一种Nand Flash存储器的管理方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及存储介质领域，公开了一种Nand Flash存储器的管理方法和装置。方法包括，获取存储区中入队指针指向的数据块位置，其中，储存区包括数据区和独立备份块，数据区包括至少一个数据块，入队指针指向数据区的起始数据块，出队指针指向数据区的结束数据块，独立备份块位于起始数据块之前；根据入队指针指向的数据块位置，将数据写入相应的数据块中；确认数据写入是否成功；如果数据写入成功，则分别将入队指针和出队指针向前移动一个数据块，由此能够保证数据的完整性和安全性。

【技术实现步骤摘要】
一种NandFlash存储器的管理方法和装置
本专利技术涉及存储介质领域，特别是涉及一种NandFlash存储器的管理方法和装置。
技术介绍
在设备应用中，需要保存大量的历史记录数据(包括充电账单、操作记录、告警记录等)，方便设备运营方进行数据核对和管理。目前设备中存储器件类型主要是包括：E2prom和Nandflash；E2prom属于电可擦除器件，可进行反复快速编程，但是价格昂贵，容量小，不合适保存大量记录数据；Nandflash属于非易失闪存器件，每次编程都需要按照扇区进行擦除，然后才能编程，操作速度慢，但是价格低廉，容量大，目前广泛应用于设备的记录存储。对于Nandflash的数据存储，具有在读写之前必须重新进行块擦除，才能进行写入的特性，就决定了会有数据丢失。针对该问题传统的处理方式是在擦除之前，把块数据全部读出来，存入缓存中，等待该快擦除之后，进行写操作时，在从缓存写入块中，这样循环的进行块擦除，数据拷贝，很容易造成块损坏，而导致数据丢失，出现坏块，很容易导致数据丢失，具有极大的数据完整性和安全性风险。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种NandFlash存储器的管理方法和装置，能够保证数据的完整性和安全性。第一方面，本专利技术实施例提供了一种NandFlash存储器的管理方法，所述方法包括：获取存储区中入队指针指向的数据块位置，其中，所述储存区包括数据区和独立备份块，所述数据区包括至少一个数据块，所述入队指针指向所述数据区的起始数据块，出队指针指向所述数据区的结束数据块，所述独立备份块位于所述起始数据块之前；根据所述入队指针指向的数据块位置，将数据写入相应的数据块中；确认数据写入是否成功；如果数据写入成功，则分别将所述入队指针和所述出队指针向前移动一个数据块。在一些实施例中，所述确定数据写入是否成功，包括：读取所述数据块中的数据；若读取的数据和写入的数据一致，则确定数据写入成功；若读取的数据和写入的数据不同，则确定数据写入失败。在一些实施例中，所述方法还包括：如果数据写入失败，则将所述入队指针向前移动一个数据块。在一些实施例中，所述所述如果数据写入失败，所述方法还包括：获取数据写入失败的所述数据块的地址信息；将所述地址信息写入坏块检测表中，并更新所述坏块检测表。在一些实施例中，所述方法还包括：利用所述入队指针查询所述数据区中最新写入的数据。在一些实施例中，所述方法还包括：利用所述出队指针查询所述数据区中最早写入的数据。在一些实施例中，所述方法还包括：预先建立入队指针和出队指针，所述入队指针和所述出队指针用于查询管理；预先建立坏块检测表，所述坏块检测表用于作为坏块的检查记录表。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种NandFlash存储器的管理装置，所述装置包括：获取模块，用于获取存储区中入队指针指向的数据块位置，其中，所述储存区包括数据区和独立备份块，所述数据区包括至少一个数据块，所述入队指针指向所述数据区的起始数据块，出队指针指向所述数据区的结束数据块，所述独立备份块位于所述起始数据块之前；写入模块，用于根据所述入队指针指向的数据块位置，将数据写入相应的数据块中；确定模块，用于确认数据写入是否成功；移动模块，用于如果数据写入成功，则分别将所述入队指针和所述出队指针向前移动一个数据块。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种电子设备，包括：至少一个处理器；以及，与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行上述NandFlash存储器的管理方法。第四方面，本专利技术实施例还提供了一种非易失性计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，当所述计算机可执行指令被处理器所执行时，使所述处理器执行上述NandFlash存储器的管理方法。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术实施例中的NandFlash存储器的管理方法和装置，通过将NandFlash存储器划分为数据区和独立数据区,数据区包括至少一个数据块，独立数据区包括至少一个独立备份块,通过将众多连续的数据块作为一个块队列，获取存储区中入队指针指向的数据块位置，并根据所述入队指针指向的数据块位置，将数据写入相应的数据块中，接着判断数据写入是否成功，如果数据写入成功，则分别将所述入队指针和所述出队指针向前移动一个数据块，等待下一次数据写入，由于每个数据块都是按照队列模式进行循环擦除，读写，所以数据块擦除次数均等，使得NandFlash存储器单个坏块几率更小,由此能够保证数据的完整性和安全性。附图说明一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。图1是本专利技术一个实施例中NandFlash存储器的管理方法的流程示意图；图2是本专利技术一个实施例中数据区和独立数据区的结构示意图；图3是本专利技术一个实施例中确定数据是否写入成功的流程示意图；图4是本专利技术一个实施例中数据写入失败的结构示意图；图5是本专利技术一个实施例中将地址信息写入坏块检测表中的结构示意图；图6是本专利技术一个实施例中进行数据查找的结构示意图；图7是本专利技术一个实施例中NandFlash存储器的管理装置的结构示意图；图8是本专利技术一个实施例中电子设备的硬件结构示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，如果不冲突，本专利技术实施例中的各个特征可以相互结合，均在本专利技术的保护范围之内。另外，虽然在装置示意图中进行了功能模块划分，在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于装置中的模块划分，或流程图中的顺序执行所示出或描述的步骤。再者，本专利技术所采用的“第一”、“第二”、“第三”等字样并不对数据和执行次序进行限定，仅是对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分。如图1所示，本专利技术实施例提供了一种NandFlash存储器的管理方法，所述方法包括：步骤102，获取存储区中入队指针指向的数据块位置，其中，所述储存区包括数据区和独立备份块，所述数据区包括至少一个数据块，所述入队指针指向所述数据区的起始数据块，出队指针指向所述数据区的结束数据块，所述独本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Nand Flash存储器的管理方法，其特征在于，所述方法包括：/n获取存储区中入队指针指向的数据块位置，其中，所述储存区包括数据区和独立备份块，所述数据区包括至少一个数据块，所述入队指针指向所述数据区的起始数据块，出队指针指向所述数据区的结束数据块，所述独立备份块位于所述起始数据块之前；/n根据所述入队指针指向的数据块位置，将数据写入相应的数据块中；/n确认数据写入是否成功；/n如果数据写入成功，则分别将所述入队指针和所述出队指针向前移动一个数据块。/n

【技术特征摘要】
1.一种NandFlash存储器的管理方法，其特征在于，所述方法包括：
获取存储区中入队指针指向的数据块位置，其中，所述储存区包括数据区和独立备份块，所述数据区包括至少一个数据块，所述入队指针指向所述数据区的起始数据块，出队指针指向所述数据区的结束数据块，所述独立备份块位于所述起始数据块之前；
根据所述入队指针指向的数据块位置，将数据写入相应的数据块中；
确认数据写入是否成功；
如果数据写入成功，则分别将所述入队指针和所述出队指针向前移动一个数据块。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定数据写入是否成功，包括：
读取所述数据块中的数据；
若读取的数据和写入的数据一致，则确定数据写入成功；
若读取的数据和写入的数据不同，则确定数据写入失败。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
如果数据写入失败，则将所述入队指针向前移动一个数据块。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述如果数据写入失败，所述方法还包括：
获取数据写入失败的所述数据块的地址信息；
将所述地址信息写入坏块检测表中，并更新所述坏块检测表。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
利用所述入队指针查询所述数据区中最新写入的数据。


6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
利用所述出队...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢爱明，邓应如，汤奇龙，
申请(专利权)人：深圳天岳创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44