【技术实现步骤摘要】
嵌段共聚物性抗静电剂、包含其的抗静电性聚烯烃膜及其制备方法
本专利技术涉及包含一个以上的亲水性嵌段及一个以上的疏水性嵌段的聚烯烃用嵌段共聚物性抗静电剂及包含其的抗静电性聚烯烃膜,具体地,涉及通过醚或酯键来连接在两末端具有羟基的聚(环氧烷)嵌段及两末端被官能化的聚亚烷嵌段的嵌段共聚物的聚烯烃用嵌段共聚物性抗静电剂及包含其的抗静电性聚烯烃膜。
技术介绍
电气电子设备使用电气部件和/或电子部件(以下,称为“电气电子部件”),如硅晶片、硬盘、磁盘基板、玻璃基板、IC芯片、半导体、光存储盘、彩色滤光片、硬盘磁头元件、电荷耦合元件(CCD元件)。在这些电气电子设备组装中,为了将部件提供到组装线,而需要运输和移送部件,从而使用用于此的搬送用容器。并且,在将部件作为中间产品或产品收纳保管的情况下,可使用收纳用容器或包装材料。以往,作为用于搬送电气电子部件的容器或用于收纳的容器、用于包装电气电子部件的包装材料,使用成型性或耐药性优秀的合成树脂,如聚烯烃类树脂或聚苯乙烯类树脂。然而,由于聚乙烯在材质特性上防静电系数(表面 ...
【技术保护点】
1.一种用于聚烯烃膜的嵌段共聚物性抗静电剂,其特征在于,具有下述(a)~(d)的结构特征,包含嵌段共聚物,所述嵌段共聚物包含亲水性嵌段及疏水性嵌段,/n(a)作为对抗静电性重要的亲水性嵌段而使用在两末端具有羟基的聚环氧烷嵌段,并且作为对与聚烯烃的相容性及分散性重要的疏水性嵌段而使用两末端被官能化的聚烯烃嵌段,/n(b)所述亲水性嵌段与疏水性嵌段通过醚键或酯键连接,/n(c)以1:0.1~100的重量比包含所述亲水性嵌段及疏水性嵌段,/n(d)包含所述亲水性嵌段及疏水性嵌段的嵌段-共聚物的重均分子量为10~100kDa。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于聚烯烃膜的嵌段共聚物性抗静电剂,其特征在于,具有下述(a)~(d)的结构特征,包含嵌段共聚物,所述嵌段共聚物包含亲水性嵌段及疏水性嵌段,
(a)作为对抗静电性重要的亲水性嵌段而使用在两末端具有羟基的聚环氧烷嵌段,并且作为对与聚烯烃的相容性及分散性重要的疏水性嵌段而使用两末端被官能化的聚烯烃嵌段,
(b)所述亲水性嵌段与疏水性嵌段通过醚键或酯键连接,
(c)以1:0.1~100的重量比包含所述亲水性嵌段及疏水性嵌段,
(d)包含所述亲水性嵌段及疏水性嵌段的嵌段-共聚物的重均分子量为10~100kDa。
2.根据权利要求1所述的用于聚烯烃膜的嵌段共聚物性抗静电剂,其特征在于,亲水性的所述聚环氧烷嵌段与疏水性的所述聚烯烃嵌段通过酯键连接,所述酯键通过两末端被官能化成二羧酸或其酸酐的聚烯烃嵌段与在两末端具有羟基的聚环氧烷的反应来形成。
3.根据权利要求1所述的用于聚烯烃膜的嵌段共聚物性抗静电剂,其特征在于,所述聚烯烃膜为聚乙烯膜。
4.根据权利要求1所述的用于聚烯烃膜的嵌段共聚物性抗静电剂,其特征在于,所述两末端被官能化的聚烯烃嵌段选自两末端被官能化的聚(乙烯-丙烯)共聚物嵌段,所述两末端通过α,β-不饱和羧酸或其酸酐来官能化。
5.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:林政焕,
申请(专利权)人:AICELLO美林化学株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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