使用2D金属碳化物和氮化物(MXene)的植入型器件制造技术

技术编号:25003601 阅读:80 留言:0更新日期:2020-07-24 18:03
本公开提供包含MXene材料的电极以及在神经和其他监测应用中使用本公开的电极的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用2D金属碳化物和氮化物(MXene)的植入型器件与相关申请的交叉引用本申请要求2017年9月15日提交的题为“使用2D金属碳化物和氮化物(MXene)的植入型器件”(ImplantableDevicesUsing2DMetalCarbidesandNitrides(MXenes))的美国临时申请号62/559,315的利益,所述临时申请的内容整体通过引用并入本文。
本公开涉及用于生物组织的电感应和刺激的电极。
技术介绍
用于记录和刺激身体电活动的传统植入型器件利用使用诸如铂、铱、不锈钢等的材料的基于金属的组件来制造。然而,这些金属可能与生物组织的电性质、机械性质和化学性质匹配不良,并对这些器件的长期植入和功能性造成几个问题,包括瘢痕、炎症、退化和疲劳。此外,金属的电化学阻抗和电荷储存能力通常不足以实现良好品质的记录和刺激性能。例如,目前用于神经接口的大多数导电材料产生的微尺度电极具有大大高于出于某些目的可能是理想的或可接受的范围的阻抗。所述高阻抗导致显著的噪声干扰以及不足以分辨哪个信号来自于哪个单个神经元的信噪比(S本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电极,其包含暴露的接触表面,所述暴露的接触表面包含接触材料,所述接触材料包含MXene。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170915 US 62/559,3151.一种电极,其包含暴露的接触表面,所述暴露的接触表面包含接触材料,所述接触材料包含MXene。


2.根据权利要求1所述的电极,其中所述MXene选自Ti2C、Mo2C和Ti3C2。


3.根据权利要求1所述的电极,其中所述暴露的接触表面的宽度小于100μm。


4.根据权利要求1所述的电极,其中所述暴露的接触表面的宽度小于50μm。


5.根据权利要求1所述的电极,其中所述暴露的接触表面的宽度小于10μm。


6.根据权利要求1所述的电极,其中所述暴露的接触表面的宽度小于1μm。


7.根据权利要求1-6中任一项所述的电极,其中设计所述暴露的接触表面的形状以穿透单个神经纤维。


8.根据权利要求1-7中任一项所述的电极,其中当垂直于所述暴露的接触表面测量时,所述电极对波长为400nm的光至少40%透明。


9.根据权利要求8所述的电极,其中当垂直于所述暴露的接触表面测量时,所述电极对波长为400nm的光至少90%透明。


10.根据权利要求1-9中任一项所述的电极,其中所述接触材料还包含导电聚合物。


11.根据权利要求10所述的电极,其中所述导电聚合物是聚噻吩。


12.根据权利要求10所述的电极,其中所述导电聚合物选自:聚(3,4-乙撑二氧噻吩),聚(3,4-乙撑二氧噻...

【专利技术属性】
技术研发人员:弗拉维亚·维塔尔布莱恩·利特尼科莱特·德里斯科尔尤里·戈高齐斯巴巴克·阿纳索里凯瑟琳·马莱斯基
申请(专利权)人:宾夕法尼亚大学理事会德雷塞尔大学
类型:发明
国别省市:美国;US

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