混频器偏压电路制造技术

本发明专利技术披露了一种混频器偏压电路，包含一第一参考电压产生电路、一放大器、一第一晶体管阵列、一第一开关阵列、一第二参考电压产生电路、一第二晶体管阵列、一第二开关阵列、一第一电阻以及一第二电阻。混频器偏压电路通过动态追踪转阻放大器的共模电压来提供多个偏压，且通过不对称地调整这些偏压来补偿不平衡和不匹配效应，从而改善射频接收器前端的二阶交越点。

【技术实现步骤摘要】
混频器偏压电路
本专利技术涉及混频器偏压电路，尤其涉及具有二阶交越点(second-orderinterceptpoint，以下简称IP2)校正功能的混频器偏压电路。
技术介绍
尽管混频器因为具有高集成度和低功耗而被广泛用于射频收发器，但由金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，以下简称MOSFET)所构成的混频器面临着一些设计挑战，例如低输出直流偏移(lowoutputdirectcurrentoffset)以及以IP2和三阶交越点(third-orderinterceptpoint，以下简称IP3)为特征的高线性度。现有的接收器可以用直接转换(directconversion)结构来实现，如图1所示。天线101接收下行链路射频信号，并且经由天线接口单元105将接收到的下行链路射频信号输出到低噪声放大器110。天线接口单元105可以包含双工器(duplexer)、开关、滤波器以及匹配网络。低噪声放大器110用来增强从天线101所接收到的下行链路射频信号本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种混频器偏压电路，应用于一射频接收器前端，该射频接收器前端包含一混频器及一转阻放大器，该混频器偏压电路具有分别输出一第一偏压、一第二偏压及一第三偏压之一第一输出端、一第二输出端及一第三输出端，该混频器偏压电路包含：/n一第一参考电压产生电路，用来根据该转阻放大器之一共模电压产生一参考电压；/n一放大器，耦接该第一参考电压产生电路，具有一第一输入端、一第二输入端及一输出端，该第一输入端接收该参考电压，该第二输入端耦接该第二输出端且接收该第二偏压；/n一第一晶体管阵列，包含多个第一晶体管；/n一第一开关阵列，耦接于该第一晶体管阵列与该第一输出端之间且包含多个第一开关，其中该多个第一开关的导通...

【技术特征摘要】
20190102 TW 1081000121.一种混频器偏压电路，应用于一射频接收器前端，该射频接收器前端包含一混频器及一转阻放大器，该混频器偏压电路具有分别输出一第一偏压、一第二偏压及一第三偏压之一第一输出端、一第二输出端及一第三输出端，该混频器偏压电路包含：
一第一参考电压产生电路，用来根据该转阻放大器之一共模电压产生一参考电压；
一放大器，耦接该第一参考电压产生电路，具有一第一输入端、一第二输入端及一输出端，该第一输入端接收该参考电压，该第二输入端耦接该第二输出端且接收该第二偏压；
一第一晶体管阵列，包含多个第一晶体管；
一第一开关阵列，耦接于该第一晶体管阵列与该第一输出端之间且包含多个第一开关，其中该多个第一开关的导通个数由一校正码决定；
一第二参考电压产生电路；
一第二晶体管阵列，包含多个第二晶体管，该多个第二晶体管耦接该第二参考电压产生电路；
一第二开关阵列，耦接于该第二晶体管阵列与该第三输出端之间且包含多个第二开关，其中该多个第二开关的导通个数由该校正码决定；
一第一电阻，耦接于该第一输出端及该第二输出端之间；以及
一第二电阻，耦接于该第二输出端及该第三输出端之间。

【专利技术属性】
技术研发人员：陈家源，叶荣富，吴昭篁，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71