半导体存储器装置、电子设备和读取信息的方法制造方法及图纸

[问题]提供一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置在形成存储器单元阵列时适当地操作，同时避免由在半导体基板的表面上形成的氧化物膜引起的电压降。[解决方案]该半导体存储器装置设置有：第一晶体管；电容器，包括在其间有绝缘体的对置的一对电容器电极，电容器电极中的一个电容器电极电连接到第一晶体管的栅极电极；第二晶体管，所述第二晶体管的源极或漏极中的一个电连接到第一晶体管的源极或漏极中的一个并且电连接到电容器电极中的另一个电容器电极；以及板线，电连接到第一晶体管的栅极电极并且电连接到电容器电极中的所述一个电容器电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体存储器装置、电子设备和读取信息的方法
本公开涉及半导体存储器装置、电子设备以及读取信息的方法。
技术介绍
已知包括设置在单个基板上的nMOSFET(n型金属氧化物半导体场效应晶体管)和pMOSFET(p型MOSFET)的CMOS(互补MOS)电路是功耗小、能够执行高速操作且能够容易地小型化和高度集成的电路。因此，CMOS电路被用于许多LSI(大规模集成)装置中。要注意的是，这样的LSI装置最近都已经商业化为SoC(片上系统)，SoC将模拟电路、存储器和逻辑电路整合在一个芯片中。例如，对于安装在每个LSI装置上的存储器，使用静态RAM(静态随机存取存储器：SRAM)等。近年来，已经考虑使用动态RAM(DRAM)、磁性RAM(MRAM)或铁电RAM(FeRAM)代替SRAM，从而使得LSI装置的成本和功耗进一步降低。这里，FeRAM是使用铁电体的剩余极化的取向来存储信息的半导体存储器装置。作为FeRAM的结构，例如，已经提出了使用场效应晶体管的1T(1晶体管)型结构作为存储器单元，该场效应晶体管使用铁电材料作为栅极绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储器装置，包括：/n第一晶体管；/n电容器，设置有隔着绝缘体对置的一对电容器电极，电容器电极中的一个电容器电极电耦接到所述第一晶体管的栅极电极；/n第二晶体管，所述第二晶体管的源极或漏极中的一个电耦接到所述第一晶体管的源极或漏极中的一个并且电耦接到电容器电极中的另一个电容器电极；和/n板线，电耦接到所述第一晶体管的栅极电极并且电耦接到电容器电极中的所述一个电容器电极。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171204 JP 2017-2329471.一种半导体存储器装置，包括：
第一晶体管；
电容器，设置有隔着绝缘体对置的一对电容器电极，电容器电极中的一个电容器电极电耦接到所述第一晶体管的栅极电极；
第二晶体管，所述第二晶体管的源极或漏极中的一个电耦接到所述第一晶体管的源极或漏极中的一个并且电耦接到电容器电极中的另一个电容器电极；和
板线，电耦接到所述第一晶体管的栅极电极并且电耦接到电容器电极中的所述一个电容器电极。


2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述绝缘体为铁电体。


3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，还包括：
源极线，电耦接到所述第一晶体管的源极或漏极中的另一个；
位线，电耦接到所述第二晶体管的源极或漏极中的另一个；和
字线，电耦接到所述第二晶体管的栅极电极。


4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述位线设置为在布置有所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一方向上延伸。


5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述源极线设置为在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸。


6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述字线和所述板线设置为在所述第二方向上延伸。


7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述电容器设置在所述第一晶体管的栅极电极上。


8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，所述电容器设置在形成在平坦化膜中的开口的内部，所述平坦化膜埋入所述第一晶体管和所述第二晶体管。


9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，所述电容器包括电容器电极中的沿着所述开口设置的所述一个电容器电极、沿...

【专利技术属性】
技术研发人员：塚本雅则，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP