一种小型三相整流桥结构制造技术

技术编号:24961583 阅读:76 留言:0更新日期:2020-07-18 03:15
本实用新型专利技术针对现有技术中小型三相整流桥上的二极管芯片的A极和铜板焊接会产生缝隙的弊端,提供一种小型三相整流桥结构,属于电源技术领域。包括外壳,所述外壳内设置有DBC板,所述DBC板中心设有通孔,所述DBC板包括陶瓷基板,所述陶瓷基板的下端面固定连接有铜基板,所述陶瓷基板的上端面固定连接有五片围绕通孔设置的铜片桥架,二极管芯片和对应的铜片桥架的连接面均为二极管芯片的K极;二极管芯片的A极和对应的铜片桥架通过跳线连接。该小型三相整流桥结构通过改变铜片桥架、二极管芯片以及跳线的分布,使该小型三相整流桥结构中所有二极管芯片的K极与铜片桥架连接,使二极管芯片与铜片桥架之间的连接处不易出现缝隙。

【技术实现步骤摘要】
一种小型三相整流桥结构
本技术属于电源
,具体涉及一种小型三相整流桥结构。
技术介绍
现有的三相整流桥结构大多数为在铝基覆铜板上,按三相整流桥电路把六个二极管芯片、五个引出电极焊接在铜片上构成,用环氧树脂封装在外壳中。如专利公开号为CN206658163U,专利名称为一种三相整流桥结构的技术专利,它包括外壳和二极管芯片,外壳内设有片状铜板和俯视成Z形的交流电极,铜板焊接有侧视成L形直流电极,交流电极焊接有跳线,跳线通过二极管芯片与铜板焊接。该技术的二极管芯片和片状铜板焊接连接部位有二极管芯片的K极,也有二极管芯片的A极,二极管芯片的A极一周有凹槽,导致二极管芯片的A极和铜板焊接的连接处会产生缝隙,该缝隙的存在会影响二极管芯片的散热性能,从而会影响二极管芯片的使用寿命,最终影响三相整流桥的使用寿命,尤其是在小型三相整流桥中,因体积大小的限制,这一问题尤为突出,受到三相整流桥的线路结构限制,在现有的小型三相整流桥内部铜片桥架、二极管芯片以及跳线布局不变的前提下,无法实现将所有二极管芯片的K极与片状铜板焊接。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种小型三相整流桥结构,包括外壳(1),其特征在于,所述外壳(1)内设置有DBC板,所述DBC板中心设有通孔,所述DBC板包括陶瓷基板(2),所述陶瓷基板(2)的下端面固定连接有铜基板(21),所述陶瓷基板(2)的上端面固定连接有五片围绕通孔设置的铜片桥架,每一片铜片桥架上都固定连接有一个引出电极(6),所述铜片桥架分别为第一铜片桥架(51)、第二铜片桥架(52)、第三铜片桥架(53)、第四铜片桥架(54)、第五铜片桥架(55);所述第二铜片桥架(52)、第四铜片桥架(54)、第五铜片桥架(55)上分别固定连接有一个二极管芯片(3),所述第三铜片桥架(53)上固定连接有三个二极管芯片(3)...

【技术特征摘要】
1.一种小型三相整流桥结构,包括外壳(1),其特征在于,所述外壳(1)内设置有DBC板,所述DBC板中心设有通孔,所述DBC板包括陶瓷基板(2),所述陶瓷基板(2)的下端面固定连接有铜基板(21),所述陶瓷基板(2)的上端面固定连接有五片围绕通孔设置的铜片桥架,每一片铜片桥架上都固定连接有一个引出电极(6),所述铜片桥架分别为第一铜片桥架(51)、第二铜片桥架(52)、第三铜片桥架(53)、第四铜片桥架(54)、第五铜片桥架(55);所述第二铜片桥架(52)、第四铜片桥架(54)、第五铜片桥架(55)上分别固定连接有一个二极管芯片(3),所述第三铜片桥架(53)上固定连接有三个二极管芯片(3),所述二极管芯片(3)和对应的铜片桥架的连接面均为二极管芯片(3)的K极;所述第二铜片桥架(52)、第四铜片桥架(54)、第五铜片桥架(55)上的二极管芯片(3)的A极(31)分别和第一铜片桥架(51)之间通过跳线(4)连接,所述第三铜片桥架(53)上的其中一个二极管芯片(3)的A极(31)和所述第二铜片桥架(52)之间通过跳线(4)连接,所述第三铜片桥架(53)上的第二个二极管芯片(3)的A极(31)和第四铜片桥架(54)之间通过跳线(4)连接,所述第三铜片桥架(53)上的第三个二极管芯片(3)的A极(31)和所述第五铜片桥架(55)之间通过跳线(4)连接。


2.根据权利要求1所述的小型三相整流桥结构,其特征在于,所述第四铜片桥架(54)包括用于安装二极管芯片(3)的桥架主体(541),桥架主体(541)侧面固定连接有围绕通孔设置的触手部(542),所...

【专利技术属性】
技术研发人员:陶伟光吕壮志朱秀珍应维虎
申请(专利权)人:浙江固驰电子有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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