内嵌式电容触控面板制造技术

一种内嵌式电容触控面板，包含基板、显示层、第一间隔层、显示电极、封装层、至少一触控感测电极、间距感测电极及绝缘层。显示层及第一间隔层形成于基板上方且彼此分隔。显示电极形成于显示层与第一间隔层上方。封装层相对于基板而设置于显示电极上方。触控感测电极形成于封装层下方且位于显示电极上方。间距感测电极形成于封装层下方且位于显示电极上方且与触控感测电极彼此分隔。形成于封装层与间距感测电极之间的阶段层及/或形成于显示电极下方的第二间隔层，使得间距感测电极与显示电极的距离小于触控感测电极与显示电极之间的距离。

【技术实现步骤摘要】
内嵌式电容触控面板
本专利技术与显示装置有关，尤其是关于一种内嵌式电容触控面板。
技术介绍
一般而言，相较于Out-cell或On-cell触控面板，内嵌式(In-cell)触控面板可达到最薄化的触控面板设计。然而，就内嵌式电容触控面板而言，由于触控感测电极与显示电极(例如阴极)较为接近，当内嵌式电容触控面板受到外力而导致触控感测电极与显示电极的间距改变时，会形成相当大的电容变化量。一旦此电容变化量与手指触碰造成的电容感应量相近，将会难以分辨究竟是手指触碰或触控感测电极与显示电极的间距改变所造成，导致触控感测上的困难。如图1所示，于传统的内嵌式电容触控面板1中，触控感测电极TE1～TE2设置于封装层ENC的下方，并通过绝缘层ISO与下方的显示电极(例如阴极)CA彼此分离。此时，触控感测电极TE1～TE2与显示电极CA之间的距离H1主要由间隔层(Spacer)PS所决定。触控感测电极TE1～TE2与显示电极CA之间形成的电容值为Cb1。如图2所示，当使用者的手指FIN触碰到内嵌式电容触控面板1且其触碰的位置对应于触控感测电极TE1时，手指FIN与触控感测电极TE1之间形成的电容值为Cb2。此时，触控感测电极TE1所感测到的电容值为Cb1与Cb2的和。由此，触控感测电极TE1可判断手指FIN触碰到内嵌式电容触控面板1上对应于触控感测电极TE1的位置，而未被触碰到的触控感测电极TE2，其感测到的电容值仍为Cb1。请参照图3A及图3B，图3A为内嵌式电容触控面板的多个触控感测电极的示意图；图3B分别为图3A中的该些触控感测电极所感测到的电容感应量。如图3A及图3B所示，由于手指FIN触碰内嵌式电容触控面板1的位置P1对应于触控感测电极TE1，所以触控感测电极TE1所感测到的电容感应量150明显大于其他触控感测电极所感测到的电容感应量。通过侦测该些电容感应量，可以判断出手指触碰的位置。然而，如图4所示，若使用者的手指FIN触碰到内嵌式电容触控面板1时施加较大的外力F1，导致间隔层PS受到压缩无法维持原本的高度，使得触控感测电极TE1与显示电极CA之间的距离由原本的H1缩短为H2，因而导致触控感测电极TE1与显示电极CA之间形成的电容值由原本的Cb1增加为Cb1’，亦即Cb1’>Cb1。此时，如图5A及图5B所示，若手指FIN按压内嵌式电容触控面板1的位置P2对应于触控感测电极TE1，由于Cb1增加至Cb1’，除了触控感测电极TE1所感测到的电容感应量会增加至250之外，连未被手指FIN按压的相邻的触控感测电极TE2所感测到的电容感应量，也有可能因为间距改变而增加至113，很可能会导致手指FIN的触碰位置的误判，亟待改善。此外，如图6所示，当内嵌式电容触控面板1撞击到物体或摔落到地面时，其所受的外力F2也可能压缩间隔层PS而使得触控感测电极TE1与显示电极CA之间的距离由原本的H1缩短为H2，因而导致触控感测电极TE1与显示电极CA之间形成的电容值由原本的Cb1增加为Cb1’，亦即Cb1’>Cb1。此时，由于下压或撞击造成的间距改变而导致的电容变化量可能与手指正常触控时的电容感测量接近，如图7A及图7B所示，若受下压或撞击的外力F2作用的位置P3对应于触控感测电极TE1，除了主要作用位置的触控感测电极TE1所感测到的电容感应量会增加至120之外，连未直接受外力F2作用的相邻的触控感测电极TE2，也可能因间距改变使所感测到的电容感应量增加至113，很可能会导致在手指并未触控时误判有手指触控的事情发生，亟待改善。
技术实现思路
本专利技术提出一种内嵌式电容触控面板，以有效解决现有技术所遭遇到的上述问题。根据本专利技术的一具体实施例为一种内嵌式电容触控面板。于此实施例中，内嵌式电容触控面板包含基板、显示层、第一间隔层、显示电极、封装层、至少一触控感测电极、间距感测电极及绝缘层。显示层形成于该基板上方。第一间隔层形成于该基板上方且与该显示层彼此分隔。显示电极形成于该显示层与该第一间隔层上方。封装层相对于该基板而设置于该显示电极上方。该至少一触控感测电极形成于该封装层下方且位于该显示电极上方。间距感测电极形成于该封装层下方且位于该显示电极上方。该间距感测电极与该至少一触控感测电极彼此分隔。绝缘层形成于该封装层、该至少一触控感测电极及该间距感测电极下方且位于该显示电极上方。于一实施例中，该显示层为有机发光二极管层。于一实施例中，该显示电极为该显示层的阴极或阳极。于一实施例中，该间距感测电极的面积远小于该至少一触控感测电极的面积。于一实施例中，内嵌式电容触控面板进一步包含阶段层。阶段层形成于该封装层与该间距感测电极之间且与该至少一触控感测电极彼此分隔。于一实施例中，该间距感测电极与其下方的该显示电极之间的距离小于该至少一触控感测电极与其下方的该显示电极之间的距离。于一实施例中，当该内嵌式电容触控面板受外力影响时，该间距感测电极对其下方的该显示电极的电容变化比例大于该至少一触控感测电极对其下方的该显示电极的电容变化比例。于一实施例中，内嵌式电容触控面板进一步包含第二间隔层，形成于该基板上方且与该显示层及该第一间隔层彼此分隔，该第二间隔层对应于该间距感测电极而位于该间距感测电极下方，该显示电极也形成于该第二间隔层上方。于一实施例中，该第二间隔层的高度小于该第一间隔层的高度，致使位于该间距感测电极下方的该绝缘层与位于该第二间隔层上方的该显示电极之间有一空隙。于一实施例中，该至少一触控感测电极包含第一触控感测电极及第二触控感测电极。该间距感测电极位于该第一触控感测电极与该第二触控感测电极之间且该间距感测电极与该第一触控感测电极及该第二触控感测电极彼此分隔。于一实施例中，内嵌式电容触控面板进一步包含偏光层及保护玻璃层。偏光层形成于该封装层上方。保护玻璃层形成于该偏光层上方。相较于现有技术，根据本专利技术的内嵌式电容触控面板利用间距感测电极侦测触控感测电极与显示电极之间的距离变化，使得触控感测电极能够明确区分其感测到的电容变化是来自于手指按压或是显示电极与触控感测电极的间距改变所造成，由以有效避免现有技术的触控误判的事情发生。关于本专利技术的优点与精神可以通过以下的专利技术详述及所附附图得到进一步的了解。附图说明图1为传统的内嵌式电容触控面板的叠层结构的示意图。图2为传统的内嵌式电容触控面板受到手指触碰的示意图。图3A为内嵌式电容触控面板的多个触控感测电极中的一触控感测电极受手指触碰的示意图；图3B分别为图3A中的该些触控感测电极所感测到的电容值。图4为手指触碰到传统的内嵌式电容触控面板时施加外力的示意图。图5A为内嵌式电容触控面板的多个触控感测电极中的一触控感测电极受手指触碰且施加外力的示意图；图5B分别为图5A中的该些触控感测电极所感测到的电容值。图6为当内嵌式电容触控面板撞击到物体或摔落到地面时受到外力作用的示意图。图7A为内嵌式电容触本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种内嵌式电容触控面板，其特征在于，包含：/n一基板；/n一显示层，形成于该基板上方；/n一第一间隔层，形成于该基板上方且与该显示层彼此分隔；/n一显示电极，形成于该显示层与该第一间隔层上方；/n一封装层，相对于该基板而设置于该显示电极上方；/n至少一触控感测电极，形成于该封装层下方且位于该显示电极上方；/n一间距感测电极，形成于该封装层下方且位于该显示电极上方，该间距感测电极与该至少一触控感测电极彼此分隔；以及/n一绝缘层，形成于该封装层、该至少一触控感测电极及该间距感测电极下方且位于该显示电极上方。/n

【技术特征摘要】
20190111 TW 1081012391.一种内嵌式电容触控面板，其特征在于，包含：
一基板；
一显示层，形成于该基板上方；
一第一间隔层，形成于该基板上方且与该显示层彼此分隔；
一显示电极，形成于该显示层与该第一间隔层上方；
一封装层，相对于该基板而设置于该显示电极上方；
至少一触控感测电极，形成于该封装层下方且位于该显示电极上方；
一间距感测电极，形成于该封装层下方且位于该显示电极上方，该间距感测电极与该至少一触控感测电极彼此分隔；以及
一绝缘层，形成于该封装层、该至少一触控感测电极及该间距感测电极下方且位于该显示电极上方。


2.根据权利要求1所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该显示层为有机发光二极管层。


3.根据权利要求1所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该显示电极为该显示层的阴极或阳极。


4.根据权利要求1所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该间距感测电极的面积远小于该至少一触控感测电极的面积。


5.根据权利要求1所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，进一步包含：
一阶段层，形成于该封装层与该间距感测电极之间且与该至少一触控感测电极彼此分隔。


6.根据权利要求5所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：江昶庆，李昆倍，
申请(专利权)人：瑞鼎科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71