【技术实现步骤摘要】
一种无刷直流电机驱动芯片的过热保护电路
本技术涉及电子电路领域，尤其涉及到一种无刷直流电机驱动芯片的过热保护电路。
技术介绍
随着电子科学技术的发展电子元器件越来越向高度芯片方面发展，电机的驱动芯片一般是集成有CMOS、Bipolar控制电路和DMOS功率器件的芯片，利用它可以与主处理器、电机和增量型编码器构成一个运动控制系统用来与驱动直流电机、步进电机和继电器等感性负载，其中三相直流无刷电机因可靠性高、噪音低和维护方便等优点，得到广泛应用，其驱动芯片的研究也逐渐得到重视，由于驱动芯片属于功率集成电路，长时间工作、散热不良或者短路等情况会使芯片的温度升高，若没有过热保护电路则就会造成恶性循环、不仅对芯片的稳定工作不利还可能产生永久性伤害，目前，虽然对芯片电路进行保护的热关断电路结构有很多，但精准的衡量芯片内部的温度的问题仍然不能很好的解决。综上所述，如何提供一种测量更加精确，增强了抗干扰性且结构简单易推广的无刷直流电机驱动芯片的过热保护电路，是本领域技术人员需解决的问题。
技术实现思路
本方案针对上文...
【技术保护点】
1.一种无刷直流电机驱动芯片的过热保护电路，其特征在于，包括：基准电压源、温度检测电路、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、第一反相器S1、第二反相器S2、三极管Q1、三极管Q2、第一比较器U1、第二比较器U2、场效应管Q3、场效应管Q4、场效应管Q5、场效应管Q6、场效应管Q7、场效应管Q8和场效应管Q9，其中，所述电阻R1、所述电阻R2、所述第一反相器S1、所述三极管Q1、所述三极管Q2、所述场效应管Q3和所述场效应管Q4组成温度补偿电路，所述三极管Q1的集电极、所述三极管Q2的集电极、所述电阻R1的一端和所述电阻R2的一端并联后接电源，所述三极管Q1的发...
【技术特征摘要】
1.一种无刷直流电机驱动芯片的过热保护电路，其特征在于，包括：基准电压源、温度检测电路、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、第一反相器S1、第二反相器S2、三极管Q1、三极管Q2、第一比较器U1、第二比较器U2、场效应管Q3、场效应管Q4、场效应管Q5、场效应管Q6、场效应管Q7、场效应管Q8和场效应管Q9，其中，所述电阻R1、所述电阻R2、所述第一反相器S1、所述三极管Q1、所述三极管Q2、所述场效应管Q3和所述场效应管Q4组成温度补偿电路，所述三极管Q1的集电极、所述三极管Q2的集电极、所述电阻R1的一端和所述电阻R2的一端并联后接电源，所述三极管Q1的发射极、所述电阻R2的另一端、所述第一比较器U1的同相输入端和所述场效应管Q4的漏极相连，所述三极管Q2的发射极、所述电阻R1的另一端、所述第一比较器U1的反相输入端和所述场效应管Q3的漏极相连，所述场效应管Q3的源极和所述场效应管Q4的源极均接地，所述场效应管Q3的栅极和所述场效应管Q4的栅极均接所述第一比较器U1的输出端口，所述第一比较器U1的输出端口与所述温度检测电路的输入端口相连，所述场效应管Q6、所述场效应管Q7、所述场效应管Q8和所述场效应管Q9组成锁存器电路，所述电阻R3、所述电阻R4、所述电阻R5、所述第一反相器S1、所述第二反相器S2、所述场效应管Q5和所述第二比较器U2组成保护电路，所述保护电路与所述锁存器电路相连，所述电阻R3的一端、电阻R4的一端与所述第二比较器U2的负极输入端相连，所述电阻R3的另一端接所述基准电压源，所述电阻R4的另一端与所述场效应管Q5的源极和所述电阻R5的一端相连，所述场效应管Q5的漏极和所述电阻R5的另一端并联后接地，所述第二比较器U2的输出端与所述第一反相器S1的输入端相连，所述第一反相器S1的输出端与所述第二反相器S2的输入端和所述场效应管Q8的栅极相连，所述第二反相器S2的输出端与所述场效应管...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。