【技术实现步骤摘要】
一种提高靶材镀膜均匀性的方法
本专利技术涉及靶材领域,具体涉及一种提高靶材镀膜均匀性的方法。
技术介绍
目前,半导体溅射用靶材用于高集成度以及细微结构的芯片生产。芯片生产的镀膜厚度的均匀性成为了一个重要的考虑。随着集成电路的发展,Cu互联技术逐步代替铝互联。Cu有易氧化、易扩散的缺点,很容易扩散入介质影响晶体管效能。在集成电路互联膜系中Ta/TaN双层膜因其优良的化学性能和热稳定性能被工业界广泛用作Cu与介质间的扩散阻挡层和粘附层。硅片上的膜层镀的太薄就会降低阻挡层的阻挡效果。如果膜层厚镀的太厚,会使膜层的电阻率升高,影响芯片的电性能。如CN110414131A公开了一种三明治结构Co靶材背板扩散焊组件中间层的选取方法,属于Co溅射靶材制造领域。通过建立三明治结构Co靶材背板扩散焊组件的受力数学模型,求解出靶材、中间层、背板中的应力与靶材、背板、中间层的热膨胀系数之间的关系。从而为三明治结构Co靶材背板扩散焊中间层的选取提供理论指导,降低Co靶材背板扩散焊组件的焊接残余应力,提高其可靠性。CN109807452A公开了一种高 ...
【技术保护点】
1.一种提高靶材镀膜均匀性的方法,其特征在于,所述方法包括:将焊接完成的靶材依次进行整平、车削及抛光处理。/n
【技术特征摘要】
1.一种提高靶材镀膜均匀性的方法,其特征在于,所述方法包括:将焊接完成的靶材依次进行整平、车削及抛光处理。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述整平完成后靶材的平面度<0.1mm。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述车削包括依次进行的第一车削和第二车削。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述第一车削完成后的余量为0.5-0.8mm;
优选地,所述第一车削的进刀量为0.5mm;
优选地,所述第一车削的切削速度为600-700m/min。
5.如权利要求3或4所述的方法,其特征在于,所述第二车削进行10次;
优选地,每次车削的进刀量为0.05-0.08mm。
6.如权利要求3-5任一项所述的方法,其特征在于,所述第二车削的切削速度为350-400m/min。
7.如权利要求1-6任一项所述的方法,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚力军,潘杰,边逸军,王学泽,龚润泽,
申请(专利权)人:宁波江丰电子材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。