评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置，能够简单地评价半导体器件的电磁噪声，并推定搭载了半导体器件的装置的电磁噪声。评价方法包括使半导体器件中的第一器件和第二器件中的一方进行开关动作的步骤，半导体器件包括串联连接的第一器件和第二器件、以及与第一器件和第二器件的串联电路并联连接且彼此串联连接的第三器件和第四器件；测定在开关动作过程中在第三器件和第四器件之间产生的电压变化的步骤；以及基于电压变化，输出半导体器件的电磁噪声的评价指标的步骤。

【技术实现步骤摘要】
评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置
本专利技术涉及一种评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置。
技术介绍
以往，对于以逆变器和PWM整流器等电力转换装置为代表的电气电子设备所产生的电磁噪声(传导/辐射)，由EMC(Electro-MagneticCompatibility：电磁兼容性)标准规定了极限值。标准中规定极限值的电磁噪声有反馈到电源的传导噪声和传播到周围的空间的辐射噪声，要求以不超过标准的极限值的方式充分地降低这些电磁噪声的强度。提出了通过模拟或简单测定来评价在这样的电力转换装置动作时产生的电磁噪声的方法(例如，参照专利文献1～3)。此外，作为评价半导体器件的辐射噪声的方法，提出了使用模拟的方法、像专利文献4那样测定电压变化的方法。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平6-309420号专利文献2：日本特开2014-135095号专利文献3：日本特开2005-233833号专利文献4：日本专利第6191797号
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种评价方法，其特征在于，具备如下步骤：/n使半导体器件中的第一器件和第二器件中的一方进行开关动作的步骤，所述半导体器件包括串联连接的所述第一器件和所述第二器件、以及与所述第一器件和所述第二器件的串联电路并联连接且彼此串联连接的第三器件和第四器件；/n测定在所述开关动作过程中在所述第三器件和所述第四器件之间产生的电压变化的步骤；以及/n基于所述电压变化，输出所述半导体器件的电磁噪声的评价指标的步骤。/n

【技术特征摘要】
20190107 JP 2019-0005381.一种评价方法，其特征在于，具备如下步骤：
使半导体器件中的第一器件和第二器件中的一方进行开关动作的步骤，所述半导体器件包括串联连接的所述第一器件和所述第二器件、以及与所述第一器件和所述第二器件的串联电路并联连接且彼此串联连接的第三器件和第四器件；
测定在所述开关动作过程中在所述第三器件和所述第四器件之间产生的电压变化的步骤；以及
基于所述电压变化，输出所述半导体器件的电磁噪声的评价指标的步骤。


2.根据权利要求1所述的评价方法，其特征在于，
所述半导体器件还包括与所述第一器件和所述第二器件的串联电路并联连接且彼此串联连接的第五器件和第六器件，
所述测定的步骤还测定在所述开关动作过程中在所述第五器件和所述第六器件之间产生的电压变化。


3.一种评价方法，其特征在于，具备如下步骤：
使半导体器件中的第一器件和第二器件中的一方进行开关动作的步骤，所述半导体器件包括串联连接的所述第一器件和所述第二器件、以及与所述第一器件和所述第二器件的串联电路并联连接且彼此串联连接的第三器件和第四器件；
测定在所述开关动作过程中在所述第三器件和所述第四器件中的至少一方产生的电压变化的步骤；以及
基于所述电压变化，输出所述半导体器件的电磁噪声的评价指标的步骤。


4.根据权利要求3所述的评价方法，其特征在于，
所述半导体器件还包括与所述第一器件和所述第二器件的串联电路并联连接且彼此串联连接的第五器件和第六器件，
所述测定的步骤还测定在所述开关动作过程中在所述第五器件和所述第六器件中的至少一方产生的电压变化。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的评价方法，其特征在于，还包括：
将针对所述半导体器件输出的所述评价指标与针对不同于所述半导体器件的基准器件输出的所述评价指标进行比较的步骤；以及
根据所述比较的结果，评价所述半导体器件相对于所述基准器件的所述电磁噪声的强度的步骤。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的评价方法，其特征在于，
输出所述评价指标的步骤针对每个频率分量计算出所述半导体器件的所述电压变化来作为所述评价指标。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的评价方法，其特征在于，
所述开关动作包括所述半导体器件的导通动作、关断动作、反向恢复动作和正向恢复动作中的至少两个动作。


8.根据权利要求7所述的评价方法，其特征在于，
所述开关动作至少包括所述半导体器件的反向恢复动作。


9.根据权利要求1～8中任一项所述的评价方法，其特征在于，
所述测定的步骤以隔着绝缘材料而安装有所述半导体器件的导电性部件的电位为基准电位来测定所述导电性部件与所述半导体器件之间的电压变化。


10.一种推定方法，其特征在于，推定具备所述半导体器件的装置的电磁噪声，所述推定方法具备如下步骤：
获取通过权利要求1～9中任一项所述的评价方法而与多个条件下的所述开关动作对应地输出的所述半导体器件的多个评价指标的步骤；以及
将所述多个评价指标进行组合而推定所述装置的电磁噪声的步骤。


11.根据权利要求10所述的推定方法，其特征在于，
所述评价指标的组合为所述半导体器件的所述多个评价指标的最大值或和。


12.根据权利要求10所述的推定方法，其特征在于，
所述评价指标的组合为所述半导体器件的所述多个评价指标的平均值。


13.根据权利要求10所述的推定方法，其特征在于，
所述评价指...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤田美和子，玉手道雄，浅野达见子，铃木佑平，荒木龙，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP