【技术实现步骤摘要】
超导磁储能系统斩波器均压均流控制方法
本专利技术涉及超导磁储能系统领域，涉及一种斩波器。
技术介绍
超导磁储能(SuperconductingMagneticEnergyStorage，SMES)系统是将能量储存在超导磁体中的一种快速、高效的储能装置。SMES系统相较于机械储能、电化学储能等储能装置，具有响应速度快、循环次数多、功率密度大及能量转换率高等优势，进而可用于抑制光伏、风电等新能源并网引起的电力系统频率波动；提升电网的暂态稳定性；增强重要负荷的供电可靠性等。斩波器作为SMES系统的核心部分，主要功能是实现超导磁体与电网之间的可控能量交换。目前SMES系统多采用单相斩波器，由于开关器件关断电压的限制，单相斩波器只适用于电压等级较低的场合。中点钳位型单相斩波器的每个开关器件的关断电压仅为直流母线极对极电压的一半，适用于电压等级较高的场合，但这类结构的控制逻辑复杂、扩展性差，且易产生中点电位漂移。显著提升单相斩波器的电压等级在技术上存在困难，将多个单相斩波器串联至较高电压等级是解决这一难题的有效措施，同时...
【技术保护点】
1.一种超导磁储能系统斩波器均压均流控制方法，所采用的斩波器包括n+m个结构相同的斩波器子模块，斩波器子模块SM
【技术特征摘要】
1.一种超导磁储能系统斩波器均压均流控制方法，所采用的斩波器包括n+m个结构相同的斩波器子模块，斩波器子模块SM1的中间端子与直流母线的正极相连，斩波器子模块SMk，k＝2,3,…,n+m，的中间端子与斩波器子模块SMk-1的下端子相连，斩波器子模块SMn+m的下端子与直流母线的负极相连；斩波器子模块由一个半桥电路、一个电容C和一个单相斩波器并联构成，其中，半桥电路包括两路并联器件，一路为串联的两个IGBT，即T1和T2，一路为串联的两个二极管，即D1和D2，半桥电路中各器件连接方式为：T1的集电极、D1的阴极与电容C的正极相连，T1的发射极、T2的集电极、D1的阳极与D2的阴极相连于斩波器子模块的中间端子，T2的发射极、D2的阳极与电容C的负极相连斩波器子模块的下端子；单相斩波器包括一个超导磁体Lsc与两路并联器件，两路并联器件均由一个IGBT和一个二极管串联构成，设第一路并联器件包括T3、D4，第二路并联器件包括T4、D3，单相斩波器中各器件的连接方式为：T3的集电极、D3的阴极与电容C的正极相连，T3的发射极、D4的阴极与超导磁体Lsc的一端相连，T4的集电极、D3的阳极与超导磁体Lsc的另一端相连，T4的发射极、D4的阳极与电容C的负极相连。
控制方法如下：每经过...
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