二倍频装置及方法制造方法及图纸

技术编号:25001490 阅读:290 留言:0更新日期:2020-07-24 18:02
一种二倍频装置及方法,所述二倍频装置包含:二倍频产生电路及工作周期调整电路。二倍频产生电路包含:多工器、可变延迟电路及除二电路。多工器根据选择信号选择互为反相的第一及第二时钟信号其中之一输出,以产生二倍频时钟信号。可变延迟电路将二倍频时钟信号延迟预设时间。除二电路对二倍频时钟信号进行除频产生选择信号。工作周期调整电路包含:平均电压产生电路及比较电路。平均电压产生电路产生二倍频时钟信号的平均电压值。比较电路根据平均电压值以及参考电压的比较结果产生控制信号,以控制延迟时间,进一步控制二倍频时钟信号的工作周期。

【技术实现步骤摘要】
二倍频装置及方法
本专利技术涉及一种二倍频技术,且特别涉及一种二倍频装置及方法。
技术介绍
一般而言,两倍频器可由锁相回路(phaselockloop;PLL)来实现,此方法虽然可以精确地产生两倍频的时钟信号,但是其瞬时时间可能会和理想的时间有些微的差异,通常称为抖动(jitter)。为了使得锁相回路所产生的时钟信号有较小的抖动,通常需要使用较低噪声的电源或是增加电路的耗电以降低锁相回路本身所产生的噪声。所以在应用上会需要较高的成本或耗电,或两者皆具。因此,如何设计一个新的二倍频装置及方法,以解决上述的缺失,乃为此一业界亟待解决的问题。
技术实现思路

技术实现思路
旨在提供本公开内容的简化摘要,以使阅读者对本公开内容具备基本的理解。此
技术实现思路
并非本公开内容的完整概述,且其用意并非在指出本专利技术实施例的重要/关键元件或界定本专利技术的范围。本
技术实现思路
的一目的在于提供一种二倍频装置及方法,借此改善现有技术的问题。为达上述目的,本
技术实现思路
的一技术实施方式涉及一种二倍频装置,包含:二倍频产本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二倍频装置,包含:/n一二倍频产生电路,包含:/n一多工器,配置以接收并根据一选择信号选择互为反相的一第一时钟信号以及一第二时钟信号其中之一输出,以产生频率为该第一时钟信号以及该第二时钟信号的两倍的一二倍频时钟信号;/n一可变延迟电路,配置以将该二倍频时钟信号延迟一预设时间;及/n一除二电路,配置以对延迟的该二倍频时钟信号进行除频,以产生该选择信号;以及/n一工作周期调整电路,包含:/n一平均电压产生电路,配置以接收该二倍频时钟信号,以产生该二倍频时钟信号的一平均电压值;及/n一比较电路,配置以接收该平均电压值以及一参考电压,以根据该平均电压值以及该参考电压的比较结果产生一控制信号,以...

【技术特征摘要】
20190117 TW 1081018751.一种二倍频装置,包含:
一二倍频产生电路,包含:
一多工器,配置以接收并根据一选择信号选择互为反相的一第一时钟信号以及一第二时钟信号其中之一输出,以产生频率为该第一时钟信号以及该第二时钟信号的两倍的一二倍频时钟信号;
一可变延迟电路,配置以将该二倍频时钟信号延迟一预设时间;及
一除二电路,配置以对延迟的该二倍频时钟信号进行除频,以产生该选择信号;以及
一工作周期调整电路,包含:
一平均电压产生电路,配置以接收该二倍频时钟信号,以产生该二倍频时钟信号的一平均电压值;及
一比较电路,配置以接收该平均电压值以及一参考电压,以根据该平均电压值以及该参考电压的比较结果产生一控制信号,以控制该可变延迟电路的一延迟时间,进一步控制该二倍频时钟信号的一工作周期。


2.如权利要求1所述的二倍频装置,其中该除二电路包含具有一负反馈结构的一数据触发器。


3.如权利要求1所述的二倍频装置,其中该二倍频时钟信号的连续的一第一正缘、一第二正缘、一第三正缘以及一第四正缘分别是由该多工器选择该第一时钟信号的一第一时钟信号正缘、该第二时钟信号的一第一时钟信号正缘、该第一时钟信号于该第一时钟信号正缘后的一第二时钟信号正缘以及该第二时钟信号于该第二时钟信号正缘后的一第二时钟信号正缘产生。


4.如权利要求1所述的二倍频装置,其中该平均电压产生电路包含:
一电阻,包含用以接收该二倍频时钟信号的一第一端以及用以产生该平均电压值的一第二端;以及
一电容,电性耦接于该电阻的该第二端以及一接地电位间。


5.如权利要求1所述的二倍频装置,其中该控制信号为一电压信号,且该电压信号进一步提供至该多工器以及该除二电路,以使该多工器以及该除二电路根据该电压信号运行。


6.如权利要求1所述的二倍频装置,其中该二倍频时钟信号具有一高态电压准位,该参考电压的大小与该高态电压准位的一相对关系决定该二倍频时钟信号的该工作周期。


7.如权利要求6所述的二倍频装置,其中当该第一时钟信号以及该第二时钟信号的该工作周期为50%,且该参考电压为该高态电压准位的一半时,该控制信号使...

【专利技术属性】
技术研发人员:李安明林嘉亮涂祐豪陈育祥
申请(专利权)人:瑞昱半导体股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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