LED阵列的驱动器制造技术

技术编号:24866096 阅读:63 留言:0更新日期:2020-07-10 19:16
本发明专利技术描述了一种电流驱动LED(20)的阵列(2)的驱动器(1),包括:电压转换器(10),被布置成生成到LED阵列(2)的供应电压(V

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】LED阵列的驱动器
本专利技术描述了一种电流驱动LED的LED阵列的驱动器;装置;以及驱动这种LED阵列的方法。
技术介绍
发光二极管(LED)的阵列或矩阵可以用于各种应用,诸如用于移动电话的闪光灯模块、汽车前灯布置等。分段式LED阵列可以包括若干发光二极管,它们中的每一个照亮场(空间中被闪光灯照亮的区域)的一部分。需要LED驱动器来单独或统一驱动LED,以便获得期望的场照明。分段式LED阵列(或下文中简称为“分段式阵列”)通常需要相对复杂的驱动和互连方案。由于在LED制造期间出现的不可避免的工艺变化,分段式阵列的LED可能具有不同的静态正向电压。在操作期间,LED的温度将升高,并且LED的电气行为受到温度的影响。随着结温升高,正向电压降低,从而导致电流消耗增加。出于这个原因,通常优选从电流源(或电流阱(sink))而不是电压源驱动LED。例如,一些现有技术驱动器可以实现用于分段式阵列的反馈控制的电流源。在US20110121755A1、US20090289559A1和US20170094734A1中公开了已知的驱动器电路。用于电流驱动本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电流驱动LED(20)的阵列(2)的驱动器(1),包括/n电压转换器(10),被布置成生成到所述LED阵列(2)的供应电压(V

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171110 EP 17201062.11.一种电流驱动LED(20)的阵列(2)的驱动器(1),包括
电压转换器(10),被布置成生成到所述LED阵列(2)的供应电压(Vboost、VLED),并且响应于反馈信号(100)来调整所述供应电压(Vboost、VLED);
多个电流调节器(CS1、……、CSn),被布置成驱动所述LED阵列(2)的所述LED(20);和
监控布置(M),被适配为监控相对于电压裕量(H)的电流调节器电压(VCS1、……、VCSn),并基于裕量监控结果生成所述反馈信号(100),所述监控布置(M)包括多个比较器(M1、……、Mn),并且其中每个电流驱动LED(20)的电极也连接到比较器(M1、……、Mn)的输入端,并且其中,比较器(M1、……、Mn)被实现为当LED电极电压(Va、Vb、Vc)低于限定所述电压裕量(H)的下界的第一输入电压(Vref_low)时生成高比较器输出(Mout_1、……、Mout_n),并且当所述LED电极电压(Va、Vb、Vc)高于限定所述电压裕量(H)的上界的第二输入电压(Vref_high)时生成低比较器输出(Mout_1、……、Mout_n),并且其中所述反馈信号(100)包括捆绑的比较器输出(Mout_1、……、Mout_n)。


2.根据权利要求1所述的驱动器,其中,电流调节器(CS1、……、CSn)包括已经是所述驱动器电路1的一部分的受控有源装置。


3.根据权利要求2所述的驱动器,其中,电流调节器(CS1、……、CSn)包括双极晶体管或MOSFET。


4.根据前述权利要求中任一项所述的驱动器,其中,比较器(M1、……、Mn)被实现为连接在LED(20)和所述反馈信号(100)之间的窗口比较器,并且其中每个LED(20)的阴极连接到所述比较器(M1、……、Mn)的输入端。


5.根据前述权利要求中任一项所述的驱动器,其中,比较器(M1、……、Mn)包括
第一运算放大器(A1)和第一二极管(D1),所述第一二极管(D1)正向连接在所述第一运算放大器(A1)的输出和所述比较器输出(Mout_1、……、Mout_n)之间;和
第二运算放大器(A2)和第二二极管(D2),所述第二二极管(D2)反向连接在所述第二运算放大器(A2)的输出和所述比较器输出(Mout_1、…...

【专利技术属性】
技术研发人员:H德克斯
申请(专利权)人:亮锐控股有限公司
类型:发明
国别省市:荷兰;NL

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