一种PT200温度传感器芯片及PT200温度传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种PT200温度传感器芯片，包括陶瓷基底和薄膜铂层，薄膜铂层通过激光雕刻成型，薄膜铂层的两端连接有导线。还公开了一种PT200温度传感器，包括套管、芯片和导热填充层，所述套管为整体式陶瓷套管，所述芯片位于套管的底部，且芯片与套管支架具有间距，所述导热填充层充满套管的内部空间且包覆芯片；所述芯片包括陶瓷基底和薄膜铂层薄，薄膜铂层的两端连接有导线，每根导线连接有金属针，所述金属针沿套管轴向延伸至套管之外。本实用新型专利技术的PT200温度传感器的灵敏度较高，耐高温，能够在高温环境中持续稳定地工作，保证足够的使用寿命；此外，抗震性能好，不受取车颠簸的影响，适用于汽车发动机和汽车尾气温度的检测。

【技术实现步骤摘要】
一种PT200温度传感器芯片及PT200温度传感器
本技术属于温度检测设备领域，尤其是一种PT200温度传感器芯片及PT200温度传感器。
技术介绍
PT200温度传感器常用于检测汽车发动机和汽车尾气的温度，目前，PT200温度传感器芯片包括陶瓷基底和位于陶瓷基底上的薄膜铂层，薄膜铂层一般是通过光刻成型。PT200温度传感器一般包括外套管、导热填充层和芯片，外套管一般由镍铬合金外套和陶瓷外套组成，镍铬合金外套位于底部位置，陶瓷外套位于顶部位置，芯片位于镍铬合金外套内部，导热填充层设置在芯片与外套管之间。这种PT200温度传感器的测量灵敏度较低，温度测量范围较窄，稳定性和抗震动能力较差。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种PT200温度传感器芯片及PT200温度传感器，可提高灵敏度，增加温度测量范围，增强稳定性和抗震能力，保证使用寿命。本技术的目的是这样实现的：PT200温度传感器芯片，包括陶瓷基底和薄膜铂层，薄膜铂层通过激光雕刻成型，薄膜铂层的两端连接有导线。进一步地，所述薄膜铂层的重量为0.008g。进一步地，所述陶瓷基底呈正方形，边长为1.5mm。上述PT200温度传感器芯片的PT200温度传感器，包括套管、PT200温度传感器芯片和导热填充层，所述套管为整体式陶瓷套管，所述PT200温度传感器芯片位于套管的底部，且PT200温度传感器芯片与套管支架具有间距，所述导热填充层充满套管的内部空间且包覆PT200温度传感器芯片；所述PT200温度传感器芯片包括陶瓷基底和薄膜铂层，薄膜铂层通过激光雕刻成型，薄膜铂层的两端连接有导线，每根导线连接有金属针，所述金属针沿套管轴向延伸至套管之外。进一步地，所述套管的底面为向外凸出的曲面。进一步地，所述金属针为直径0.3mm的圆柱针。进一步地，所述套管的外径为2.6mm，高度为8mm。进一步地，所述金属针位于套管之外的部分的长度为4mm。本技术的有益效果是：PT200温度传感器芯片的薄膜铂层采用激光雕刻成型，替代现有的光刻成型技术，成型精度高，提高了薄膜铂的灵敏度。将PT200温度传感器的套管改为整体式陶瓷套管，替代镍铬合金外套和陶瓷外套的组合式套管，可增强芯片的稳定性和抗震能力，保证使用寿命。对本技术的PT200温度传感器进行测试，测试项目和结果如下：1:耐久测试:850℃下测试1000小时,无损失；2:绝缘电阻测试:20℃时>100MOhm；650℃时>2MOhm；3:反应时间:在2m/s风速下t50＝3.3st90＝13s；4:震动测试:8ms半波长度下>40g加速度，已通过。附图说明图1是PT200温度传感器芯片的示意图。图2是PT200温度传感器的示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。如图1所示，本技术的PT200温度传感器芯片，包括陶瓷基底1和薄膜铂层2，薄膜铂层2通过激光雕刻成型且粘接在陶瓷基底1上，薄膜铂层2的两端连接有导线3。陶瓷基底1呈正方形，边长为1.5mm，当然也可以是长方形，尺寸和形状根据实际需要进行确定。薄膜铂层2的具体成型过程为：将铂固定在陶瓷基底1上，如采用粘接，钎焊等方式固定，然后利用激光雕刻铂，使铂形成尺寸和厚度满足要求的薄膜铂层2。薄膜铂层2的尺寸和重量可以根据实际需要进行设置，针对汽车发动机和汽车尾气温度的检测，所述薄膜铂层2的重量为0.008g。PT200温度传感器，包括套管4、PT200温度传感器芯片5和导热填充层6，所述套管4为整体式陶瓷套管，所述PT200温度传感器芯片5位于套管4的底部，且PT200温度传感器芯片5与套管4支架具有间距，所述导热填充层6充满套管4的内部空间且包覆PT200温度传感器芯片5；所述PT200温度传感器芯片5包括陶瓷基底1和薄膜铂层2薄膜铂层2通过激光雕刻成型，薄膜铂层2的两端连接有导线3，每根导线3连接有金属针7，所述金属针7沿套管4轴向延伸至套管4之外，使用时，将金属针7与外部电路相连，即可利用PT200温度传感器芯片5检测温度。套管4为整体式陶瓷套管，与现有镍铬合金外套和陶瓷外套的组合式套管相比，制造工艺更加简单，套管4的整体强度和各部位的导热系数保持一致。导热填充层6和套管4可对PT200温度传感器芯片5进行保护，避免PT200温度传感器芯片5受到外界粉尘、有害气体的侵蚀，避免机械损伤，同时导热填充层6可起到减震的作用，保证PT200温度传感器芯片5的稳定，提高PT200温度传感器芯片5的使用寿命。套管4的底面可以是平面，优选的，所述套管4的底面为向外凸出的曲面，以便于陶瓷套管成型且具有较高的强度。针对汽车发动机和汽车尾气温度的检测，所述金属针7为直径0.3mm的圆柱针，金属针7位于套管4之外的部分的长度为4mm，套管4的外径为2.6mm，高度为8mm。该传感器整体体积非常小，安装方便。对本技术的PT200温度传感器进行测试，测试项目和结果如下：1:耐久测试:850℃下测试1000小时,无损失；2:绝缘电阻测试:20℃时>100MOhm；650℃时>2MOhm；3:反应时间:在2m/s风速下t50＝3.3st90＝13s；4:震动测试:8ms半波长度下>40g加速度，已通过。可知，本技术的PT200温度传感器的灵敏度较高，耐高温，能够在高温环境中持续稳定地工作，保证足够的使用寿命；此外，抗震性能好，不受取车颠簸的影响，适用于汽车发动机和汽车尾气温度的检测。以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.PT200温度传感器芯片，包括陶瓷基底(1)和薄膜铂层(2)，其特征在于：薄膜铂层(2)通过激光雕刻成型，薄膜铂层(2)的两端连接有导线(3)。/n

【技术特征摘要】
1.PT200温度传感器芯片，包括陶瓷基底(1)和薄膜铂层(2)，其特征在于：薄膜铂层(2)通过激光雕刻成型，薄膜铂层(2)的两端连接有导线(3)。


2.根据权利要求1所述的PT200温度传感器芯片，其特征在于：所述薄膜铂层(2)的重量为0.008g。


3.根据权利要求1所述的PT200温度传感器芯片，其特征在于：所述陶瓷基底(1)呈正方形，边长为1.5mm。


4.采用如权利要求1、2或3所述PT200温度传感器芯片的PT200温度传感器，包括套管(4)、PT200温度传感器芯片(5)和导热填充层(6)，其特征在于：所述套管(4)为整体式陶瓷套管，所述PT200温度传感器芯片(5)位于套管(4)的底部，且PT200温度传感器芯片(5)与套管(4)支架具有间距，所述导热填充层(6)充满套管(4)的内部空间且包覆P...

【专利技术属性】
技术研发人员：张洪磊，
申请(专利权)人：成都聚源杰能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51