半导体模块的接合层、半导体模块及其制造方法技术

本发明专利技术的半导体模块(10)的接合层(13)夹在电子组件(14)与基板(15)之间，且由CuSn金属间化合物构成。构成为从该接合层(13)的中心部(13a)往电子组件(14)的端部(14a，14b)的接合部(13b，13c)，Sn的组成比例增加。通过如下方法制造半导体模块(10)：使含有Cu核Sn壳粉末的膏体夹在电子组件(14)与基板(15)之间，以该夹在电子组件与基板之间的状态，在不活泼气氛或还原性气氛下，对电子组件(14)和/或基板(15)施加1MPa～30MPa的压力，并且以250℃～350℃的温度加热1分钟～10分钟，以将电子组件(14)接合于基板(15)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体模块的接合层、半导体模块及其制造方法
本专利技术涉及一种夹在半导体芯片元件、LED芯片元件等的电子组件与基板之间的半导体模块的接合层。而且，涉及使用该接合层的半导体模块及其制造方法。并且，本国际申请主张基于在2018年1月24日申请的日本专利申请第2018-009471号(专利申请2018-009471)的优先权，将专利申请2018-009471的全部内容援用于本国际申请中。
技术介绍
近年来，即使在超过200℃的高温下也操作的如SiC般的宽带隙半导体受到关注。作为在高温下操作的半导体芯片元件的接合方法，有如下称作过渡液相烧结法(TransientLiquidPhaseSintering：TLP法)的接合方法受到关注：该过渡液相烧结法使包含Cu和Sn的接合材夹在半导体芯片元件与基板之间，以比Sn的熔点高的温度进行加热，将所述接合材设为包含Cu6Sn5或Cu3Sn的组成的金属间化合物(Inter-MetallicCompound：IMC)。公开有使用通过该接合方法形成的连接层或接合剂的半导体模块的制造方法(例如，参考专利文献1及2)。...

【技术保护点】
1.一种半导体模块的接合层，夹在电子组件与基板之间，且由CuSn金属间化合物构成，其特征在于，/n构成为从所述接合层的中心部往所述电子组件的端部的接合部，Sn的组成比例增加。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180124 JP 2018-0094711.一种半导体模块的接合层，夹在电子组件与基板之间，且由CuSn金属间化合物构成，其特征在于，
构成为从所述接合层的中心部往所述电子组件的端部的接合部，Sn的组成比例增加。


2.根据权利要求1所述的半导体模块的接合层，其中，
在所述接合层的中心部中的Sn的组成比例为20质量％～50质量％，Cu的组成比例为其剩余部分，在所述电子组件的端部的接合部中的Sn的组成比例为60质量％～80质量％，Cu的组成比例为其剩余部分。


3.根据权利要求1或2所述的半导体模块的接合层，其中，
所述接合层的厚度为10μm...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩田广太郎，樋上晃裕，村冈弘树，山口朋彦，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP