CPLD逻辑单元阵列的供电结构制造技术

本发明专利技术提供一种CPLD逻辑单元阵列的供电结构，包括：电源金属线网格以及两个LDO电路，两个所述LDO电路具有相同的电路结构和器件参数，其中，所述电源金属线网格与CPLD逻辑单元阵列具有相对应的分布结构，用于形成所述CPLD逻辑单元阵列的供电电流路径；两个所述LDO电路，用于提供所述CPLD逻辑单元阵列的工作电压，每个所述LDO电路的输出端分别连接至所述电源金属线网格的左右两侧中的一侧，以便从左右两侧同时对CPLD逻辑单元阵列进行供电。本发明专利技术能够克服CPLD逻辑单元阵列不同位置的供电电压分布不均匀的问题。

【技术实现步骤摘要】
CPLD逻辑单元阵列的供电结构
本专利技术涉及CPLD
，尤其涉及一种CPLD逻辑单元阵列的供电结构。
技术介绍
CPLD是复杂可编程逻辑器件(ComplexProgrammableLogicDevice)的简称，是一种可以根据需求自行设计功能的集成电路，在交换机、互联网通信领域具有广泛的应用前景。CPLD内部的逻辑单元阵列呈网格状分布，相应的，CPLD内部的电源走线也呈网格状分布。目前，CPLD常用的供电方式是采用单个LDO电路对CPLD逻辑单元阵列供电，但是这种供电方式，在CPLD逻辑单元阵列的不同位置，供电电压会有比较大的差异，尤其是从供电入口到最远端，会产生非常大的压降，这种压降导致距离供电入口最远端的个别逻辑单元供电电压偏低，从而影响CPLD的性能。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种CPLD逻辑单元阵列的供电结构，能够克服CPLD逻辑单元阵列不同位置的供电电压分布不均匀的问题。本专利技术提供一种CPLD逻辑单元阵列的供电结构，包括：电源金属线网格以及两个LDO电路，两个所述LD本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CPLD逻辑单元阵列的供电结构，其特征在于，包括：电源金属线网格以及两个LDO电路，两个所述LDO电路具有相同的电路结构和器件参数，其中，/n所述电源金属线网格与CPLD逻辑单元阵列具有相对应的分布结构，用于形成所述CPLD逻辑单元阵列的供电电流路径；/n两个所述LDO电路，用于提供所述CPLD逻辑单元阵列的工作电压，每个所述LDO电路的输出端分别连接至所述电源金属线网格的左右两侧中的一侧，以便从左右两侧同时对CPLD逻辑单元阵列进行供电。/n

【技术特征摘要】
1.一种CPLD逻辑单元阵列的供电结构，其特征在于，包括：电源金属线网格以及两个LDO电路，两个所述LDO电路具有相同的电路结构和器件参数，其中，
所述电源金属线网格与CPLD逻辑单元阵列具有相对应的分布结构，用于形成所述CPLD逻辑单元阵列的供电电流路径；
两个所述LDO电路，用于提供所述CPLD逻辑单元阵列的工作电压，每个所述LDO电路的输出端分别连接至所述电源金属线网格的左右两侧中的一侧，以便从左右两侧同时对CPLD逻辑单元阵列进行供电。


2.根据权利要求1所述的CPLD逻辑单元阵列的供电结构，其特征在于，所述LDO电路的平均输出电流大于CPLD逻辑单元阵列的最大工作电流，以使任意一个所述LDO电路足以满足CPLD逻辑单元阵列的供电需求。


3.根据权利要求1所述的CPLD逻辑单元阵列的供电结构，其特征在于，所述LDO电路包括：差分放大器、功率MOS晶体管、第一电阻和第二电阻，其中，所述第一电阻和所述第二电阻串联于所述功率MOS晶体管的漏极与地之间，所述差分放大器的反相输入端连接于所述第一电阻和所述第二电阻之间，所述差分放大器的同相输入端输...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩建国，
申请(专利权)人：深圳市紫光同创电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44