磁石溅射设备制造技术

本发明专利技术实施例提供的磁控溅射设备包括溅射腔以及磁控装置，溅射腔内设置有位于阴极侧的靶材，以及位于阳极侧的镀膜基片，镀膜基片与靶材相对设置，磁控装置位于阴极背部，磁控装置包括磁石矩阵，磁石包括朝向阴极的第一极性端和背向阴极的第二极性端；通过磁石的独立移动，可以调整各处的磁场分布密度和强度。

【技术实现步骤摘要】
磁石溅射设备
本专利技术涉及溅射成膜领域，尤其涉及一种磁石溅射设备。
技术介绍
现有磁石溅射设备的磁石设计很难保证整个溅射区域内磁场均匀分布，不均匀的磁场会使靶材表面的消耗情况不一样，靶材金属溅射到需要镀膜的镀膜基片上时就会不均匀，因此，现有磁石溅射设备存在膜层溅镀不均匀的技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种磁石溅射设备，可缓解现有磁石溅射设备存在膜层溅镀不均匀的技术问题。本专利技术实施例提供一种磁石溅射设备，用于物理气相沉积法镀膜，包括：溅射腔，所述溅射腔内设置有位于阴极侧的靶材，以及位于阳极侧的镀膜基片，所述镀膜基片与所述靶材相对设置；以及，磁控装置，所述磁控装置位于所述阴极背部，所述磁控装置包括磁石矩阵，磁石包括朝向所述阴极的第一极性端和背向所述阴极的第二极性端，且各所述磁石可独立移动以调节作用在所述靶材上的磁场分布密度和强度。在本专利技术实施例提供的磁石溅射设备中，在所述磁石矩阵中，相同朝向的极性端为N极和S极的组合，且在横向和纵向上，相邻所述磁石的第一极性端极性不同。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁石溅射设备，用于物理气相沉积法镀膜，其特征在于，包括：/n溅射腔，所述溅射腔内设置有位于阴极侧的靶材，以及位于阳极侧的镀膜基片，所述镀膜基片与所述靶材相对设置；以及，/n磁控装置，所述磁控装置位于所述阴极背部，所述磁控装置包括磁石矩阵，磁石包括朝向所述阴极的第一极性端和背向所述阴极的第二极性端，且各所述磁石可独立移动以调节作用在所述靶材上的磁场分布密度和强度。/n

【技术特征摘要】
1.一种磁石溅射设备，用于物理气相沉积法镀膜，其特征在于，包括：
溅射腔，所述溅射腔内设置有位于阴极侧的靶材，以及位于阳极侧的镀膜基片，所述镀膜基片与所述靶材相对设置；以及，
磁控装置，所述磁控装置位于所述阴极背部，所述磁控装置包括磁石矩阵，磁石包括朝向所述阴极的第一极性端和背向所述阴极的第二极性端，且各所述磁石可独立移动以调节作用在所述靶材上的磁场分布密度和强度。


2.如权利要求1所述的磁石溅射设备，其特征在于，在所述磁石矩阵中，相同朝向的极性端为N极和S极的组合，且在横向和纵向上，相邻所述磁石的第一极性端极性不同。


3.如权利要求2所述的磁石溅射设备，其特征在于，各所述磁石上设置有一调控单元，所述调控单元用于独立移动所述磁石。


4.如权利要求3所述的磁石溅射设备，其特征在于，所述调控单元包括设置在所述第二极性端末端的卡扣、设置在所述卡扣两侧的挡墙、以及用于卡合所述卡扣的卡槽，所述挡墙垂直于所述溅射腔的外表面设置，所述卡槽设置在所述挡墙，所述卡槽的开口朝向所述卡扣。


5.如权利要求4所述的磁石溅射设备，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄旭，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44