微发光二极管转移头制造技术

本发明专利技术涉及一种将微发光二极管从第一基板移送到第二基板的微发光二极管转移头，尤其，涉及一种使吸附部位与吸附部位周边的材料不同而吸附并移送微发光二极管的微发光二极管转移头。

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管转移头
本专利技术涉及一种将微发光二极管(LightEmittingDiode，LED)从第一基板移送到第二基板的微发光二极管转移头。
技术介绍
目前，显示器市场仍以液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)为主流，但有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)正快速地替代LCD而逐渐成为主流。最近，在显示器企业参与OLED市场成为热潮的情况下，微(Micro)发光二极管显示器也逐渐成为下一代显示器。微发光二极管是指从利用于结晶生长的晶片切割的状态，而并非由成形的树脂等覆盖的封装体类型。LCD与OLED的核心原材料分别为液晶(LiquidCrystal)、有机材料，与此相反，微发光二极管显示器是将1微米至100微米(μm)单位的发光二极管芯片本身用作发光材料的显示器。随着科锐(Cree)公司在1999年申请有关“提高光输出的微-发光二极管阵列”的专利(韩国注册专利公报注册编号第0731673号)而出现“微发光二极管”一词以来，陆续发表相关研究论文，并且进行研究开发。作为为了将微发光二极管应用在显示器而需解决的问题，需开发一种基于挠性(Flexible)原材料/元件制造微发光二极管元件的定制型微芯片，需要一种微米尺寸的发光二极管芯片的转移(transfer)技术与准确地安装(Mounting)到显示器像素电极的技术。尤其，关于将微发光二极管元件移送到显示基板的转移(transfer)，因发光二极管尺寸变小至1微米至100微米(μm)单位而无法使用以往的取放(pick&place)设备，需要一种以更高精确度进行移送的转移头技术。关于这种转移头技术，揭示有如下所述的几种构造。美国的勒克斯维(Luxvue)公司揭示了一种利用静电头(electrostatichead)转移微发光二极管的方法(韩国公开专利公报公开编号第2014-0112486号，以下称为“现有专利技术1”)。现有专利技术1的转移原理为对由硅材料制成的头部分施加电压，由此通过静电现象与微发光二极管产生密接力。所述方法在静电感应时会因施加在头部的电压产生因静电现象引起的微发光二极管损伤的问题。美国的艾克斯瑟乐普林特(X-Celeprint)公司揭示了一种应用具有弹性的聚合物物质作为转移头而将晶片上的微发光二极管移送到所期望的基板的方法(韩国公开专利公报公开编号第2017-0019415号，以下称为“现有专利技术2”)。与静电头方式相比，所述方法无微发光二极管损伤的问题，但存在如下缺点：在转移过程中，只有弹性转移头的接着力大于目标基板的接着力才可稳定地移送微发光二极管，需另外进行用以形成电极的工艺。另外，持续地保持弹性聚合物物质的接着力也为非常重要的要素。韩国光技术院揭示了一种利用纤毛接着构造头转移微发光二极管的方法(韩国注册专利公报注册编号第1754528号，以下称为“现有专利技术3”)。然而，现有专利技术3存在难以制作纤毛的接着构造的缺点。韩国机械研究院揭示了一种在辊上涂覆接着剂来转移微发光二极管的方法(韩国注册专利公报注册编号第1757404号，以下称为“现有专利技术4”)。然而，现有专利技术4存在如下缺点：需持续使用接着剂，在对辊进行加压时，微发光二极管也会受损。三星显示器揭示了一种在阵列基板浸入在溶液的状态下对阵列基板的第一电极、第二电极施加负电压而通过静电感应现象将微发光二极管转移到阵列基板的方法(韩国公开专利公报第10-2017-0026959号，以下称为“现有专利技术5”)。然而，现有专利技术5存在如下缺点：在将微发光二极管浸入到溶液而转移到阵列基板的方面而言，需要另外的溶液，此后需要干燥工艺。乐金(LG)电子揭示了一种将头保持器配置到多个拾取头与基板之间，随多个拾取头的移动而使形状变形来对多个拾取头提供自由度的方法(韩国公开专利公报第10-2017-0024906号，以下称为“现有专利技术6”)。然而，现有专利技术6具有如下缺点：其为在多个拾取头的接着面涂布具有接着力的接合物质而转移微发光二极管的方式，因此需要在拾取头涂布接合物质的另外的工艺。为了解决如上所述的现有专利技术的问题，可考虑在转移微发光二极管的转移头具备对微发光二极管产生吸附力的孔。所述孔可形成到构成转移头的头部。转移头可通过头部的孔产生的吸附力吸附微发光二极管。在此情况下，转移头的头部为了防止产品变形而可包括具有高硬度的材料。然而，在如上所述的头部的孔产生吸附力而吸附微发光二极管的情况下，微发光二极管会因头部的高硬度而破损。如上所述，为了防止高硬度的头部与微发光二极管接触时使微发光二极管破损的问题，可考虑具备包括弹性材料的头部。弹性材料的头部在与微发光二极管接触的情况下，可执行缓冲功能而防止微发光二极管破损的问题。然而，弹性材料的头部具有较高的热膨胀系数。弹性材料的头部在工艺过程中受到温度的影响时，会发生因热膨胀引起的位置错位。转移头一次性吸附数千个至数万个微发光二极管，故而重要的是吸附微发光二极管的头部的孔的位置对准。然而，具备弹性材料的头部的转移头因高热膨胀系数而在工艺过程中受到热影响，因此相对于各微发光二极管的对准会偏移。其结果，转移头产生微发光二极管转移错误的问题。如上所述，在着眼于防止产品变形的方面的情况下，会因高硬度的头部而引起微发光二极管破损的问题。另一方面，在着眼于防止微发光二极管破损的方面的情况下，因包括虽发挥缓冲功能但具有低热膨胀系数的材料的头部而产生相对于微发光二极管的对准偏移的问题。因此，本专利技术的申请人想要揭示一种可改善如上所述的现有技术的问题且改善成为本专利技术的构思背景的技术的缺点的方式。[现有技术文献][专利文献](专利文献1)韩国注册专利公报注册编号第0731673号(专利文献2)韩国公开专利公报公开编号第2014-0112486号(专利文献3)韩国公开专利公报公开编号第2017-0019415号(专利文献4)韩国注册专利公报注册编号第1754528号(专利文献5)韩国注册专利公报注册编号第1757404号(专利文献6)韩国公开专利公报第10-2017-0026959号(专利文献7)韩国公开专利公报第10-2017-0024906号
技术实现思路
[专利技术欲解决的课题]本专利技术是为了解决如上所述的问题而提出，其目的在于提供一种可通过使微发光二极管的吸附部位的吸附材料与吸附部位周边的材料不同而在吸附部位提高微发光二极管的吸附精确度的微发光二极管转移头。[解决课题的手段]本专利技术的一特征的微发光二极管转移头的特征在于：包括头部，所述头部具备上下贯通而形成的多个贯通孔，在所述贯通孔中具备热变形物质，且在所述热变形物质的表面吸附微发光二极管。另外，所述微发光二极管转移头的特征在于：所述头部的支撑部包括至少一个以上的阳极氧化膜薄片。另外，所述微发光二极管转移头的特征在于：所述热变形物质由所述热变形物质的周边的所述头部的支撑部支撑。另外，所述微发光二极管转移本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管转移头，其特征在于，包括头部，所述头部具备上下贯通而形成的多个贯通孔，其中在所述贯通孔中具备热变形物质，且在所述热变形物质的表面吸附微发光二极管。/n

【技术特征摘要】
20190107 KR 10-2019-00016841.一种微发光二极管转移头，其特征在于，包括头部，所述头部具备上下贯通而形成的多个贯通孔，其中在所述贯通孔中具备热变形物质，且在所述热变形物质的表面吸附微发光二极管。


2.根据权利要求1所述的微发光二极管转移头，其特征在于，所述头部的支撑部包括至少一个以上的阳极氧化膜薄片。


3.根据权利要求1所述的微发光二极管转移头，其特征在于，所述热变形物质由所述热变形物质的周边的所述头部的支撑部支撑。


4.根据权利要求1所述的微发光二极管转移头，其特征在于，在所述头部的上部具备温度调节元件。


5.根据权利要求4所述的微发光二极管转移头，其特征在于，所述温度调节元件为流体，其中通过调节所述流体的温度而使所述热变形物质膨胀，从而在膨胀的所述热变形物质的表面吸附所述微发光二极管，且通过调节所述流体的温度而使所述热变形物质收缩，从而所述微发光二极管从收缩的所述热变形物质的表面解吸。


6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：安范模，朴胜浩，边圣铉，
申请(专利权)人：普因特工程有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR