一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路，其特征在于：包括主通路、误差放大器和限流保护电路；所述主通路包括P型MOS管、N型MOS管、第一电阻R1、第二电阻R2，所述误差放大器包括八个P型MOS管、十一个N型MOS管、电流源IBIAS、电阻R和电容C，所述限流保护电路包括限流电路和保护电路，所述限流电路包括八个P型MOS管、十一个N型MOS管、第一电流源IBIAS1和第二电流源IBIAS2，所述保护电路包括三个P型MOS管、一个N型MOS管、第一电阻r1、第二电阻r2、第一反相器INV1、第二反相器INV2和第三反相器INV3。本电路具有稳定的限流保护功能，结构简单，大大提高系统的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路
本技术属于高压线性稳压
，尤其涉及一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路
技术介绍
目前，随着便携式电子产品数量的蔓延式增长，线性稳压器和开关电源管理器得到越来越广泛的应用。相比于开关电源管理器，线性稳压器具有可集成、纹波小、噪声小、无电磁干扰及成本低的优势，尤其受到各大电子产品设计制造厂商的青睐。但是，线性稳压器长时间工作在输入输出压差较大的情况下，大电流对功率管造成损坏，从而烧毁芯片。因此，提供一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术提供了一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路。一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路，包括主通路、误差放大器和限流保护电路；所述主通路包括P型MOS管、N型MOS管、第一电阻R1、第二电阻R2，所述误差放大器包括八个P型MOS管、十一个N型MOS管、电流源IBIAS、电阻R和电容C，所述限流保护电路包括限流电路和保护电路，所述限流电路包括八个P型MOS管、十一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路，其特征在于，包括主通路、误差放大器和限流保护电路；所述主通路包括P型MOS管、N型MOS管、第一电阻R1、第二电阻R2，所述误差放大器包括八个P型MOS管、十一个N型MOS管、电流源IBIAS、电阻R和电容C，所述限流保护电路包括限流电路和保护电路，所述限流电路包括八个P型MOS管、十一个N型MOS管、第一电流源IBIAS1和第二电流源IBIAS2，所述保护电路包括三个P型MOS管、一个N型MOS管、第一电阻r1、第二电阻r2、第一反相器INV1、第二反相器INV2和第三反相器INV3。/n

【技术特征摘要】
1.一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路，其特征在于，包括主通路、误差放大器和限流保护电路；所述主通路包括P型MOS管、N型MOS管、第一电阻R1、第二电阻R2，所述误差放大器包括八个P型MOS管、十一个N型MOS管、电流源IBIAS、电阻R和电容C，所述限流保护电路包括限流电路和保护电路，所述限流电路包括八个P型MOS管、十一个N型MOS管、第一电流源IBIAS1和第二电流源IBIAS2，所述保护电路包括三个P型MOS管、一个N型MOS管、第一电阻r1、第二电阻r2、第一反相器INV1、第二反相器INV2和第三反相器INV3。


2.根据权利要求1所述的一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路，其特征在于，所述误差放大器的输入端VINP与输入端口VINP相连，误差放大器的另一输入端VINN与主通路的第一电阻R1的一端、第二电阻R2的一端相连，误差放大器的输出端VOUT与主通路的第一N型MOS管N1的栅极相连，主通路的第一P型MOS管P1的源极与电源相连，主通路的第一P型MOS管P1的栅极与限流保护电路的输出端DRV相连，主通路的第一P型MOS管P1的漏极、第一N型MOS管N1的漏极与限流保护电路的输入端CSV相连，主通路的第一N型MOS管N1的源极、第一电阻R1的另一端与输出端口Vout相连，主通路的第二电阻R2的另一端与地相连。


3.根据权利要求2所述的一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路，其特征在于，在所述误差放大器中，电流源IBIAS的一端、第一P型MOS管MP1的源极、第二P型MOS管MP2的源极、第五P型MOS管MP5的源极、第六P型MOS管MP6的源极、第七P型MOS管MP7的源极与电源连接，第一P型MOS管MP1的栅极、第一P型MOS管MP1的漏极、第二P型MOS管MP2的栅极与第三N型MOS管MN3的漏极连接，第二P型MOS管MP2的漏极、第三P型MOS管MP3的源极与第四P型MOS管MP4的源极连接，第三P型MOS管MP3的栅极与输入端口VINP连接，第三P型MOS管MP3的漏极、第五N型MOS管MN5的漏极、第五N型MOS管MN5的栅极与第十N型MOS管MN10的栅极连接，第四P型MOS管MP4的栅极与输入端口VINN连接，第四P型MOS管MP4的漏极、第六N型MOS管MN6的漏极、第六N型MOS管MN6的栅极与第九N型MOS管MN9的栅极连接，第五P型MOS管MP5的栅极、第五P型MOS管MP5的漏极、第六P型MOS管MP6的栅极、第七P型MOS管MP7的栅极与第七N型MOS管MN7的漏极连接，第六P型MOS管MP6的漏极、第八P型MOS管MP8的栅极、第八N型MOS管MN8的漏极与电阻R的一端连接，第七P型MOS管MP7的漏极、第八P型MOS管MP8的源极与输出端口VOUT连接，第八P型MOS管MP8的漏极与第十一N型MOS管MN11的漏极连接，第一N型MOS管MN1的漏极、第一N型MOS管MN1的栅极、第三N型MOS管MN3的栅极、第七N型MOS管MN7的栅极、第八N型MOS管MN8的栅极与电流源IBIAS的另一端连接，第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的漏极、第二N型MOS管MN2的栅极、第四N型MOS管MN4的栅极与第十一N型MOS管MN11的栅极连接，第三N型MOS管MN3的源极与第四N型MOS管MN4的漏极连接，第七N型MOS管MN7的源极与第九N型MOS管MN9的漏极连接，第八N型MOS管MN8的源极与第十N型MOS管MN10的漏极连接，电阻R的另一端与电容C的一端连接，第二N型MOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：王勇，冯瑜，付静，李敏娟，
申请(专利权)人：西安航天民芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61