一种基于芯片的PUF结构与方法技术

本申请涉及电子领域，尤其涉及一种基于芯片的PUF结构与方法。该结构包括第一电极矩阵和第二电极矩阵；第一电极矩阵设置在芯片封装内；第一电极矩阵和第二电极矩阵之间形成交叠区；第一电极矩阵中的电极与芯片内部电路连接；第二电极矩阵中的电极连接固定电平。另外，本申请还提供一种基于芯片的PUF方法，该方法包括：检测第一电极矩阵与第二电极矩阵之间形成的电容矩阵；由电容矩阵得到芯片的身份信息矩阵。本申请通过设置第一电极矩阵和第二电极矩阵形成电容矩阵的方法，解决了由于环境影响导致的很难得到稳定的芯片身份信息的问题，也解决了芯片身份信息易被电学破解的问题。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种基于芯片的PUF结构与方法
本申请涉及电子领域，尤其涉及一种基于芯片的PUF结构与方法。
技术介绍
PUF(物理不可克隆技术，PhysicalUnclonableFunction)作为硬件安全领域一个新兴的技术，已经被广泛地应用于电子设备的授权和电子钥匙的生成。在物联网时代，信息安全面临越来越严峻的挑战，每天大量的不同类型的电子设备需要接入网络，因此为每个设备提供一个唯一的，不可被复制的身份信息变得尤为重要。基于模拟电路或者SRAM(静态随机存储器，StaticRandom-AccessMemory)阈值电压的PUF方法是较为常见的实现PUF功能的方法。其中基于模拟电路的PUF方法通常容易受环境的影响，如温度、电磁辐射等，很难得到稳定的芯片身份信息；基于SRAM阈值电压的PUF方法，容易受环境的影响，也很难得到稳定的芯片身份信息，并且它不能防止电学方式破解。
技术实现思路
针对现有技术中PUF方法存在的上述问题，本申请实施例提供了一种基于芯片的PUF结构与方法。本申请的实施例的第一方面提供了一种基于芯片的PUF结构，包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于芯片的PUF结构，其特征在于，包括第一电极矩阵和第二电极矩阵，所述第一电极矩阵和所述第二电极矩阵之间形成电容矩阵以实现芯片的物理不可克隆；/n所述第一电极矩阵设置在所述芯片封装内；/n所述第一电极矩阵和所述第二电极矩阵之间形成交叠区；/n所述第一电极矩阵中的电极与所述芯片内部电路连接；/n所述第二电极矩阵中的电极连接固定电平。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种基于芯片的PUF结构，其特征在于，包括第一电极矩阵和第二电极矩阵，所述第一电极矩阵和所述第二电极矩阵之间形成电容矩阵以实现芯片的物理不可克隆；
所述第一电极矩阵设置在所述芯片封装内；
所述第一电极矩阵和所述第二电极矩阵之间形成交叠区；
所述第一电极矩阵中的电极与所述芯片内部电路连接；
所述第二电极矩阵中的电极连接固定电平。


根据权利要求1所述的基于芯片的PUF结构，其特征在于，所述第二电极矩阵中的电极连接固定电平包括：
所述第二电极矩阵中的电极连接同一个固定电平。


根据权利要求1或2所述的基于芯片的PUF结构，其特征在于，所述芯片内部电路包括电容检测电路，所述电容检测电路用于检测所述电容矩阵的电容值。


根据权利要求3所述的基于芯片的PUF结构，其特征在于，所述第一电极矩阵中的电极与所述芯片内部电路连接包括：所述第一电极矩阵中的电极与所述电容检测电路连接。


根据权利要求3或4所述的基于芯片的PUF结构，其特征在于，所述电容检测电路包括多路复用器。


根据权利要求1至5中任一项所述的基于芯片的PUF结构，其特征在于，所述第二电极矩阵设置在所述芯片封装内。


根据权利要求6所述的基于芯片的PUF结构，其特征在于，所述第一电极矩阵和所述第二电极矩阵设置在所述芯片封装内同一部件上。


根据权利要求7所述的基于芯片的PUF结构，其特征在于，所述第一电极矩阵和所述第二电极矩阵设置在所述芯片封装内同一部件上包括：
所述第一电极矩阵和所述第二电极矩阵设置在同一个芯片上；或者
所述第一电极矩阵和所述第二电极矩阵设置在同一个基底上。


根据权利要求6所述的基于芯片的PUF结构，其特征在于，所述第一电极矩阵和所述第二电极矩阵设置在所述芯片封装内不同部件上。


根据权利要求9所述的基于芯片的PUF结构，其特征在于，所述第一电极矩阵和所述第二电极矩阵设置在所述芯片封装内不同部件上包括：
所述第一电极矩阵设置在第一芯片上，所述第二电极矩阵设置在第二芯片上。


根据权利要求10所述的基于芯片的PUF结构，其特征在于，所述第一电极矩阵设置在第一芯片上，所述第二电极矩阵设置在第二芯片上包括：
所述第一电极矩阵和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李运宁，王文轩，沈健，
申请(专利权)人：深圳市汇顶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44