一种锗基底8-12um红外窗口片及其制备方法技术

本发明专利技术属于光学薄膜领域，具体涉及一种锗基底8‑12um红外窗口片及其制备方法。窗口片以单晶锗为基底，基底的两侧均镀有单层的增透膜结构，两侧膜结构的入射角均定义为0°±10°。其制备方法是先对基片进行擦拭放置到镀膜机中，再将增透膜材料预熔，再采用真空热蒸发法进行镀膜，单晶锗基底的两侧分别镀有1层增透膜结构，增透膜为硫化锌材料时膜层厚度为1.083‑1.162um，增透膜为KRS‑6材料时膜层厚度为1.090‑1.145um。该窗口片可应用到8‑12um红外探测系统中，也可以用到夜视仪中，因其镀膜设计简单，镀膜材料选择普通，膜层牢固度高等优点，大大降低了窗口片制作的周期与成本。

【技术实现步骤摘要】
一种锗基底8-12um红外窗口片及其制备方法
本专利技术属于光学薄膜领域，具体涉及一种锗基底8-12um红外窗口片及其制备方法。
技术介绍
8-12um红外窗口片是一种常用的红外无源器件，用于隔离探测器内部系统与外界环境。目前实际应用中基底材料的选择、增透膜材料的选择制约着窗口片制作的周期与成本，常规红外增透膜一般选择锗和氟化镱做为高低折射率材料，设计层数为6-8层，厚度3-4um，如2018年10月9日公开的CN108627889，一种锗基底宽光谱红外增透光学窗口，透过率在94%左右，而且需要在基底的两个表面分别沉积8层非规整的膜层，膜层较多，厚度更厚，制备成本高，生产时间长，不利于大范围推广。
技术实现思路
专利技术目的：本专利技术的目的在于降低制作8-12um红外窗口片生产成本，致力于提供一种性价比低廉、透射率高的锗基底8-12um红外窗口片及其制备方法。技术方案：本专利技术是通过以下技术方案来实现的：一种锗基底8-12um红外窗口片，窗口片以单晶锗为基底，基底的两侧均镀有单层的增透膜结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种锗基底8-12um红外窗口片，其特征在于：窗口片以单晶锗为基底，基底的两侧均镀有单层的增透膜结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种锗基底8-12um红外窗口片，其特征在于：窗口片以单晶锗为基底，基底的两侧均镀有单层的增透膜结构。


2.根据权利要求1所述的一种锗基底8-12um红外窗口片，其特征在于：增透膜为硫化锌材料时膜层厚度为1.083-1.162um，增透膜为KRS-6材料时膜层厚度为1.090-1.145um。


3.根据权利要求1所述的一种锗基底8-12um红外窗口片，其特征在于：红外窗口片平均透射率大于95%，极值透过率大于98%。


4.根据权利要求1所述的一种锗基底8-12um红外窗口片，其特征在于：单晶锗的厚度范围是直径10-30毫米，厚度1-2毫米。


5.根据权利要求1所述的一种锗基底8-12um红外窗口片，其特征在于：窗口片两侧的增透膜结构的入射角均定义为0°±10°之间。


6.一种锗基底8-12um红外窗口片的制备方法，其特征在于：该方法包括：
步骤一：基片准备：对单晶锗表面进行擦拭，擦拭后的镜片放入片托中，片托放入镀膜机工件盘上；
步骤二：镀前准备：将增透膜材料放置在热蒸发坩埚中，将真空室本底抽真空，预熔增透膜材料为熔融状态；
步骤三：镀膜：采用真空热蒸发法进行镀膜；
单晶锗基底的两侧分别镀有1层增透膜结构，双面镀膜；
设置镀膜厚度，增透膜为硫化锌材料时膜层厚度为1.083-1.162um，增透膜为KRS-6材料时膜层厚度为1.090-1.145um。


7.根据权利要求6所述的一种锗基底8-12u...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜海，侯强，刘瑞斌，
申请(专利权)人：沈阳北理高科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21