一种新型高消光比单轴工作隔离器制造技术

本实用新型专利技术涉及通讯配件的结构技术领域，尤其公开了一种新型高消光比单轴工作隔离器；包括第一折射晶体、第二折射晶体以及设置于第一折射晶体和第二折射晶体之间的法拉第旋转器FR；所述法拉第旋转器FR为45°法拉第旋转器；所述第一折射晶体和第二折射晶体为光轴夹角为45度的楔形结构；且所述第一折射晶体和第二折射晶体相互倒置设置；在所述法拉第旋转器FR的外侧环绕设有磁管，所述磁管形成磁场。本实用新型专利技术的隔离器，利用隔离器本身的的光学晶体特性，将原来的磁场方向进行倒置，将输出光的两束偏振态进行拉大分开角度，不让其进行有效平行；或者在两束平行光后设置单偏振晶体，精确接收其中一路偏振态的光线，可以极大提高消光比。

【技术实现步骤摘要】
一种新型高消光比单轴工作隔离器
本技术涉及通讯配件的结构
，尤其涉及一种新型高消光比单轴工作隔离器。
技术介绍
随着高速，超高速、超宽带光网络的快速发展，其光纤通讯网络应用的光器件性能指标更加严格，性能参数要求更高。保偏隔离器为光纤传感系统只不可确少的基础器件。保偏器件正面临着巨大的市场潜力，传统工艺的保偏器件器由于其结构原因，参数一般较为普通，特别是在其般消光参数，通常只能在20dB左右，存在极大缺陷，完全不能满足特殊的应该用领域。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种结构设计新颖、通过设置单偏振晶体或者拉大两束偏振光束的夹角，再用保偏准直器进行精确接收其中一路偏振态的光线，使其达到单轴工作的目的，又能实现高消光比，低插入损耗的高标准要求的保偏器件.本技术所采取的技术方案是：一种新型高消光比单轴工作隔离器，所述隔离器包括第一折射晶体、第二折射晶体以及设置于第一折射晶体和第二折射晶体之间的法拉第旋转器FR；所述法拉第旋转器FR为45°法拉第旋转器；所述第一折射晶体和第二折射晶体为光轴夹角为45度的楔形结构；且所述第一折射晶体和第二折射晶体相互倒置设置；在所述法拉第旋转器FR的外侧环绕设有磁管，所述磁管形成磁场。进一步的是，当光束正向传输时，光束进入所述第一折射晶体后，光束被分为O光和e光，所述O光和e光的偏振方向相互垂直，其传播方向呈一夹角；当O光和e光经过45°法拉第旋转器时，出射的O光和e光的偏振面各自顺时针方向旋转45°，由于第二折射晶体的光轴相对于第一折射晶体正好呈45°夹角，所述O光和e光被第二折射晶体折射后，形成两束间距很小的平行光束。进一步的是，当光束反向传输时，所述光束先经过第二折射晶体，光束被分为O光和e光，所述O光的偏振面与第一折射晶体的光轴成45°角；此时，所述O光的振动面和e光的振动面的旋转方向由磁感应强度B确定，振动面顺时针方向旋转45°，相对于第一折射晶体的光轴共旋转90°，整个逆光路相当于经过了一个渥拉斯顿棱镜，增大了出射的两束线偏振光的夹角。进一步的是，在所述隔离器的前端设有保偏准直器，后端设有保偏准直器，所述保偏准直器。所述保偏准直器出来光束照射进入所述隔离器，所述光束方向与隔离器的磁场方向相同，即正向传输；所述光束通过所述隔离器后形成平行的两束光，所述单偏振晶体只允许通过一种偏振光，过滤其他偏振光；经过所述单偏振晶体通过的光束传输进入保偏准直器。进一步的是，在所述隔离器的前端设有保偏准直器，后端设有保偏准直器；所述保偏准直器出来光束照射进入所述隔离器，所述光束方向与隔离器的磁场方向相反，即反向传输；所述光束通过所述隔离器后形成相互夹角较大的两束光，由于该两束光夹角较大，传输方向不同，将所述保偏准直器设置于待接收的光束后方。本技术的隔离器，利用隔离器本身的的光学晶体特性，经过对磁旋光晶体的非互易性原理，将原来的磁场方向进行倒置，将输出光的两束偏振态进行拉大分开角度，不让其进行有效平行；或者在两束平行光后设置单偏振晶体，再用保偏准直器进行精确接收其中一路偏振态的光线。使其达到单轴工作的目的，可以极大提高消光比。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。图1是本技术的一种新型高消光比单轴工作隔离器的结构示意图；图2是本技术的一种新型高消光比单轴工作隔离器的光束正向传输时的结构示意图；图3是本技术的一种新型高消光比单轴工作隔离器的光束反向传输时的结构示意图。具体实施方式下面结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是本技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。如图1所示，为本技术的一种新型高消光比单轴工作隔离器的结构示意图；光隔离器是一种光非互易传输无源器件，该器件用来消除或抑制光纤信道中产生的反向光，由于这类反向光的存在，导致光路系统间将产生自耦合效应，使激光器的工作变得不稳定和产生系统反射噪声，使光纤链路上的光放大器发生变化和产生自激励，造成整个光纤通信系统无法正常工作。若在半导体激光器输出端和光放大器输入或输出端连接上光隔离器，减小反射光对LD的影响。本实用中的隔离器，包括第一折射晶体P1、第二折射晶体P2以及设置于第一折射晶体和第二折射晶体P2之间的法拉第旋转器FR；所述法拉第旋转器FR为45°法拉第旋转器；所述第一折射晶体P1和第二折射晶体P2为光轴夹角为45度的楔形结构；且所述第一折射晶体P1和第二折射晶体P2相互倒置设置；在所述法拉第旋转器FR的外侧环绕设有磁管C，所述磁管C形成磁场。如图2所示，为本技术的一种新型高消光比单轴工作隔离器的光束正向传输时的结构示意图；当光束正向传输时，光束进入所述第一折射晶体P1后，光束被分为O光和e光，所述O光和e光的偏振方向相互垂直，其传播方向呈一夹角；当O光和e光经过45°法拉第旋转器时，出射的O光和e光的偏振面各自顺时针方向旋转45°，由于第二折射晶体P2的光轴相对于第一折射晶体P1正好呈45°夹角，所述O光和e光被第二折射晶体P2折射后，形成两束间距很小的平行光束。在所述隔离器的前端设有保偏准直器Z1，后端设有保偏准直器Z2，所述保偏准直器Z2和隔离器之前还设有单偏振晶体P3；所述保偏准直器Z1出来光束照射进入所述隔离器，所述光束方向与隔离器的磁场方向相同，即正向传输；所述光束通过所述隔离器后形成平行的两束光，所述单偏振晶体P3只允许通过一种偏振光，过滤其他偏振光；经过所述单偏振晶体P3通过的光束传输进入保偏准直器Z2。因此，当光束正向传输时，通过单偏振晶体P3的设置，将两束平行光在通过单偏振晶体P3时，只保留一束光，过滤掉其他光束，消光比更高。如图3所示，为本技术的一种新型高消光比单轴工作隔离器的光束反向传输时的结构示意图；当光束反向传输时，所述光束先经过第二折射晶体P2，光束被分为O光和e光，所述O光的偏振面与第一折射晶体P1的光轴成45°角；此时，所述O光的振动面和e光的振动面的旋转方向由磁感应强度B确定，振动面顺时针方向旋转45°，相对于第一折射晶体P1的光轴共旋转90°，整个逆光路相当于经过了一个渥氏棱镜，增大了出射的两束线偏振光的夹角。在所述隔离器的前端设有保偏准直器Z1’，后端设有保偏准直器Z2’；所述保偏准直器Z1’出来光束照射进入所述隔离器，所述光束方向与隔离器的磁场方向相反，即反向传输；所述光束通过所述隔离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型高消光比单轴工作隔离器，其特征在于：/n所述隔离器包括第一折射晶体、第二折射晶体以及设置于第一折射晶体和第二折射晶体之间的法拉第旋转器FR；所述法拉第旋转器FR为45°法拉第旋转器；所述第一折射晶体和第二折射晶体为光轴夹角为45度的楔形结构；且所述第一折射晶体和第二折射晶体相互倒置设置；在所述法拉第旋转器FR的外侧环绕设有磁管，所述磁管形成磁场。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型高消光比单轴工作隔离器，其特征在于：
所述隔离器包括第一折射晶体、第二折射晶体以及设置于第一折射晶体和第二折射晶体之间的法拉第旋转器FR；所述法拉第旋转器FR为45°法拉第旋转器；所述第一折射晶体和第二折射晶体为光轴夹角为45度的楔形结构；且所述第一折射晶体和第二折射晶体相互倒置设置；在所述法拉第旋转器FR的外侧环绕设有磁管，所述磁管形成磁场。


2.根据权利要求1所述的隔离器，其特征在于：
当光束正向传输时，光束进入所述第一折射晶体后，光束被分为O光和e光，所述O光和e光的偏振方向相互垂直，其传播方向呈一夹角；当O光和e光经过45°法拉第旋转器时，出射的O光和e光的偏振面各自顺时针方向旋转45°，由于第二折射晶体的光轴相对于第一折射晶体正好呈45°夹角，所述O光和e光被第二折射晶体折射后，形成两束间距很小的平行光束。


3.根据权利要求1所述的隔离器，其特征在于：
当光束反向传输时，所述光束先经过第二折射晶体，光束被分为O光和e光，所述O光的偏振面与第一折射晶体的光轴成45°角；
此...

【专利技术属性】
技术研发人员：董鸿卫，章玲丽，陈进，董松，
申请(专利权)人：中山市鸿鑫通讯技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44