解析方法、解析装置、解析程序以及记录解析程序的存储介质制造方法及图纸

半导体器件检查装置(1)具备：光传感器(12)，其检测来自输入有电信号的半导体器件(10)的光；光学系统，其将来自半导体器件(10)的光向光传感器(12)导光；及控制装置(18)，其与光传感器(12)电连接；控制装置(18)具有：测量部(25)，其取得不良品的半导体器件(10)上的多个位置的每个位置的光测量所获得的波形数据、及良品的半导体器件(10)上的多个位置的每个位置的光测量所获得的波形数据；计算部(26)，其在不良品的半导体器件(10)的波形数据与良品的半导体器件(10)的波形数据之间计算一致度；及解析部(28)，其基于通过计算部(26)计算的多个位置的每个位置的一致度，解析不良品的半导体器件(10)的不良部位。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】解析方法、解析装置、解析程序以及记录解析程序的存储介质
本专利技术涉及以半导体器件为对象进行利用光测量的解析处理的解析方法、解析装置、解析程序以及记录解析程序的存储介质。
技术介绍
一直以来，作为检查半导体集成电路的技术，已知有称为EOP(ElectroOpticalProbing(电光探测))的光探测技术(参照下述专利文献1)、或称为TRIEM(Time-resolvedImagingEmissionMicroscopy(时间分辨成像发射显微镜))的时间分解发光测量技术(参照下述专利文献2)。例如，在EOP中，通过测定探测光的反射率的时间变化而取得伴随半导体器件的驱动的空乏层的时间变化。另外，在TRIEM中，根据发光强度的时间变化而测定伴随半导体器件的驱动在源极-漏极间流动的热载子的产生时机。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-064975号公报专利文献2：日本特开平10-150086号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题在上述那样的检查技术中，为了特定包含较多电路元件的半导体器件的不良部位，寻求自利用EOP、TRIEM等的测定结果制作容易解析的数据。然而，在上述现有的检查技术中，难言确立用于有效地特定不良部位的解析方法。实施方式的技术问题在于，提供一种可有效地解析半导体器件的不良部位的解析方法、解析装置、解析程序以及记录解析程序的存储介质。解决问题的技术手段本专利技术的一个方面是一种以半导体器件为对象进行利用光测量的解析处理的解析方法，具备：第1测量步骤，其取得第1半导体器件上的多个位置的每个位置的光测量所获得的时间波形即第1波形数据；第2测量步骤，其取得第2半导体器件上的多个位置的每个位置的光测量所获得的时间波形即第2波形数据；计算步骤，其在上述第1半导体器件的多个位置的每个位置的上述第1波形数据、与对应于该多个位置的上述第2半导体器件的多个位置的每个位置的上述第2波形数据之间，计算一致度；及解析步骤，其基于通过上述计算步骤计算的多个位置的每个位置的一致度，解析上述第1或第2半导体器件的任一者的不良部位。或者，本专利技术的其他方面是一种以半导体器件为对象进行利用光测量的解析处理的解析装置，具备：光检测器，其检测来自输入有测试信号的半导体器件的光；光学系统，其将来自上述半导体器件的光向上述光检测器导光；及控制装置，其与上述光检测器电连接；上述控制装置具有：取得单元，其取得上述第1半导体器件上的多个位置的每个位置的上述光测量所获得的时间波形即第1波形数据、及第2半导体器件上的多个位置的每个位置的上述光测量所获得的时间波形即第2波形数据；计算单元，其在上述第1半导体器件的多个位置的每个位置的上述第1波形数据、与对应于该多个位置的上述第2半导体器件的多个位置的每个位置的上述第2波形数据之间，计算一致度；及解析单元，其基于通过上述计算单元计算的多个位置的每个位置的一致度，解析上述第1或第2半导体器件的任一者的不良部位。或者，本专利技术的其他方面是一种解析程序，其使计算机作为以下单元发挥功能：取得单元，其取得第1半导体器件上的多个位置的每个位置的光测量所获得的时间波形即第1波形数据、及第2半导体器件上的多个位置的每个位置的光测量所获得的时间波形即第2波形数据；计算单元，其在上述第1半导体器件的多个位置的每个位置的上述第1波形数据、与对应于该多个位置的上述第2半导体器件的多个位置的每个位置的上述第2波形数据之间，计算一致度；及解析单元，其基于通过上述计算单元计算的多个位置的每个位置的一致度，解析上述第1或第2半导体器件的任一者的不良部位。或者，本专利技术的其他方面是一种记录上述解析程序的计算机可读取的存储介质。根据上述任一方面，计算第1半导体器件与第2半导体器件之间的对应的多个位置上的光测量结果即波形数据的一致度，并基于该一致度而解析第1或第2半导体器件的不良部位。由此，由于可基于时间波形的一致度的半导体器件上的分布而解析不良部位，因而可有效地解析不良部位。专利技术的效果根据实施方式，可有效地解析半导体器件的不良部位。附图说明图1是显示实施方式的解析装置即半导体器件检查装置1的概略结构的方块图。图2是显示图1的控制装置18的功能结构的方块图。图3是显示图1的控制装置18的硬件结构的图。图4是显示通过图2的设定部24处理的屏蔽数据所含的多边形数据的影像的图。图5是显示通过图2的设定部24以测定坐标系统设定的光测量位置的影像的图。图6是显示通过图2的测量部25检测的反射光的影像的图。图7是显示通过图2的图像产生部27产生的一致度图像数据的影像的图。图8是显示由图2的计算部26的处理对象即波形数据表示的时间波形的图。图9是显示由图2的计算部26的处理对象即波形数据表示的时间波形的图。图10是显示图2的解析部28的解析对象的一致度图像数据的一个例子的图。图11是用于说明根据主数据制作电路图的功能的一个例子的图。图12是用于说明根据主数据制作电路图的功能的一个例子的图。图13是用于说明根据主数据制作电路图的功能的一个例子的图。图14是用于说明根据主数据制作电路图的功能的一个例子的图。图15是用于说明图2的解析部28的位置追踪的影像的图。图16是显示实施方式的半导体器件检查装置1的解析处理的动作顺序的流程图。图17是显示实施方式的解析程序的结构的方块图。图18是显示由变形例的处理对象即波形数据表示的时间波形的图。图19是显示由一致度的计算对象的两个波形数据表示的时间波形的图。图20是显示由一致度的计算对象的两个波形数据表示的时间波形的图。图21是显示由一致度的计算对象的两个波形数据表示的时间波形的图。图22是显示一致度S与其修正值Sc的关系的图表。图23是显示通过控制装置18并列显示的一致度图像数据GCOM与修正函数的图表GP的影像的图。图24是显示通过控制装置18并列显示的一致度图像数据GCOM与修正函数的图表GP的影像的图。图25是显示通过控制装置18并列显示的一致度图像数据GCOM与修正函数的图表GP的影像的图。图26是显示由一致度的计算对象的波形数据表示的时间波形的图。图27是显示由一致度的计算对象的波形数据表示的时间波形的图。图28是显示由一致度的计算对象的波形数据表示的时间波形的图。图29是显示由一致度的计算对象的波形数据表示的时间波形的图。图30是显示由移动一致度的计算对象的波形数据表示的时间波形、及计算的移动一致度的时间变化的图。图31是显示由移动一致度的计算对象的波形数据表示的时间波形、及计算的移动一致度的时间变化的图。具体实施方式以下，参照附图，针对本专利技术的实施方式进行详细的说明。另外，说明中，对相同要素或具有相同功能的要素，使本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种解析方法，其中，/n是以半导体器件为对象进行利用光测量的解析处理的解析方法，/n具备：/n第1测量步骤，其取得作为第1半导体器件上的多个位置的每个位置的光测量所获得的时间波形的第1波形数据；/n第2测量步骤，其取得作为第2半导体器件上的多个位置的每个位置的光测量所获得的时间波形的第2波形数据；/n计算步骤，其在所述第1半导体器件的多个位置的每个位置的所述第1波形数据、与对应于该多个位置的所述第2半导体器件的多个位置的每个位置的所述第2波形数据之间，计算一致度；及/n解析步骤，其基于通过所述计算步骤计算的多个位置的每个位置的一致度，解析所述第1或第2半导体器件的任一者的不良部位。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171127 JP 2017-2265691.一种解析方法，其中，
是以半导体器件为对象进行利用光测量的解析处理的解析方法，
具备：
第1测量步骤，其取得作为第1半导体器件上的多个位置的每个位置的光测量所获得的时间波形的第1波形数据；
第2测量步骤，其取得作为第2半导体器件上的多个位置的每个位置的光测量所获得的时间波形的第2波形数据；
计算步骤，其在所述第1半导体器件的多个位置的每个位置的所述第1波形数据、与对应于该多个位置的所述第2半导体器件的多个位置的每个位置的所述第2波形数据之间，计算一致度；及
解析步骤，其基于通过所述计算步骤计算的多个位置的每个位置的一致度，解析所述第1或第2半导体器件的任一者的不良部位。


2.如权利要求1所述的解析方法，其中，
还具备：图像产生步骤，其将通过所述计算步骤计算出的多个位置的每个位置的一致度映射于坐标上而产生一致度图像数据，
在所述解析步骤中，基于所述一致度图像数据而解析所述第1或第2半导体器件的任一者的不良部位。


3.如权利要求2所述的解析方法，其中，
在所述解析步骤中，使用所述一致度图像数据，自所述一致度相对较低的所述坐标上的位置，追踪位置直至所述一致度相对较高的所述坐标上的位置，由此解析所述不良部位。


4.如权利要求3所述的解析方法，其中，
在所述解析步骤中，基于与所述第1半导体器件及所述第2半导体器件的任一者相关的屏蔽数据而制作电路图，基于所述电路图而决定位置追踪的路线。


5.如权利要求1～4中任一项所述的解析方法，其中，
在所述计算步骤中，计算所述第1波形数据及所述第2波形数据的时间波形的振幅的变化的一致度。


6.如权利要求5所述的解析方法，其中，
在所述计算步骤中，基于所述第1波形数据及所述第2波形数据中的上升及下降的时机而计算所述一致度。


7.如权利要求5所述的解析方法，其中，
在所述计算步骤中，在多个时机计算所述第1波形数据及所述第2波形数据中与阈值的比较结果，基于在所述多个时机的所述比较结果而计算所述一致度。


8.如权利要求1～7中任一项所述的解析方法，其中，
在所述第1测量步骤及所述第2测量步骤中，对输入有测试信号的所述第1半导体器件或所述第2半导体器件中的多个位置照射光，测量来自所述多个位置的反射光而取得所述第1波形数据或所述第2波形数据。


9.如权利要求1～7中任一项所述的解析方法，其中，
在所述第1测量步骤及所述第2测量步骤中，测量来自输入有测试信号的所述第1半导体器件或所述第2半导体器件中的多个位置的发光，而取得所述第1波形数据或所述第2波形数据。


10.一种解析装置，其中，
是以半导体器件为对象进行利用光测量的解析处理的解析装置，
具备：
光检测器，其检测来自输入有测试信号的半导体器件的光；
光学系统，其将来自所述半导体器件的光向所述光检测器导光；及
控制装置，其与所述光检测器电连接，
所述控制装置具有：
取得单元，其取得作为所述第1半导体器件上的多个位置的每个位置的所述光测量所获得的时间波形的第1波形数据、及作为第2半导体器件上...

【专利技术属性】
技术研发人员：嶋瀬朗，堀田和宏，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP