一种抗污染多肽、其修饰的神经电极及修饰方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种抗污染多肽、其修饰的神经电极及修饰方法和应用。所述抗污染多肽包括依次相连的连接段、支撑段、抗蛋白吸附段和神经元粘附段；所述抗蛋白吸附段包括两性离子型的多肽片段。所述抗污染多肽通过两性离子型的多肽片段带电荷的侧基与水分子之间的静电相互作用，降低了神经电极表面对溶酶素﹑纤维蛋白原、免疫球蛋白G和人血清白蛋白等常见蛋白的吸附性，同时通过所述连接段、支撑段、抗蛋白吸附段和神经元粘附段之间相互配合，保障了多肽抗蛋白污染的功能，增加了修饰表面对神经元细胞的粘附，有效提高神经电极在生物环境下长期信号调控和测量的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种抗污染多肽、其修饰的神经电极及修饰方法和应用
本专利技术属于神经生物材料与表面修饰领域，具体涉及一种具有抗蛋白吸附能力的神经电极，尤其涉及一种抗污染多肽、其修饰的神经电极及修饰方法和应用。
技术介绍
大脑是我们人体最复杂和最精密的器官，人体的各种功能依靠神经元的电活动精确地控制，因此长期有效地记录或调节神经元电活动并对其进行分析，是神经科学基础研究和脑疾病研究的重要基础。神经电极是一种记录神经元电活动的重要方法，其微机械化的多通道电极阵列可直接植入体内，进而实现外周和中枢神经系统神经元的刺激和记录功能。然而，当电极植入到体内与生物环境直接接触时，也会产生一系列的问题，如生物相容性、力学性能不匹配、绝缘层变性等。近年来，通过减小电极尺寸，改良电极材料等方法，神经电极的应用得到了广泛的拓展，但是其长期可靠性仍然是制约的瓶颈。电极植入所带来的异物免疫反应逐步破坏了电极的性能，成为神经电极走向真正应用的最大障碍。异物免疫反应通常呈现两个不同的阶段。电极植入后立即进入急性期，导致血脑屏障破坏，血液中的蛋白﹑生物因子以及细胞进入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗污染多肽，其特征在于，所述抗污染多肽包括依次相连的连接段、支撑段、抗蛋白吸附段和神经元粘附段；/n所述抗蛋白吸附段包括两性离子型的多肽片段。/n

【技术特征摘要】
1.一种抗污染多肽，其特征在于，所述抗污染多肽包括依次相连的连接段、支撑段、抗蛋白吸附段和神经元粘附段；
所述抗蛋白吸附段包括两性离子型的多肽片段。


2.根据权利要求1所述的抗污染多肽，其特征在于，所述连接段、支撑段、抗蛋白吸附段和神经元粘附段为修饰或未修饰的多肽片段；
优选地，所述抗蛋白吸附段的多肽序列包括XKXKXK，其中X选自谷氨酸和/或天冬氨酸；
优选地，所述抗蛋白吸附段的多肽序列包括EKEKEK、DKDKDK、EKDKEK或DKEKEK中的任意一种或至少两种的组合。


3.根据权利要求1或2所述的抗污染多肽，其特征在于，所述连接段的多肽序列包括半胱氨酸；
优选地，所述支撑段的多肽序列包括至少三个脯氨酸；
优选地，所述支撑段的多肽序列包括PPPP；
优选地，所述神经元粘附段包括层粘连蛋白α1链中的功能化片段，所述功能化片段通过含有β1亚基的整合素受体粘附神经元细胞；
优选地，所述神经元粘附段的多肽序列包括IKVAV；
优选地，所述抗污染多肽还使用乙酰基对半胱氨酸的N端进行修饰；
优选地，所述抗污染多肽的序列为Acetyl-C-PPPP-XKXKXK-IKVAV，其中X选自谷氨酸和/或天冬氨酸。


4.一种利用如权利要求1-3任一项所述的抗污染多肽修饰得到的神经电极。


5.如权利要求4所述的神经电极，其特征在于，所述神经电极包括植入式神经电极和/或皮层神经电极；
优选地，所述神经电极包括柔性神经电极和/或非柔性神经电极；
优选地，所述神经电极的电极位点为金表面或镀金表面；
优选地，所述镀金表面采用的镀金方法为恒压镀金，电镀电压为-0.35至-0.45V，电镀时间为15-25s；
优选地，...

【专利技术属性】
技术研发人员：方英，邹宜旻，王晋芬，王琛，
申请(专利权)人：国家纳米科学中心，
类型：发明
国别省市：北京;11