管S1、三极管Q1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C2、电容C3，大电容C1并联在直流电的直流母线上，MOS管S1串联在所述直流母线上且所述直流母线的负极、MOS管S1的源极均接地，所述直流母线正极依次经电阻R1、三极管Q1的发射极、三极管Q1的集电极与MOS管S1的栅极相连，所述直流母线正极还与三极管Q1的基极相连，三极管Q1发射极、电阻R1的公共端经电容C2与MOS管S1的漏极相连，电阻R2与电容C2并联，MOS管S1的栅极还经电容C3与其源极相连，电阻R3与电容C3并联。
2.如权利要求1所述的浪涌电流抑制电路，其特征在于，还包括电阻R4，电阻R4接入三极管Q1集电极与MOS管S1栅极之间。
3.如权利要求1所述的浪涌电流抑制电路，其特征在于，还包括稳压管D3，MOS管S1的栅极还经稳压管D3的负极、稳压管D3的正极与其源极相连。
4.如权利要求1所述的浪...
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