一种低复杂度的近阈值异或单元制造技术

本发明专利技术涉及一种低复杂度的近阈值异或单元，包括：同或逻辑电路和输出反相器电路，其中电路结构仅采用7个晶体管，不仅结构简单，而且在近阈值状态下具有很好的功能稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种低复杂度的近阈值异或单元
本专利技术涉及芯片近阈值
，特别是涉及一种低复杂度的近阈值异或单元。
技术介绍
随着物联网、医疗电子、智能监测等应用领域的兴起，涌现出很多极低功耗的应用场景。近阈值技术实现芯片极低功耗的最有效技术，能够带来芯片功耗数量级的降低，在近十多年引起了广泛的关注和研究。近阈值技术虽然有效，但同时也带来了严峻的挑战，如性能下降、稳定性降低、工艺敏感等。为提高近阈值状态下的电路稳定性，往往需要在传统结构的基础上，增加一些辅助电路。虽然提升了近阈值状态下的电路稳定性，但同时也增加了电路的复杂程度，造成面积增大的同时，也在一定程度上削弱了功耗优化的效果。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种低复杂度的近阈值异或单元，结构简单，并且能够稳定工作在近阈值状态。为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：一种低复杂度的近阈值异或单元，包括：同或逻辑电路和输出反相器电路。可选的，所述同或逻辑电路包括第一PMOS(MP1)、第二PMOS(MP2)、第三PMOS(MP3)、第一NMO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低复杂度的近阈值异或单元，其特征在于，包括：同或逻辑电路和输出反相器电路。/n

【技术特征摘要】
1.一种低复杂度的近阈值异或单元，其特征在于，包括：同或逻辑电路和输出反相器电路。


2.根据权利要求1所述的低复杂度的近阈值异或单元，其特征在于，所述同或逻辑电路包括第一PMOS(MP1)、第二PMOS(MP2)、第三PMOS(MP3)、第一NMOS(MN1)和第二NMOS(MN2)；
所述第一PMOS(MP1)的源极接电源电压(VDD)，栅极接第一信号输入端(A)，漏极接第三PMOS(MP3)的源极；
所述第二PMOS(MP2)的源极接电源电压(VDD)，栅极接信号输出端(XOR)，漏极分别接所述第三PMOS(MP3)的漏极、第一NMOS(MN1)的源极和第二NMOS(MN2)的漏极；
所述第三PMOS(MP3)的源极接第一PMOS(MP1)的漏极，栅极接第二信号输入端(B)，漏极分别接所述第二PMOS(MP2)的漏极、第一NMOS(MN1)的源极和第二NMOS(MN2)的漏极；
所述第一NMOS(MN1)的源极分别接所述第二PMOS(MP2)的漏极、第三PMOS(MP3)的漏极和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔树山，袁甲，胡晓宇，于增辉，凌康，
申请(专利权)人：北京中科芯蕊科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11