基板温度测定装置和半导体制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板温度测定装置和半导体制造装置，基板的种类不限，采用接触式温度计能准确地测定基板温度。在用于被热源(H)加热的基板(S)的温度测定的基板温度测定装置(M)中，包括：具有和基板(S)相同的热透过率的小片(1)；安装有小片(1)的主体(3)；以及与小片(1)在第一方向上分开并安装在主体(3)上的热吸收构件(2)，小片(1)具有在第一方向上和热吸收构件(2)重叠的重复区域(G)，以及和热吸收构件(2)不重叠的非重复区域，非重复区域曝露在热源(H)下，接触式温度计(5)安装在重复区域(G)中。

【技术实现步骤摘要】
基板温度测定装置和半导体制造装置
本专利技术涉及被加热的基板的温度测定所使用的基板温度测定装置以及半导体制造装置。
技术介绍
半导体制造装置在进行基板处理的前后或中途，会根据基板处理的内容利用加热基板的工序。所述加热工序中采用热电偶等测定装置进行基板的温度测定。另一方面，专利文献1(日本专利公开公报特开平4-218670)公开了代替热电偶、采用辐射温度计测定基板温度。代替热电偶使用辐射温度计的理由，可以列举当硅等透过红外线的基板的情况下，热电偶会被透过基板的红外线加热而不可能完成准确的温度测定。相比热电偶等接触式温度计，通常辐射温度计因耐热温度较低，配置在进行加热处理的真空容器的外部。辐射温度计对基板温度的测定是借助真空容器壁面的观察口进行，但是由于观察口自身的设置场所的制约以及在基板与观察口之间不能配置遮蔽物等空间性制约，所以优选使用没有这种制约的、以热电偶为代表的接触式温度计。可是，如专利文献1所述，因与基板和热源的组合、热电偶会被热源加热，所以热电偶不可能进行准确的温度测定。r>
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种基板温度测定装置，用于被热源加热的基板的温度测定，所述基板温度测定装置的特征在于，包括：/n小片，具有和所述基板相同的热透过率；/n主体，安装有所述小片；以及/n热吸收构件，与所述小片在第一方向上分开，并安装在所述主体上，/n所述小片具有在所述第一方向上和所述热吸收构件重叠的重复区域，以及和所述热吸收构件不重叠的非重复区域，/n所述非重复区域曝露于热源下，在所述重复区域中安装有接触式温度计。/n

【技术特征摘要】
20190108 JP 2019-001480;20190620 JP 2019-1143751.一种基板温度测定装置，用于被热源加热的基板的温度测定，所述基板温度测定装置的特征在于，包括：
小片，具有和所述基板相同的热透过率；
主体，安装有所述小片；以及
热吸收构件，与所述小片在第一方向上分开，并安装在所述主体上，
所述小片具有在所述第一方向上和所述热吸收构件重叠的重复区域，以及和所述热吸收构件不重叠的非重复区域，
所述非重复区域曝露于热源下，在所述重复区域中安装有接触式温度计。


2.根据权利要求1所述的基板温度测定装置，其特征在于，所述接触式温度计是一组接触式温度计。

【专利技术属性】
技术研发人员：后藤亮介，小野田正敏，
申请(专利权)人：日新离子机器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP