一种悬浮式石墨烯薄膜结构的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种悬浮式石墨烯薄膜结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1，在铜基石墨烯薄膜表面涂PMMA，获得铜基/石墨烯/PMMA结构；步骤2，将步骤1获得的铜基/石墨烯/PMMA结构置入铜腐蚀液中，刻蚀去掉铜基底，获得PMMA/石墨烯结构；步骤3，将步骤2获得的PMMA/石墨烯结构转移到硅基空腔结构上，获得PMMA/石墨烯/硅结构；步骤4，在步骤3获得的PMMA/石墨烯/硅结构的PMMA表面旋涂光刻胶，光刻显影，氧等离子体图形化石墨烯结构，用丙酮去除光刻胶，获得悬浮式石墨烯薄膜结构。本发明专利技术能够低悬浮式石墨烯的加工制作难度，保证悬浮式石墨烯薄膜结构的覆盖完整性，成功率较高。

【技术实现步骤摘要】
一种悬浮式石墨烯薄膜结构的制备方法
本专利技术涉及石墨烯压力传感器
，特别涉及一种悬浮式石墨烯薄膜结构的制备方法。
技术介绍
石墨烯薄膜具有高强度、2D属性、高子迁移率，且对压力敏感、对气体具有不可穿透性等一系列的优点；另外，与传统的硅膜结构相比，1TPa的杨氏模量和0.335nm超薄的厚度赋予了石墨烯薄膜极致的力学性能。优异的电学和力学性能使得石墨烯薄膜可以应用在制造高灵敏度的悬浮式石墨烯微压传感器中。目前，制造悬浮式石墨烯微压传感器关键技术之一是将石墨烯薄膜完整的覆盖在基底结构的空腔上并将其图形化为合适的形状，但是纳米级别厚度的超薄石墨烯薄膜转移到横向尺寸为数十微米的硅基空腔上，且后续还要直接对石墨烯薄膜进行涂胶、光刻、显影和图形化等操作，此时还要保证石墨烯薄膜结构的完整性，成功率较低。综上，亟需一种新的悬浮式石墨烯薄膜结构的制备方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种悬浮式石墨烯薄膜结构的制备方法，以解决上述存在的一个或多个技术问题。本专利技术能够低悬浮式石墨烯的加工制作难度，保证悬浮式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种悬浮式石墨烯薄膜结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1，在铜基石墨烯薄膜表面涂PMMA，获得铜基/石墨烯/PMMA结构；/n步骤2，将步骤1获得的铜基/石墨烯/PMMA结构置入铜腐蚀液中，刻蚀去掉铜基底，获得PMMA/石墨烯结构；/n步骤3，将步骤2获得的PMMA/石墨烯结构转移到硅基空腔结构上，获得PMMA/石墨烯/硅结构；/n步骤4，在步骤3获得的PMMA/石墨烯/硅结构的PMMA表面旋涂光刻胶，光刻显影，氧等离子体图形化石墨烯结构，用丙酮去除光刻胶和PMMA，获得悬浮式石墨烯薄膜结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种悬浮式石墨烯薄膜结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，在铜基石墨烯薄膜表面涂PMMA，获得铜基/石墨烯/PMMA结构；
步骤2，将步骤1获得的铜基/石墨烯/PMMA结构置入铜腐蚀液中，刻蚀去掉铜基底，获得PMMA/石墨烯结构；
步骤3，将步骤2获得的PMMA/石墨烯结构转移到硅基空腔结构上，获得PMMA/石墨烯/硅结构；
步骤4，在步骤3获得的PMMA/石墨烯/硅结构的PMMA表面旋涂光刻胶，光刻显影，氧等离子体图形化石墨烯结构，用丙酮去除光刻胶和PMMA，获得悬浮式石墨烯薄膜结构。


2.根据权利要求1所述的一种悬浮式石墨烯薄膜结构的制备方法，其特征在于，步骤1具体包括：在铜基石墨烯薄膜表面旋涂或者喷涂PMMA，用于作为后续转移石墨烯薄膜的支撑和保护材料。


3.根据权利要求1所述的一种悬浮式石墨烯薄膜结构的制备方法，其特征在于，步骤1中，PMMA厚度为200nm～500nm。


4.根据权利要求1所述的一种悬浮式...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵立波，李真，李支康，李磊，罗运运，杨萍，卢德江，王永录，王久洪，蒋庄德，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61