【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光装置及其制造方法
本专利技术涉及一种发光装置及其制造方法。
技术介绍
在专利文献1中记载了涉及作为发光装置的半导体发光元件的技术。该半导体发光元件具备活性层、夹持该活性层的一对包覆层、以及与该活性层光学耦合的相位调制层。相位调制层包含基本层和分别具有与基本层的折射率不同的折射率的多个不同折射率区域。在设定了以相位调制层的厚度方向为Z轴方向的XYZ正交坐标系,进一步在相当于该相位调制层的设计面的X-Y平面内设定了晶格间隔a的假想的正方晶格的情况下,不同折射率区域分别以各重心位置从假想的正方晶格中的晶格点(关联于不同折射率区域的任一者的晶格点)偏移距离r的方式配置。距离r满足0<r≤0.3a。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开第2016/148075号
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题本专利技术人们对现有的发光装置进行了研究,结果发现了以下问题。即,研究通过控制光的相位谱和强度谱来输出任意的光学图像的发光装置。作为这样的发光装置的构造之一,存在包含设置于基板上的相位调制层的构造。相位调制层包含基本层和分别具有与基本层的折射率不同的折射率的多个不同折射率区域。在正交于该相位调制层的厚度方向的面(设计面)上设定有假想的正方晶格的情况下,以对应于各重心位置分别应当输出的光学图像而从假想的正方晶格的相对应的晶格点的位置偏移的方式,分别配置有不同折射率区域。这种发光装置被称为S-iPM(Static-integrablePhaseModulatin ...
【技术保护点】
1.一种发光装置,其特征在于,/n是沿主面的法线方向以及相对于所述法线方向倾斜的倾斜方向的至少任一者的方向输出形成光学图像的光的发光装置,/n具备:/n基板,其具有所述主面;/n发光部,其设置于所述基板上;/n相位调制层,其在与所述发光部光学耦合的状态下设置于所述基板上,且包含基本层、以及具有与所述基本层的折射率不同的折射率的多个不同折射率区域,/n在正交于所述法线方向的所述相位调制层的设计面上,所述多个不同折射率区域根据用于形成所述光学图像的配置图案,配置于所述基本层中的规定位置,/n所述多个不同折射率区域的各个具有由面对所述主面的第一面、相对于所述第一面位于所述主面的相反侧的第二面、以及连接所述第一面和所述第二面的侧面规定的立体形状,/n在所述立体形状中,所述第一面、所述第二面以及所述侧面中的至少任一者包含相对于所述主面倾斜的部分。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171208 JP 2017-2362011.一种发光装置,其特征在于,
是沿主面的法线方向以及相对于所述法线方向倾斜的倾斜方向的至少任一者的方向输出形成光学图像的光的发光装置,
具备:
基板,其具有所述主面;
发光部,其设置于所述基板上;
相位调制层,其在与所述发光部光学耦合的状态下设置于所述基板上,且包含基本层、以及具有与所述基本层的折射率不同的折射率的多个不同折射率区域,
在正交于所述法线方向的所述相位调制层的设计面上,所述多个不同折射率区域根据用于形成所述光学图像的配置图案,配置于所述基本层中的规定位置,
所述多个不同折射率区域的各个具有由面对所述主面的第一面、相对于所述第一面位于所述主面的相反侧的第二面、以及连接所述第一面和所述第二面的侧面规定的立体形状,
在所述立体形状中,所述第一面、所述第二面以及所述侧面中的至少任一者包含相对于所述主面倾斜的部分。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述多个不同折射率区域分别是由所述基本层和与所述基本层接触的一个或一个以上的层规定的密闭空间,
在所述相位调制层的所述设计面上,所述多个不同折射率区域分别具有沿所述设计面上的第一方向的宽度沿与所述第一方向交叉的第二方向逐渐减小的平面形状。
3.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述多个不同折射率区域分别是由所述基本层和与所述基本层接触的一个或一个以上的层规定的密闭空间,
所述第一面的至少一部分相对于所述第二面倾斜。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的发光装置,其特征在于,
在所述相位调制层的所述设计面上,所述多个不同折射率区域分别以与假想的正方晶格的任一晶格点一对一对应的方式配置,
并且在构成所述假想的正方晶格的晶格点中的所述多个不同折射率区域所关联的多个有效晶格点中,连结任意的特定晶格点与关联于所述特定晶格点的特定不同折射率区域的重心的...
【专利技术属性】
技术研发人员:广瀬和义,黑坂刚孝,泷口优,杉山贵浩,
申请(专利权)人:浜松光子学株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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