一种用于全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选的掩模图形频谱包络分割方法技术

一种用于全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选的掩模图形频谱包络分割方法。所述方法通过寻找频谱强度值矩阵的8邻域极大值点作为包络顶点，针对每个极大值点采用设计的包络生长法寻找属于当前包络的点以及包络的边界点。本发明专利技术设计的包络生长法通过搜寻当前包络点的4邻域来找到属于当前包络的新的点以及包络的边界点，从而实现包络的生长。本发明专利技术可以准确地对频谱包络进行分割，更准确地提取图形频谱的包络信息，使得最终的关键图形筛选结果准确。

【技术实现步骤摘要】
一种用于全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选的掩模图形频谱包络分割方法
本专利技术涉及光刻分辨率增强技术，特别涉及用于全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选的掩模图形频谱包络分割方法。
技术介绍
光刻技术是集成电路制造关键技术之一。光刻分辨率决定集成电路的特征尺寸。光源掩模联合优化技术(SMO)是关键光刻分辨率增强技术之一。目前全芯片SMO的做法是首先使用关键图形筛选技术筛选出少量关键掩模图形，以关键掩模图形进行SMO后得到优化光源，然后以优化光源为照明条件对整个掩模图形进行光学邻近效应修正、添加亚分辨率辅助图形。全芯片SMO关键图形筛选技术是降低全芯片SMO计算量的关键技术之一。公司荷兰ASML公司提出的基于图形衍射谱分析的关键图形筛选技术(参见在先技术1,Hua-YuLiu,LuoqiChen,HongChen,Zhi-panLi,Selectionofoptimumpatternsinadesignlayoutbasedondiffractionsignatureanalysis,PatentNo.:US8543947B2)是目前最先进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选的掩模图形频谱包络分割方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤1.读取掩模图形频谱的强度值矩阵；/n步骤2.从强度值矩阵中寻找8邻域极大值点；/n步骤3.建立极大值点位置列表，记录极大值点在强度值矩阵中的位置；/n步骤4.判断极大值点位置列表是否为空，如果是，则结束；否则，进入步骤5；/n步骤5.提取极大值点位置列表的首个元素；/n步骤6.采用包络生长法寻找强度值矩阵中属于当前包络的点及边界点；/n步骤7.将极大值点位置列表的首个元素从极大值点位置列表中移除；/n重复步骤4至7，直到极大值点位置列表为空。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选的掩模图形频谱包络分割方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1.读取掩模图形频谱的强度值矩阵；
步骤2.从强度值矩阵中寻找8邻域极大值点；
步骤3.建立极大值点位置列表，记录极大值点在强度值矩阵中的位置；
步骤4.判断极大值点位置列表是否为空，如果是，则结束；否则，进入步骤5；
步骤5.提取极大值点位置列表的首个元素；
步骤6.采用包络生长法寻找强度值矩阵中属于当前包络的点及边界点；
步骤7.将极大值点位置列表的首个元素从极大值点位置列表中移除；
重复步骤4至7，直到极大值点位置列表为空。


2.根据权利要求1所述的用于全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选的掩模图形频谱包络分割方法，其特征在于，所述的步骤6中的包络生长法，具体步骤是：
步骤6.1将强度值矩阵中极大值点位置列表的首个元素及其8邻域的点标记为当前包络的点；
步骤6.2建立记录步骤6.1中8邻域点位置的种子列表；
步骤6.3判断种子列表是否为空，如是，则结束，否则，进入步骤6.4；
步骤6.4提取种子列表首个元素，即种子1；
步骤6.5判断强度值矩阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖陆峰，李思坤，王向朝，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31