微发光二极管转移头制造技术

本发明专利技术涉及一种将微发光二极管从第一基板移送到第二基板的微发光二极管转移头，尤其，涉及一种使吸附部位与吸附部位周边的材料不同而吸附并移送微发光二极管的微发光二极管转移头。

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管转移头
本专利技术涉及一种将微发光二极管(LightEmittingDiode，LED)从第一基板移送到第二基板的微发光二极管转移头。
技术介绍
目前，显示器市场仍以液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)为主流，但有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)正快速地替代LCD而逐渐成为主流。最近，在显示器企业参与OLED市场成为热潮的情况下，微(Micro)发光二极管显示器也逐渐成为下一代显示器。微发光二极管是指从利用于结晶生长的晶片切割的状态，而并非由成形的树脂等覆盖的封装体类型。LCD与OLED的核心原材料分别为液晶(LiquidCrystal)、有机材料，与此相反，微发光二极管显示器是将1微米至100微米(μm)单位的发光二极管芯片本身用作发光材料的显示器。随着科锐(Cree)公司在1999年申请有关“提高光输出的微-发光二极管阵列”的专利(韩国注册专利公报注册编号第0731673号)而出现“微发光二极管”一词以来，陆续发表相关研究论文，并且进行研究开发。作为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管转移头，其特征在于，包括头部，所述头部具备上下贯通而形成的多个贯通孔，其中在所述贯通孔中具备热变形物质，且在所述热变形物质的表面吸附微发光二极管。/n

【技术特征摘要】
20190107 KR 10-2019-00016841.一种微发光二极管转移头，其特征在于，包括头部，所述头部具备上下贯通而形成的多个贯通孔，其中在所述贯通孔中具备热变形物质，且在所述热变形物质的表面吸附微发光二极管。


2.根据权利要求1所述的微发光二极管转移头，其特征在于，所述头部的支撑部包括至少一个以上的阳极氧化膜薄片。


3.根据权利要求1所述的微发光二极管转移头，其特征在于，所述热变形物质由所述热变形物质的周边的所述头部的支撑部支撑。


4.根据权利要求1所述的微发光二极管转移头，其特征在于，在所述头部的上部具备温度调节元件。


5.根据权利要求4所述的微发光二极管转移头，其特征在于，所述温度调节元件为流体，其中通过调节所述流体的温度而使所述热变形物质膨胀，从而在膨胀的所述热变形物质的表面吸附所述微发光二极管，且通过调节所述流体的温度而使所述热变形物质收缩，从而所述微发光二极管从收缩的所述热变形物质的表面解吸。


6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：安范模，朴胜浩，边圣铉，
申请(专利权)人：普因特工程有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR