一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构制造技术

本发明专利技术提供了一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构，属于光电技术领域。本复合结构包括若干电介质层一、若干电介质层二和一个石墨烯层，复合结构由其一侧面至另一侧面的堆叠规律如下：电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二；电介质层一的材料为MgF

【技术实现步骤摘要】
一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构
本专利技术属于光电
，涉及一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构。
技术介绍
类似于半导体的电子能带结构，光子晶体中存在光子能带结构。缺陷光子晶体中具有缺陷模，缺陷模位于光子能带的中间，缺陷模的电场主要分布在缺陷层内。当输入光的频率正好等于缺陷模，光波将无反射地全部通过光子晶体，故也将缺陷模叫透射模。如果光子晶体中存在弱损耗，且入射波长位于缺陷模附近时，反射光束的相位会随入射角、入射波长或其它参数的改变而发生剧烈地波动。反射光束的横向位移正比于反射光束相位的变化率，因此，在缺陷模附近，可实现反射光束的较大的横向位移。该效应可用于光开关和高灵敏度传感器，利用反射光束的位移变化，测量波长或角位移等。将两种折射率不同的电介质交替排列，构成准光子晶体结构。当电介质排列满足斐波那契序列(Fibonaccisequence)类型时，该结构属于准光子晶体。构成斐波那契序列的规则为：F1＝{B}，F2＝{BA}，以及Fj＝{Fj-1Fj-2}j≥3。将两个j＝6的完全一样的斐波那契序列电介质复合在一起，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构，其特征在于，本复合结构包括若干电介质层一、若干电介质层二和一个石墨烯层，所述复合结构是由电介质层一、电介质层二和石墨烯层三者堆叠而成的多层结构，所述复合结构由其一侧面至另一侧面的堆叠规律如下：电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二；所述电介质层一的材料为MgF

【技术特征摘要】
1.一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构，其特征在于，本复合结构包括若干电介质层一、若干电介质层二和一个石墨烯层，所述复合结构是由电介质层一、电介质层二和石墨烯层三者堆叠而成的多层结构，所述复合结构由其一侧面至另一侧面的堆叠规律如下：电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二；所述电介质层一的材料为MgF2晶体，所述电介质层二的材料为ZnS晶体。


2.根据权利要求1所述一种斐波那契序列电介质与石墨...

【专利技术属性】
技术研发人员：章普，
申请(专利权)人：湖北科技学院，
类型：发明
国别省市：湖北;42