半导体材料的阴极荧光成像测试方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体材料的阴极荧光成像测试方法，其包括：制备待测的半导体材料样品；应用聚焦离子束切割工艺对所述半导体材料样品进行切割，形成厚度为纳米尺寸量级的测试样品；在具有阴极荧光光谱仪的扫描电子显微镜中对所述测试样品进行阴极荧光成像测试。本发明专利技术将待测样品切割为厚度为纳米尺寸量级的测试样品(透射电子显微镜(TEM)超薄样品)在扫描电子显微镜(SEM)中进行阴极荧光成像测试，可以提升使用SEM设备进行阴极荧光成像的空间分辨率。

【技术实现步骤摘要】
半导体材料的阴极荧光成像测试方法
本专利技术涉及半导体材料测试
，尤其涉及一种半导体材料的阴极荧光成像测试方法。
技术介绍
高能入射的电子束与待测材料的样品相互作用时，会从样品中激发产生多种信号，例如二次电子、背散射电子、X-射线、阴极荧光(Cathodoluminescence，CL)等。所谓阴极荧光，是由于电子束轰击待测材料而产生的光辐射，此过程为电子束轰击使材料价带的电子跃迁到导带成为激发态，电子重新回到价带上发生复合，并伴随着光子的辐射，称之为阴极荧光。此技术是通过研究物质材料发光性质，进而来表征材料的结构组成、缺陷一种的技术，目前已经应用到很多领域，比如说纳米光子学、物质科学、地质学等。早期的CL成像技术是与扫描电子显微镜(ScanningElectronMicroscope，SEM)结合，构成SEM-CL成像系统，参见“MuirMD,GrantPR(1974)Ch.9-Cathodoluminescence.In:HoltDB,etal.(eds.),QuantitativeScanningElectronMicros本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体材料的阴极荧光成像测试方法，其特征在于，包括：/n制备待测的半导体材料样品；/n应用聚焦离子束切割工艺对所述半导体材料样品进行切割，形成厚度为纳米尺寸量级的测试样品；/n在具有阴极荧光光谱仪的扫描电子显微镜中对所述测试样品进行阴极荧光成像测试。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体材料的阴极荧光成像测试方法，其特征在于，包括：
制备待测的半导体材料样品；
应用聚焦离子束切割工艺对所述半导体材料样品进行切割，形成厚度为纳米尺寸量级的测试样品；
在具有阴极荧光光谱仪的扫描电子显微镜中对所述测试样品进行阴极荧光成像测试。


2.根据权利要求1所述的半导体材料的阴极荧光成像测试方法，其特征在于，所述应用聚焦离子束切割工艺对所述半导体材料样品进行切割形成厚度为纳米尺寸量级的测试样品具体包括：
提供具有聚焦离子束系统的切割设备；
将所述半导体材料样品焊接到所述切割设备样品载网上；
在所述切割设备中应用聚焦离子束切割工艺对所述半导体材料样品进行切割，在所述样品载网上形成厚度为纳米尺寸量级的测试样品。


3.根据权利要求2所述的半导体材料的阴极荧光成像测试方法，其特征在于，所述测试样品的厚度为10～100nm。


4.根据权利要求2所述的半导体材料的阴极荧光成像测试方法，其特征在于，所述在具有阴极荧光光谱仪的扫描电子显微镜中对所述测试样品进行阴极荧光成像测试具体包括：
将所述测试样品通过所述样品载网连接到所述扫描电子显微镜的样品载台上并使得所述测试样品悬空于所述样品载台的边缘；
由所述扫描电子显微镜向所述测试样品发射电子束以在所述测试样品的表面激发阴极荧光；
由所述阴极荧光光谱仪获取所述阴极荧光并根据所述阴极...

【专利技术属性】
技术研发人员：许蕾蕾，黄增立，刘通，丁孙安，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32