一种用于全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选的掩模图形频谱包络分割方法技术

一种用于全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选的掩模图形频谱包络分割方法。所述方法通过寻找频谱强度值矩阵的8邻域极大值点作为包络顶点，针对每个极大值点采用设计的包络生长法寻找属于当前包络的点以及包络的边界点。本发明专利技术设计的包络生长法通过搜寻当前包络点的4邻域来找到属于当前包络的新的点以及包络的边界点，从而实现包络的生长。本发明专利技术可以准确地对频谱包络进行分割，更准确地提取图形频谱的包络信息，使得最终的关键图形筛选结果准确。

【技术实现步骤摘要】
一种用于全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选的掩模图形频谱包络分割方法
本专利技术涉及光刻分辨率增强技术，特别涉及用于全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选的掩模图形频谱包络分割方法。
技术介绍
光刻技术是集成电路制造关键技术之一。光刻分辨率决定集成电路的特征尺寸。光源掩模联合优化技术(SMO)是关键光刻分辨率增强技术之一。目前全芯片SMO的做法是首先使用关键图形筛选技术筛选出少量关键掩模图形，以关键掩模图形进行SMO后得到优化光源，然后以优化光源为照明条件对整个掩模图形进行光学邻近效应修正、添加亚分辨率辅助图形。全芯片SMO关键图形筛选技术是降低全芯片SMO计算量的关键技术之一。公司荷兰ASML公司提出的基于图形衍射谱分析的关键图形筛选技术(参见在先技术1,Hua-YuLiu,LuoqiChen,HongChen,Zhi-panLi,Selectionofoptimumpatternsinadesignlayoutbasedondiffractionsignatureanalysis,PatentNo.:US8543947B2)是目前最先进的技术之一。目前ASML公司的商用软件Tachyon已经包含该技术。在基于频域分析的全芯片SMO关键图形筛选技术中，需要提取频谱包络的宽度信息，并基于获得地宽度信息进行图形筛选。掩模图形频谱的包络分割是提取频谱包络宽度信息地基础。掩模图形频谱的包络分割影响着提取到的频谱包络宽度的准确性，同时影响着最终的关键图形筛选结果。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选的掩模图形频谱包络分割方法。本专利技术通过寻找频谱强度值矩阵的8邻域极大值点作为包络顶点，针对每个极大值点采用设计的包络生长法寻找属于当前包络的点以及包络的边界点。本专利技术设计的包络生长法通过搜寻当前包络点的4邻域来找到属于当前包络的新的点以及包络的边界点，从而实现包络的生长。本专利技术的技术解决方案如下：一种用于全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选的掩模图形频谱包络分割方法分割。本专利技术包括如下步骤：步骤1.读取掩模图形频谱的强度值矩阵。步骤2.从强度值矩阵中寻找8邻域极大值点。步骤3.建立极大值点位置列表记录极大值点在强度值矩阵中的位置(一维列表)。步骤4.判断极大值点位置列表是否为空，如果是，则结束；否则，进入步骤5。步骤5.提取极大值点位置列表的首个元素。步骤6.采用包络生长法寻找强度值矩阵中属于当前包络的点及边界点，具体步骤如下：步骤6.1将强度值矩阵中极大值点位置列表的首个元素及其8邻域的点标记为当前包络的点；步骤6.2建立记录步骤6.1中8邻域点位置的种子列表；步骤6.3判断种子列表是否为空，如是，则结束，否则，进入步骤6.4；步骤6.4提取种子列表首个元素，即种子1；步骤6.5判断强度值矩阵中种子1的点的强度值是否为0，如是，则进入步骤6.14，否则，进入步骤6.6；步骤6.6建立4邻域列表记录种子1在强度值矩阵的4邻域点的位置；步骤6.7建立未标记点列表记录4邻域列表中尚未标记为当前包络的位置，比较强度值矩阵中这些位置的强度值和种子1的点的强度值，如果这些位置中存在强度值小于等于种子1的强度值的非零点，则进入步骤6.8；如果这些位置中存在强度值为零的点，则进入步骤6.11；如果这些位置中存在强度值大于种子1的强度值的点，则进入步骤6.14；步骤6.8找出未标记点列表中强度值小于等于种子1的强度值的非零点，并建立新种子列表记录这些的点的位置；步骤6.9将强度值矩阵中新种子列表的点标记为当前包络的点；步骤6.10将新种子列表加入到种子列表末尾；步骤6.11找出未标记点列表中强度值为0的点，建立零值点列表记录相应的点的位置；步骤6.12将强度值矩阵中零值点列表的点标记为当前包络的点；步骤6.13将强度值矩阵中零值点列表的点标记为边界点；步骤6.14将种子1的位置标记为边界点；步骤6.15将种子1从种子列表中移除；重复步骤6.4至6.15，直到种子列表为空。当前极大值点的包络完成生长后，属于当前包络的所有点的位置及相应的边界点都已经确定。步骤7.将极大值点位置列表的首个元素从极大值点位置列表中移除。重复步骤4至7，直到极大值点位置列表为空。频谱强度值矩阵中所有的包络都进行了分割，属于每个包络的所有点的位置及相应的边界点都已经确定。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：准确地对频谱包络进行分割，从而对频谱包络宽度和轮廓信息的提取更准确。在基于频域分析的全芯片SMO关键图形筛选技术中，本专利技术可以更准确地提取图形频谱的包络信息，使得最终的关键图形筛选结果准确。附图说明图1本专利技术的频谱包络分割流程图图2本专利技术频谱强度值矩阵示例图图3本专利技术频谱强度值矩阵极大值点位置示例图图4本专利技术的包络生长法流程图图5本专利技术频谱强度值矩阵包络生长示例图图6本专利技术频谱强度值矩阵包络分割示例图具体实施方式下面结合实施例和附图对本专利技术作进一步说明，但不应以此实施实例限制本专利技术的保护范围。本专利技术实施例的频谱包络分割流程如图1所示。本专利技术实施例以图2所示的频谱强度值矩阵为例进行频谱包络分割，图2中的数值表示频谱强度值。实施例步骤入下：步骤1.读入图2所示的频谱的强度值矩阵。步骤2.从强度值矩阵中找到3个8邻域极大值点，如图3所示。步骤3.建立极大值点位置列表[(4,4),(4,9),(8,8)]记录极大值点在强度值矩阵中的位置。步骤4.经判断，极大值点位置列表不为空，进入步骤5。步骤5.提取极大值点位置列表首个元素(4,4)。步骤6.采用包络生长法寻找强度值矩阵中属于当前包络的点及边界点，包络生长法流程如图4所示,具体步骤如下：步骤6.1将强度值矩阵中极大值点位置列表的首个元素及其8邻域的点(即位置(4,4),(4,5),(3,5),(3,4),(3,3),(4,3),(5,3),(5,4),(5,5)的点)标记为当前包络的点；步骤6.2建立记录步骤5.1中8邻域点位置的种子列表，为[(4,5),(3,5),(3,4),(3,3),(4,3),(5,3),(5,4),(5,5)]；步骤6.3经判断，种子列表不为空，进入步骤6.4；步骤6.4提取种子列表首个元素，即(4,5)；步骤6.5经判断，强度值矩阵中(4,5)的点的强度值不为0，进入步骤6.6；步骤6.6建立4邻域列表(即[(4,4),(3,5),(4,6),(5,5)])记录位置(4,5)在强度值矩阵的4邻域点的位置；步骤6.7建立未标记点列表(即[(4,6)])记录4邻域列表中尚未标记为当前包络的位置，经过比较强度值矩阵中位置(4,6)的强度值(为2)小于位置(4,5)的强度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选的掩模图形频谱包络分割方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤1.读取掩模图形频谱的强度值矩阵；/n步骤2.从强度值矩阵中寻找8邻域极大值点；/n步骤3.建立极大值点位置列表，记录极大值点在强度值矩阵中的位置；/n步骤4.判断极大值点位置列表是否为空，如果是，则结束；否则，进入步骤5；/n步骤5.提取极大值点位置列表的首个元素；/n步骤6.采用包络生长法寻找强度值矩阵中属于当前包络的点及边界点；/n步骤7.将极大值点位置列表的首个元素从极大值点位置列表中移除；/n重复步骤4至7，直到极大值点位置列表为空。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选的掩模图形频谱包络分割方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1.读取掩模图形频谱的强度值矩阵；
步骤2.从强度值矩阵中寻找8邻域极大值点；
步骤3.建立极大值点位置列表，记录极大值点在强度值矩阵中的位置；
步骤4.判断极大值点位置列表是否为空，如果是，则结束；否则，进入步骤5；
步骤5.提取极大值点位置列表的首个元素；
步骤6.采用包络生长法寻找强度值矩阵中属于当前包络的点及边界点；
步骤7.将极大值点位置列表的首个元素从极大值点位置列表中移除；
重复步骤4至7，直到极大值点位置列表为空。


2.根据权利要求1所述的用于全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选的掩模图形频谱包络分割方法，其特征在于，所述的步骤6中的包络生长法，具体步骤是：
步骤6.1将强度值矩阵中极大值点位置列表的首个元素及其8邻域的点标记为当前包络的点；
步骤6.2建立记录步骤6.1中8邻域点位置的种子列表；
步骤6.3判断种子列表是否为空，如是，则结束，否则，进入步骤6.4；
步骤6.4提取种子列表首个元素，即种子1；
步骤6.5判断强度值矩阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖陆峰，李思坤，王向朝，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31