一种含有机硅烷废气废液焚烧系统及工艺技术方案

本发明专利技术公开了一种含有机硅烷废气废液焚烧系统及工艺，涉及废气、废液的焚烧处理技术领域，含有机硅烷废气废液焚烧系统，包括依次连接的一次焚烧室、二次焚烧室和尾气净化装置，含有机硅烷废气经废气预处理装置送入一次焚烧室，含有机硅烷废液经高压雾化装置送入一次焚烧室，废气预处理装置包括依次连接的喷淋水洗塔、冷凝器、水封罐和阻火器，喷淋水洗塔的废气进口Ⅰ通入外部含有机硅烷废气，废气进口Ⅱ和废气出口Ⅰ连接废气缓存罐，废气出口Ⅱ连接冷凝器，废气出口Ⅲ连接活性炭吸附罐；冷凝器另通过气体检测仪连接活性炭吸附罐。本发明专利技术采用废气预处理工艺，生产系统的稳定性得到改善，以副产物的形式回收烟气中的氯硅烷、氯化氢和二氧化硅等。

【技术实现步骤摘要】
一种含有机硅烷废气废液焚烧系统及工艺
本专利技术涉及废气、废液的焚烧处理
，尤其涉及一种含有机硅烷废气废液焚烧系统及工艺。
技术介绍
目前，国内多晶硅相关产业在生产过程中，冷氢化尾气急冷工序与精馏工序、合成尾气精馏工序、还原尾气精馏工序中都会不可避免产生部分氯硅烷残液。多晶硅生产企业在生产多晶硅原料过程中产生大量含氯硅烷、氢气、氯化氢等污染物，上述废气/废液的处理问题已成为限制多晶硅发展的瓶颈之一，国外对多晶硅氯硅烷残液中存在的高附加值组分硅烷的回收的研究相当热门而我国在此方面的研究仍处于空白阶段硅烷作为一种提供硅组分的气体源，可用于制造高纯度多晶硅、单晶硅、微晶硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅、异质硅、各种金属硅化物。硅烷广泛应用于微电子、光电子工业，用于制造太阳电池、平板显示器、玻璃和钢铁镀层。硅烷又以它特有的自燃、爆炸性而著称。硅烷有非常宽的自发着火范围和极强的燃烧能量，决定了它是一种高危险性的气体。目前处理方法主要采用淋洗塔喷淋去除大部分污染物后高空排放。由于处理方法的不完善等原因，导致现场工作环境差、污染严重，这部分残液主要由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含有机硅烷废气废液焚烧工艺，其特征在于，其具体包括如下步骤：/nS1、将含有机硅烷废气送入喷淋水洗塔内进行氯硅烷气体和氯化氢气体的吸收，经喷淋水洗塔喷淋处理后的废气通过冷凝器进行冷凝，冷凝所得的高氯硅烷等液体回收，冷凝后的废气经过水封罐和阻火器的防输送回火爆炸处理后，再送入一次焚烧炉内燃烧；与此同时含有机硅烷废液经雾化同步喷入一次焚烧炉内燃烧；其中一次焚烧炉内燃烧温度为750-850℃，烟气滞留时间为1.5-2秒；/nS2、将S1产生的烟气送入二次焚烧室内燃烧；其中二次焚烧室内燃烧温度为950-1100℃，烟气滞留时间2秒；/nS3、将S2产生的烟气送入余热锅炉进行余热回收，使烟气温度...

【技术特征摘要】
1.一种含有机硅烷废气废液焚烧工艺，其特征在于，其具体包括如下步骤：
S1、将含有机硅烷废气送入喷淋水洗塔内进行氯硅烷气体和氯化氢气体的吸收，经喷淋水洗塔喷淋处理后的废气通过冷凝器进行冷凝，冷凝所得的高氯硅烷等液体回收，冷凝后的废气经过水封罐和阻火器的防输送回火爆炸处理后，再送入一次焚烧炉内燃烧；与此同时含有机硅烷废液经雾化同步喷入一次焚烧炉内燃烧；其中一次焚烧炉内燃烧温度为750-850℃，烟气滞留时间为1.5-2秒；
S2、将S1产生的烟气送入二次焚烧室内燃烧；其中二次焚烧室内燃烧温度为950-1100℃，烟气滞留时间2秒；
S3、将S2产生的烟气送入余热锅炉进行余热回收，使烟气温度降低到550℃，烟气中的二氧化硅在余热锅炉内冷却形成灰渣回收，烟气最后经净化处理后排放。


2.根据权利要求1所述的一种含有机硅烷废气废液焚烧工艺，其特征在于，S1中的喷淋水洗塔内压力控制在1～5KPa；当喷淋水洗塔内压力达到上限时，将废气抽存到废气缓存罐内暂存，继续超压时，则将废气通入活性炭吸附罐经过吸附处理后泄压排放；当喷淋水洗塔内压力处于负压状态时，废气从废气缓存罐中返至喷淋水洗塔，继续负压时，向喷淋水洗塔内通入氮气升压。


3.根据权利要求1所述的一种含有机硅烷废气废液焚烧工艺，其特征在于，S1中经冷凝器冷凝处理后的废气进行氧含量、有机废气浓度实时检测，当氧含量低于5％或有机废气浓度低于10％时，废气正常进行后续燃烧处理；氧含量超过5％或有机废气浓度超过25％时，废气紧急自动切换通入活性炭吸附罐经...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志军，宗建勇，毛黎强，庄琴芳，黄鑫，庄琴英，
申请(专利权)人：宜兴市智博环境设备有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32