一种大量程同位素液位检测合成电路制造技术

本发明专利技术涉及连续液位检测，具体涉及一种大量程同位素液位检测合成电路，包括光电耦合器U1和施密特反相器U2A，光电耦合器U1输入端通过限流电阻R9与单向引导信号二极管一端相连，单向引导信号二极管另一端通过对应悬空保护电阻接地，悬空保护电阻与单向引导信号二极管之间接入料位探测器输入信号，光电耦合器U1输出端与施密特反相器U2A相连；本发明专利技术提供的技术方能够有效克服现有技术所存在的无法检测大量程连续液位的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种大量程同位素液位检测合成电路
本专利技术涉及连续液位检测，具体涉及一种大量程同位素液位检测合成电路。
技术介绍
工业生产过程中，液位的测量几乎遍及生产过程的各个环节。有些液位测量不但精度要求高，还需要测量仪表很好地适应工业现场的特殊环境及技术要求，例如高温、高压、强腐蚀性、强放射性、非接触、大量程连续、远距离传送等，测量的方法有浮子、钢带、电容、光纤、超声波、雷达、同位素等，但均归属为接触式与非接触式两类，需要根据客观条件及技术状况进行选择。本专利技术针对非接触式的同位素液位检测技术的特定应用，适应大量程连续液位的检测需求。流程工艺由于介质高温高压腐蚀等诸多因素，限定了一些现场工艺设备必须采用基于同位素辐射吸收衰减的非接触式液位测量。由于光电激发晶体的物理尺寸限制，目前我们能够实现3米以下的液位高度直接测量，这个量程已经能够满足绝大多数的应用需求。但在氧化铝、煤化工等流程工艺中，检测量程需求可高达20米以上连续检测，而且由于高温高压易燃的因素，同位素是唯一的检测方法，没有替代。所以，如何在技术上实现多探测器合成连续液位可信检测具有实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大量程同位素液位检测合成电路，其特征在于：包括光电耦合器U1和施密特反相器U2A，所述光电耦合器U1输入端通过限流电阻R9与单向引导信号二极管一端相连，所述单向引导信号二极管另一端通过对应悬空保护电阻接地，所述悬空保护电阻与单向引导信号二极管之间接入料位探测器输入信号，所述光电耦合器U1输出端与施密特反相器U2A相连。/n

【技术特征摘要】
1.一种大量程同位素液位检测合成电路，其特征在于：包括光电耦合器U1和施密特反相器U2A，所述光电耦合器U1输入端通过限流电阻R9与单向引导信号二极管一端相连，所述单向引导信号二极管另一端通过对应悬空保护电阻接地，所述悬空保护电阻与单向引导信号二极管之间接入料位探测器输入信号，所述光电耦合器U1输出端与施密特反相器U2A相连。


2.根据权利要求1所述的大量程同位素液位检测合成电路，其特征在于：所述单向引导信号二极管包括D1-D8，所述悬空保护电阻包括R1-R8，所述料位探测器输入信号包括CH1-CH8。


3.根据权利要求2所述的大量程同位素液位检测合成电路，其特征在于：所述单向引导信号二极管、悬空保护电阻、料位探测器输入信号的接入一一对应。


4.根据权利要求2所述的大量程同位素液位检测合成电路，其特征在于：所述悬空保护电阻R1-R8均为10kΩ。


5.根据权利要求2所述的大量程同位素液位检测合成电路，其特征在于：所述料位探测器输入信号CH1-CH8经过光电转换处理后的液位脉冲信号幅...

【专利技术属性】
技术研发人员：池志才，
申请(专利权)人：上海树诚实业有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31