【技术实现步骤摘要】
闪烁晶体和包括其的测井设备和医学成像设备本申请为申请日为2016年2月15日、申请号为201680010159.9、专利技术名称为“包括共掺杂卤化钠的闪烁晶体和包括所述闪烁晶体的辐射检测设备”的专利技术专利申请的分案申请。
本公开涉及包括稀土卤化物的闪烁晶体以及包括这类闪烁晶体的辐射检测设备。
技术介绍
NaI:Tl为极常见并且熟知的闪烁晶体。期望对NaI:Tl闪烁晶体的进一步改进。
技术实现思路
本申请提供了一种闪烁晶体，其包含NaX:Tl,Me，其中：X表示卤素；Me表示第1族元素、第2元素族、稀土元素或其任何组合；Tl和Me中的每一种具有至少1×10-5mol％的掺杂剂浓度；并且所述闪烁晶体具有包括以下的性质：在662keV、22℃和1微秒积分时间下测量时，小于6.4％的能量分辨率；或小于具有NaX:Tl组成的另一种闪烁晶体的脉冲衰减时间。本申请提供了一种闪烁晶体，其包含NaX:Tl,Sr，其中：X表示卤素；并且Tl和S...
【技术保护点】
1.一种闪烁晶体，其包含NaX:Tl,RE，其中：/nX表示卤素；/nRE为Sc,Y,Lu,Yb或其任意组合；/nTl具有1×10
【技术特征摘要】
20150216 US 62/116,7341.一种闪烁晶体，其包含NaX:Tl,RE，其中：
X表示卤素；
RE为Sc,Y,Lu,Yb或其任意组合；
Tl具有1×10-5mol％至0.2mol％范围内的掺杂剂浓度；且
RE具有1×10-5mol％至9mol％范围内的掺杂剂浓度；并且
所述闪烁晶体具有包括如下的性能：
在不大于430nm的波长下的发射最大值。
2.根据权利要求1所述的闪烁晶体，其中RE具有至少1×10-4mol％的掺杂剂浓度。
3.根据权利要求1所述的闪烁晶体，其中X为I和Br的组合。
4.根据权利要求1所述的闪烁晶体，其中X为I。
5.一种方法，其包含：
提供根据权利要求1所述的闪烁晶体；
捕获在所述闪烁晶体内的辐射；
确定所述捕获的辐射的脉冲衰减时间和实际光输出；
确定对应于所述脉冲衰减时间的估算的光输出；并且
计算调节的光输出，所述调节的光输出为所述实际光输出与NaX:Tl的所述光输出除以所述估算的光输出相乘的乘积。
6.一种闪烁晶体，其包含NaX:Tl,Me2+和RE，其中：
X表示卤素；
Me2+表示二价金属元素；
RE表示稀土元素；
Tl具有1×10-5mol％至0.2mol％范围内的掺杂剂浓度；
Me2+具有的掺杂剂浓度大于T1的掺杂剂浓度；且
其中在所述闪烁晶体和NaI:Tl晶体在22℃下测量并且暴露于具有662keV能量的γ辐射时，所述闪烁晶体具有比所述NaI:Tl晶体的脉冲衰减时间小至少5％的脉冲衰减时间。
7.根据权利要求6所述的闪烁晶体，其中Me2+为Sr，且具有不大于0.9mol％的浓度。
8.根据权利要求6所述的闪烁晶体，所述闪烁晶体具有在662keV、22℃和1微秒积分时间下测量时，低于6.4％的能量分辨率。
9.一种闪烁晶体，其包含NaX:Tl,Me2+和RE，其中：
X表示卤素；
Me2+表示二价金属元素；
RE表示稀土元素；
Tl具有1×10-5mol％至0.2mol％范围内的掺杂剂浓度；
Me2+:Tl的比例为1.5至7.0的范围；并且
其中在所述闪烁晶体和NaI:Tl晶体在22℃下测量并且暴露于具有662keV能量的γ辐射时，所述闪烁晶体具有比所述NaI:Tl晶体的脉冲衰减时间小至少5％的脉冲衰减时间。
10.根据权利要求9所述的闪烁晶体，其中Me2+具有不大于5mol％的浓度。
11.根据权利要求9所述的闪烁晶体，其中在所述闪烁晶体和所述NaI:Tl晶体在662keV、22℃和1微秒积分时间下测量时，所述闪烁晶体具有低于6.4％的能量分辨率。
12.根据权利要求9所述的闪烁晶体，其中在32keV到...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨侃，P·R·蒙格，J·M·弗兰克，
申请(专利权)人：圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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